Продукція > ONSEMI > KSC5502DTM
KSC5502DTM

KSC5502DTM onsemi

ksc5502dt-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 600V 2A TO-252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 11MHz
Supplier Device Package: TO-252AA
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 50 W
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+23.02 грн
5000+20.50 грн
7500+19.65 грн
12500+17.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис KSC5502DTM onsemi

Description: ONSEMI - KSC5502DTM - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Hochspannung, NPN, 600 V, 2 A, 50 W, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 50W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 2A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 11MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції KSC5502DTM за ціною від 20.02 грн до 91.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
KSC5502DTM KSC5502DTM onsemi ksc5502dt-d.pdf Description: TRANS NPN 600V 2A TO-252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 11MHz
Supplier Device Package: TO-252AA
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 50 W
на замовлення 15157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.76 грн
10+53.10 грн
100+35.07 грн
500+25.66 грн
1000+23.33 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSC5502DTM KSC5502DTM onsemi / Fairchild EF131FC47D46B15331E697FCB03D0DEB5E8D101FEF410A792359CE97F6D15525.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Triple Diffused Planar Silicon
на замовлення 10142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.82 грн
10+56.21 грн
100+32.38 грн
500+25.34 грн
1000+22.99 грн
2500+20.02 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSC5502DTM KSC5502DTM ONSEMI ksc5502dt-d.pdf Description: ONSEMI - KSC5502DTM - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Hochspannung, NPN, 600 V, 2 A, 50 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 11MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+91.82 грн
16+53.64 грн
100+37.77 грн
500+27.45 грн
1000+22.99 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSC5502DTM ksc5502dt-d.pdf
KSC5502DTM
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 600V 2A TO-252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 11MHz
Supplier Device Package: TO-252AA
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 50 W
на замовлення 15157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+87.76 грн
10+53.10 грн
100+35.07 грн
500+25.66 грн
1000+23.33 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSC5502DTM EF131FC47D46B15331E697FCB03D0DEB5E8D101FEF410A792359CE97F6D15525.pdf
KSC5502DTM
Виробник: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Triple Diffused Planar Silicon
на замовлення 10142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+91.82 грн
10+56.21 грн
100+32.38 грн
500+25.34 грн
1000+22.99 грн
2500+20.02 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSC5502DTM ksc5502dt-d.pdf
KSC5502DTM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSC5502DTM - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Hochspannung, NPN, 600 V, 2 A, 50 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 11MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+91.82 грн
16+53.64 грн
100+37.77 грн
500+27.45 грн
1000+22.99 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.