KSC5603DTU onsemi / Fairchild
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 106.25 грн |
| 10+ | 102.39 грн |
| 50+ | 48.19 грн |
| 100+ | 43.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис KSC5603DTU onsemi / Fairchild
Description: ONSEMI - KSC5603DTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 800 V, 3 A, 100 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 800V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 5MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції KSC5603DTU за ціною від 40.64 грн до 151.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
KSC5603DTU | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 800V 3A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
KSC5603DTU | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSC5603DTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 800 V, 3 A, 100 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 800V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 5MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 708 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
KSC5603DTU | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 800V 3A TO-220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 200µA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 400mA, 3V Frequency - Transition: 5MHz Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V Power - Max: 100 W |
на замовлення 1561 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
KSC5603DTU | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT NPN Sil Planar Sil |
на замовлення 770 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| KSC5603DTU | Виробник : FSC |
DO-214 |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
|
|
KSC5603DTU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 800V 3A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| KSC5603DTU | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 800V; 3A; 100W; TO220AB Mounting: THT Case: TO220AB Type of transistor: NPN Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Polarisation: bipolar Collector current: 3A Power dissipation: 100W Pulsed collector current: 6A Collector-emitter voltage: 800V Current gain: 20...35 Frequency: 5MHz |
товару немає в наявності |