Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції KSC2690AYS за ціною від 17.65 грн до 78.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
KSC2690AYS | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 1.2A 1200mW 3-Pin TO-126 Bag |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
KSC2690AYS | ONSEMI |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 1.2A; 1.2W; TO126ISO Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 1.2A Power dissipation: 1.2W Case: TO126ISO Pulsed collector current: 2.5A Current gain: 160...320 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 155MHz |
на замовлення 1090 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
KSC2690AYS | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSC2690AYS - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.2 A, 20 W, TO-225AA, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-225AA Dauerkollektorstrom: 1.2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 155MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1774 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
KSC2690AYS | onsemi |
Description: TRANS NPN 160V 1.2A TO-126-3Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 155MHz Supplier Device Package: TO-126-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 1.2 W |
на замовлення 5686 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
KSC2690AYS | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil |
на замовлення 10902 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| KSC2690AYS |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 1.2A 1200mW 3-Pin TO-126 Bag
Trans GP BJT NPN 160V 1.2A 1200mW 3-Pin TO-126 Bag
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 463+ | 30.53 грн |
| 500+ | 29.22 грн |
| 2000+ | 27.64 грн |
| KSC2690AYS |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 1.2A; 1.2W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 1.2A
Power dissipation: 1.2W
Case: TO126ISO
Pulsed collector current: 2.5A
Current gain: 160...320
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 155MHz
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 1.2A; 1.2W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 1.2A
Power dissipation: 1.2W
Case: TO126ISO
Pulsed collector current: 2.5A
Current gain: 160...320
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 155MHz
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 59.26 грн |
| 12+ | 36.06 грн |
| 50+ | 28.87 грн |
| 100+ | 26.24 грн |
| 250+ | 23.11 грн |
| 500+ | 20.91 грн |
| 1000+ | 20.32 грн |
| KSC2690AYS |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSC2690AYS - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.2 A, 20 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-225AA
Dauerkollektorstrom: 1.2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 155MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - KSC2690AYS - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.2 A, 20 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-225AA
Dauerkollektorstrom: 1.2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 155MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 74.01 грн |
| 18+ | 47.42 грн |
| 100+ | 34.87 грн |
| 500+ | 23.47 грн |
| 1000+ | 20.54 грн |
| KSC2690AYS |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 1.2A TO-126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 1.2 W
Description: TRANS NPN 160V 1.2A TO-126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 1.2 W
на замовлення 5686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 74.37 грн |
| 10+ | 44.87 грн |
| 100+ | 29.40 грн |
| 500+ | 21.35 грн |
| 1000+ | 19.34 грн |
| 2000+ | 17.65 грн |
| KSC2690AYS |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
на замовлення 10902 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 78.35 грн |
| 10+ | 48.20 грн |
| 100+ | 25.25 грн |






