KSC5502DTM ON Semiconductor
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 25.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис KSC5502DTM ON Semiconductor
Description: ONSEMI - KSC5502DTM - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Hochspannung, NPN, 600 V, 2 A, 50 W, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 2A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 11MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції KSC5502DTM за ціною від 19.57 грн до 113.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
KSC5502DTM | Виробник : onsemi |
 Description: TRANS NPN 600V 2A TO-252AAPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 200mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 11MHz Supplier Device Package: TO-252AA Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 50 W |
на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
KSC5502DTM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 600V 2A 87830mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
KSC5502DTM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 600V 2A 87830mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
KSC5502DTM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 600V 2A 87830mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
KSC5502DTM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 600V 2A 87830mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
KSC5502DTM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 600V 2A 87830mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
KSC5502DTM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 600V 2A 87830mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 192500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
KSC5502DTM | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSC5502DTM - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Hochspannung, NPN, 600 V, 2 A, 50 W, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 11MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 7606 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
KSC5502DTM | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 600V 2A TO-252AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 200mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 11MHz Supplier Device Package: TO-252AA Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 50 W |
на замовлення 18256 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
KSC5502DTM | Виробник : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN Triple Diffused Planar Silicon |
на замовлення 10142 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
KSC5502DTM | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSC5502DTM - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Hochspannung, NPN, 600 V, 2 A, 50 W, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 11MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 7566 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
KSC5502DTM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 600V 2A 87830mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |