Продукція > ONSEMI > KSA1220AYS

KSA1220AYS onsemi


ksa1220a-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 160V 1.2A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 300mA, 5V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 1.2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис KSA1220AYS onsemi

Description: TRANS PNP 160V 1.2A TO-126, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 300mA, 5V, Frequency - Transition: 175MHz, Supplier Device Package: TO-126, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V, Power - Max: 1.2 W.

Інші пропозиції KSA1220AYS

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
KSA1220AYS ONS/FAI ksa1220a-d.pdf TRANS PNP 160V 1.2A TO-126 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSA1220AYS KSA1220AYS onsemi ksa1220a-d.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSA1220AYS KSA1220AYS onsemi / Fairchild KSA1220A_D-1810436.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSA1220AYS STMicroelectronics ksa1220a-d.pdf Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSA1220AYS KSA1220AYS ONSEMI 2299880.pdf Description: ONSEMI - KSA1220AYS - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 1.2 A, 20 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160
DC-Stromverstärkung hFE: 160
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.2
MSL: -
Verlustleistung: 20
Bauform - Transistor: TO-225AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 175
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSA1220AYS ON Semiconductor ksa1220a-d.pdf Trans GP BJT PNP 120V 1.2A 1200mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSA1220AYS ksa1220a-d.pdf
Виробник: ONS/FAI
TRANS PNP 160V 1.2A TO-126 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSA1220AYS ksa1220a-d.pdf
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSA1220AYS KSA1220A_D-1810436.pdf
Виробник: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSA1220AYS ksa1220a-d.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSA1220AYS 2299880.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSA1220AYS - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 1.2 A, 20 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160
DC-Stromverstärkung hFE: 160
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.2
MSL: -
Verlustleistung: 20
Bauform - Transistor: TO-225AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 175
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSA1220AYS ksa1220a-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 120V 1.2A 1200mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.