KSC1008YBU ON Semiconductor
на замовлення 15783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4492+ | 2.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис KSC1008YBU ON Semiconductor
Description: ONSEMI - KSC1008YBU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 700 mA, 800 mW, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 700mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції KSC1008YBU за ціною від 1.77 грн до 32.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
KSC1008YBU | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 60V 0.7A 800mW 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 19847 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
KSC1008YBU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 0.7A 800mW 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 15783 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
KSC1008YBU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 0.7A 800mW 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 19847 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
KSC1008YBU | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 0.7A TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 800 mW |
на замовлення 70221 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
KSC1008YBU | Виробник : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil |
на замовлення 11394 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
KSC1008YBU | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSC1008YBU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 700 mA, 800 mW, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 700mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
KSC1008YBU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 0.7A 800mW 3-Pin TO-92 Bag |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
|
|
KSC1008YBU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 0.7A 800mW 3-Pin TO-92 Bag |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
|
|
KSC1008YBU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 0.7A 800mW 3-Pin TO-92 Bag |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
| KSC1008YBU | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 0.7A; 0.8W; TO92 Collector-emitter voltage: 60V Current gain: 120...240 Collector current: 0.7A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.8W Polarisation: bipolar Kind of package: bulk Mounting: THT Case: TO92 Frequency: 50MHz |
товар відсутній |