KSC3503DS ON Semiconductor
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 497+ | 24.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис KSC3503DS ON Semiconductor
Description: ONSEMI - KSC3503DS - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 100 mA, 7 W, TO-225AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 7W, Bauform - Transistor: TO-225AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції KSC3503DS за ціною від 17.21 грн до 79.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
KSC3503DS | Виробник : onsemi / Fairchild |
 Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil |
на замовлення 8293 шт: термін постачання 105-114 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
KSC3503DS | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSC3503DS - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 100 mA, 7 W, TO-225AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 7W Bauform - Transistor: TO-225AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
 |
KSC3503DS | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 300V 0.1A 7000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
KSC3503DS | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 300V 0.1A 7000mW 3-Pin TO-126 Bag |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
KSC3503DS | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 300V 0.1A 7000mW 3-Pin TO-126 Bag |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
KSC3503DS | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 300V 0.1A 7000mW 3-Pin TO-126 Bag |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| KSC3503DS | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.1A; 7W; TO126ISO Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 300V Collector current: 0.1A Power dissipation: 7W Case: TO126ISO Pulsed collector current: 0.2A Current gain: 60...120 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 150MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
 |
KSC3503DS | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 300V 0.1A TO-126-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 2mA, 20mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 10V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: TO-126-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 7 W |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| KSC3503DS | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.1A; 7W; TO126ISO Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 300V Collector current: 0.1A Power dissipation: 7W Case: TO126ISO Pulsed collector current: 0.2A Current gain: 60...120 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 150MHz |
товару немає в наявності |