
KSC5502DTM onsemi

Description: TRANS NPN 600V 2A TO-252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 11MHz
Supplier Device Package: TO-252AA
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 50 W
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2500+ | 24.30 грн |
5000+ | 21.65 грн |
7500+ | 20.75 грн |
12500+ | 18.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис KSC5502DTM onsemi
Description: ONSEMI - KSC5502DTM - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Hochspannung, NPN, 600 V, 2 A, 50 W, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 2A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 11MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції KSC5502DTM за ціною від 22.09 грн до 109.36 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
KSC5502DTM | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
KSC5502DTM | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
KSC5502DTM | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 11MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 8606 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
KSC5502DTM | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 200mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 11MHz Supplier Device Package: TO-252AA Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 50 W |
на замовлення 20089 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
KSC5502DTM | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 6542 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
KSC5502DTM | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 11MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 8606 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
KSC5502DTM | Виробник : Aptina Imaging |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
KSC5502DTM | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
KSC5502DTM | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
KSC5502DTM | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 600V; 2A; 87.83W; DPAK Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 2A Power dissipation: 87.83W Case: DPAK Current gain: 12...30 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Pulsed collector current: 4A Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Frequency: 11MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
KSC5502DTM | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 600V; 2A; 87.83W; DPAK Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 2A Power dissipation: 87.83W Case: DPAK Current gain: 12...30 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Pulsed collector current: 4A Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Frequency: 11MHz |
товару немає в наявності |