Продукція > ONSEMI > KSC5502DTM
KSC5502DTM

KSC5502DTM onsemi


ksc5502dt-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 600V 2A TO-252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 11MHz
Supplier Device Package: TO-252AA
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 50 W
на замовлення 17500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+24.30 грн
5000+21.65 грн
7500+20.75 грн
12500+18.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис KSC5502DTM onsemi

Description: ONSEMI - KSC5502DTM - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Hochspannung, NPN, 600 V, 2 A, 50 W, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 2A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 11MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції KSC5502DTM за ціною від 22.09 грн до 109.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
KSC5502DTM KSC5502DTM Виробник : ON Semiconductor ksc5502dt-d.pdf Trans GP BJT NPN 600V 2A 50000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+24.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
KSC5502DTM KSC5502DTM Виробник : ON Semiconductor ksc5502dt-d.pdf Trans GP BJT NPN 600V 2A 50000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+28.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
KSC5502DTM KSC5502DTM Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003585425-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - KSC5502DTM - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Hochspannung, NPN, 600 V, 2 A, 50 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 8606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+45.45 грн
500+33.08 грн
1000+27.68 грн
5000+24.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
KSC5502DTM KSC5502DTM Виробник : onsemi ksc5502dt-d.pdf Description: TRANS NPN 600V 2A TO-252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 11MHz
Supplier Device Package: TO-252AA
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 50 W
на замовлення 20089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.10 грн
10+56.09 грн
100+37.03 грн
500+27.10 грн
1000+24.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
KSC5502DTM KSC5502DTM Виробник : onsemi / Fairchild EF131FC47D46B15331E697FCB03D0DEB5E8D101FEF410A792359CE97F6D15525.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Triple Diffused Planar Silicon
на замовлення 6542 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.30 грн
10+62.01 грн
100+35.72 грн
500+27.95 грн
1000+25.36 грн
2500+22.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
KSC5502DTM KSC5502DTM Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003585425-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - KSC5502DTM - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Hochspannung, NPN, 600 V, 2 A, 50 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 8606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+109.36 грн
13+68.69 грн
100+45.45 грн
500+33.08 грн
1000+27.68 грн
5000+24.09 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
KSC5502DTM Виробник : Aptina Imaging ksc5502dt-d.pdf Trans GP BJT NPN 600V 2A 50000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+44.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
KSC5502DTM KSC5502DTM Виробник : ON Semiconductor ksc5502dt-d.pdf Trans GP BJT NPN 600V 2A 50000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSC5502DTM KSC5502DTM Виробник : ON Semiconductor ksc5502dt-d.pdf Trans GP BJT NPN 600V 2A 50000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSC5502DTM Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEBCE428E7376320D6&compId=KSC5502D.pdf?ci_sign=7139fb7979a4edd6f91a986578b7a7115e735a86 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 600V; 2A; 87.83W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 2A
Power dissipation: 87.83W
Case: DPAK
Current gain: 12...30
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed collector current: 4A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Frequency: 11MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSC5502DTM Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEBCE428E7376320D6&compId=KSC5502D.pdf?ci_sign=7139fb7979a4edd6f91a986578b7a7115e735a86 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 600V; 2A; 87.83W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 2A
Power dissipation: 87.83W
Case: DPAK
Current gain: 12...30
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed collector current: 4A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Frequency: 11MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.