Продукція > ON SEMICONDUCTOR > KSC5502DTM
KSC5502DTM

KSC5502DTM ON Semiconductor

ksc5502dt-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 600V 2A 50000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+23.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис KSC5502DTM ON Semiconductor

Description: ONSEMI - KSC5502DTM - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Hochspannung, NPN, 600 V, 2 A, 50 W, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 2A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 11MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції KSC5502DTM за ціною від 21.69 грн до 97.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
KSC5502DTM KSC5502DTM Виробник : ON Semiconductor ksc5502dt-d.pdf Trans GP BJT NPN 600V 2A 50000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+24.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
KSC5502DTM KSC5502DTM Виробник : onsemi ksc5502dt-d.pdf Description: TRANS NPN 600V 2A TO-252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 11MHz
Supplier Device Package: TO-252AA
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 50 W
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+25.41 грн
5000+22.63 грн
7500+21.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
KSC5502DTM KSC5502DTM Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003585425-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - KSC5502DTM - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Hochspannung, NPN, 600 V, 2 A, 50 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 10656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+38.05 грн
500+28.20 грн
1000+22.85 грн
5000+22.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
KSC5502DTM KSC5502DTM Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003585425-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - KSC5502DTM - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Hochspannung, NPN, 600 V, 2 A, 50 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 10656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+78.15 грн
16+54.88 грн
100+38.05 грн
500+28.20 грн
1000+22.85 грн
5000+22.78 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
KSC5502DTM KSC5502DTM Виробник : onsemi / Fairchild KSC5502DT_D-2314419.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Triple Diffused Planar Silicon
на замовлення 6529 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+80.77 грн
10+55.84 грн
100+33.69 грн
500+26.93 грн
1000+24.72 грн
2500+23.62 грн
5000+23.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
KSC5502DTM KSC5502DTM Виробник : onsemi ksc5502dt-d.pdf Description: TRANS NPN 600V 2A TO-252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 11MHz
Supplier Device Package: TO-252AA
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 50 W
на замовлення 11631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.09 грн
10+58.62 грн
100+38.71 грн
500+28.33 грн
1000+25.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
KSC5502DTM Виробник : Aptina Imaging ksc5502dt-d.pdf Trans GP BJT NPN 600V 2A 50000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+44.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
KSC5502DTM KSC5502DTM Виробник : ON Semiconductor ksc5502dt-d.pdf Trans GP BJT NPN 600V 2A 50000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSC5502DTM KSC5502DTM Виробник : ON Semiconductor ksc5502dt-d.pdf Trans GP BJT NPN 600V 2A 50000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSC5502DTM Виробник : ONSEMI KSC5502D.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 600V; 2A; 87.83W; DPAK
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 87.83W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: DPAK
Frequency: 11MHz
Collector-emitter voltage: 600V
Current gain: 12...30
Collector current: 2A
Pulsed collector current: 4A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSC5502DTM Виробник : ONSEMI KSC5502D.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 600V; 2A; 87.83W; DPAK
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 87.83W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: DPAK
Frequency: 11MHz
Collector-emitter voltage: 600V
Current gain: 12...30
Collector current: 2A
Pulsed collector current: 4A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.