Технічний опис KSC5603DTU ON Semiconductor
Description: ONSEMI - KSC5603DTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 800 V, 3 A, 100 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 100W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 800V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 5MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції KSC5603DTU за ціною від 41.94 грн до 144.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
KSC5603DTU | onsemi |
Description: TRANS NPN 800V 3A TO-220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 200µA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 400mA, 3V Frequency - Transition: 5MHz Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V Power - Max: 100 W |
на замовлення 1561 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
KSC5603DTU | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT NPN Sil Planar Sil |
на замовлення 227 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
KSC5603DTU | onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN Sil Planar Sil |
на замовлення 1425 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
KSC5603DTU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSC5603DTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 800 V, 3 A, 100 W, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 100W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 800V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 5MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 48 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| KSC5603DTU | FSC |
DO-214 |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| KSC5603DTU |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 800V 3A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 200µA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 400mA, 3V
Frequency - Transition: 5MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V
Power - Max: 100 W
Description: TRANS NPN 800V 3A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 200µA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 400mA, 3V
Frequency - Transition: 5MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V
Power - Max: 100 W
на замовлення 1561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 144.91 грн |
| 50+ | 67.99 грн |
| 100+ | 60.97 грн |
| 500+ | 45.66 грн |
| 1000+ | 41.94 грн |
| KSC5603DTU |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN Sil Planar Sil
Bipolar Transistors - BJT NPN Sil Planar Sil
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| KSC5603DTU |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Sil Planar Sil
Bipolar Transistors - BJT NPN Sil Planar Sil
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| KSC5603DTU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSC5603DTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 800 V, 3 A, 100 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 800V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 5MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - KSC5603DTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 800 V, 3 A, 100 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 800V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 5MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| KSC5603DTU |
![]() |
Виробник: FSC
DO-214
DO-214
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)





