Продукція > ONSEMI > KSC5502DTM
KSC5502DTM

KSC5502DTM onsemi

ksc5502dt-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 600V 2A TO-252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 11MHz
Supplier Device Package: TO-252AA
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 50 W
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+24.84 грн
5000+22.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис KSC5502DTM onsemi

Description: ONSEMI - KSC5502DTM - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Hochspannung, NPN, 600 V, 2 A, 50 W, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 50W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 2A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 11MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції KSC5502DTM за ціною від 21.21 грн до 104.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
KSC5502DTM KSC5502DTM ON Semiconductor ksc5502dt-d.pdf Trans GP BJT NPN 600V 2A 87830mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSC5502DTM KSC5502DTM ON Semiconductor ksc5502dt-d.pdf Trans GP BJT NPN 600V 2A 87830mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSC5502DTM KSC5502DTM ON Semiconductor ksc5502dt-d.pdf Trans GP BJT NPN 600V 2A 87830mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 85625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
834+42.70 грн
1000+39.37 грн
10000+35.11 грн
Мінімальне замовлення: 834 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSC5502DTM KSC5502DTM ON Semiconductor ksc5502dt-d.pdf Trans GP BJT NPN 600V 2A 87830mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+64.67 грн
500+50.33 грн
1000+45.32 грн
2500+43.18 грн
5000+39.88 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSC5502DTM KSC5502DTM onsemi ksc5502dt-d.pdf Description: TRANS NPN 600V 2A TO-252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 11MHz
Supplier Device Package: TO-252AA
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 50 W
на замовлення 19679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.87 грн
10+57.27 грн
100+37.86 грн
500+27.70 грн
1000+25.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSC5502DTM KSC5502DTM onsemi / Fairchild EF131FC47D46B15331E697FCB03D0DEB5E8D101FEF410A792359CE97F6D15525.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Triple Diffused Planar Silicon
на замовлення 10142 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
4+97.27 грн
10+59.54 грн
100+34.30 грн
500+26.84 грн
1000+24.35 грн
2500+21.21 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSC5502DTM KSC5502DTM onsemi ksc5502dt-d.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Triple Diffused Planar Silicon
на замовлення 7986 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+102.39 грн
10+63.50 грн
100+36.57 грн
500+28.52 грн
1000+25.89 грн
2500+25.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSC5502DTM KSC5502DTM ON Semiconductor ksc5502dt-d.pdf Trans GP BJT NPN 600V 2A 87830mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+104.69 грн
12+67.72 грн
100+49.84 грн
500+38.55 грн
1000+32.61 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSC5502DTM KSC5502DTM ON Semiconductor ksc5502dt-d.pdf Trans GP BJT NPN 600V 2A 87830mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
137+104.69 грн
211+67.72 грн
286+49.84 грн
500+38.55 грн
1000+32.61 грн
Мінімальне замовлення: 137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSC5502DTM KSC5502DTM ONSEMI ONSM-S-A0003585425-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - KSC5502DTM - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Hochspannung, NPN, 600 V, 2 A, 50 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 11MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KSC5502DTM KSC5502DTM ONSEMI ONSM-S-A0003585425-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - KSC5502DTM - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Hochspannung, NPN, 600 V, 2 A, 50 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 11MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSC5502DTM ksc5502dt-d.pdf
KSC5502DTM
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 600V 2A 87830mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+32.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSC5502DTM ksc5502dt-d.pdf
KSC5502DTM
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 600V 2A 87830mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+32.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSC5502DTM ksc5502dt-d.pdf
KSC5502DTM
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 600V 2A 87830mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 85625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
834+42.70 грн
1000+39.37 грн
10000+35.11 грн
Мінімальне замовлення: 834 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSC5502DTM ksc5502dt-d.pdf
KSC5502DTM
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 600V 2A 87830mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
221+64.67 грн
500+50.33 грн
1000+45.32 грн
2500+43.18 грн
5000+39.88 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSC5502DTM ksc5502dt-d.pdf
KSC5502DTM
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 600V 2A TO-252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 11MHz
Supplier Device Package: TO-252AA
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 50 W
на замовлення 19679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+94.87 грн
10+57.27 грн
100+37.86 грн
500+27.70 грн
1000+25.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSC5502DTM EF131FC47D46B15331E697FCB03D0DEB5E8D101FEF410A792359CE97F6D15525.pdf
KSC5502DTM
Виробник: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Triple Diffused Planar Silicon
на замовлення 10142 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+97.27 грн
10+59.54 грн
100+34.30 грн
500+26.84 грн
1000+24.35 грн
2500+21.21 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSC5502DTM ksc5502dt-d.pdf
KSC5502DTM
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN Triple Diffused Planar Silicon
на замовлення 7986 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+102.39 грн
10+63.50 грн
100+36.57 грн
500+28.52 грн
1000+25.89 грн
2500+25.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSC5502DTM ksc5502dt-d.pdf
KSC5502DTM
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 600V 2A 87830mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+104.69 грн
12+67.72 грн
100+49.84 грн
500+38.55 грн
1000+32.61 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSC5502DTM ksc5502dt-d.pdf
KSC5502DTM
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 600V 2A 87830mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
137+104.69 грн
211+67.72 грн
286+49.84 грн
500+38.55 грн
1000+32.61 грн
Мінімальне замовлення: 137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSC5502DTM ONSM-S-A0003585425-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
KSC5502DTM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSC5502DTM - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Hochspannung, NPN, 600 V, 2 A, 50 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 11MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KSC5502DTM ONSM-S-A0003585425-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
KSC5502DTM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSC5502DTM - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Hochspannung, NPN, 600 V, 2 A, 50 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 11MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.