Продукція > ON SEMICONDUCTOR > KSD1616AGBU
KSD1616AGBU

KSD1616AGBU ON Semiconductor

ksd1616a-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 37961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3139+11.24 грн
10000+10.02 грн
Мінімальне замовлення: 3139 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис KSD1616AGBU ON Semiconductor

Description: ONSEMI - KSD1616AGBU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 750 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung: 750mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-226AA, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 160MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції KSD1616AGBU за ціною від 6.29 грн до 44.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
KSD1616AGBU KSD1616AGBU ON Semiconductor ksd1616a-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 34195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3139+11.24 грн
10000+10.02 грн
Мінімальне замовлення: 3139 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616AGBU KSD1616AGBU ON Semiconductor ksd1616a-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 2538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
853+16.56 грн
1127+12.52 грн
1294+10.91 грн
2000+10.41 грн
Мінімальне замовлення: 853 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616AGBU KSD1616AGBU ON Semiconductor ksd1616a-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
788+17.92 грн
2500+8.47 грн
5000+8.39 грн
7500+8.02 грн
Мінімальне замовлення: 788 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616AGBU KSD1616AGBU ONSEMI KSD1616A.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 0.75W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.75W
Case: TO92
Current gain: 200...400
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 160MHz
Pulsed collector current: 2A
на замовлення 6509 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+33.34 грн
18+24.27 грн
21+20.75 грн
100+11.97 грн
500+8.79 грн
1000+7.87 грн
2000+7.61 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616AGBU KSD1616AGBU onsemi ksd1616a-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 1A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 750 mW
на замовлення 20518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.76 грн
14+21.99 грн
100+13.99 грн
500+9.88 грн
1000+8.83 грн
2000+7.94 грн
5000+6.87 грн
10000+6.29 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616AGBU KSD1616AGBU ON Semiconductor ksd1616a-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 2538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+44.22 грн
27+28.13 грн
100+16.56 грн
500+12.07 грн
1000+9.74 грн
2000+9.26 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616AGBU KSD1616AGBU ON Semiconductor ksd1616a-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616AGBU KSD1616AGBU onsemi ksd1616a-d.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
на замовлення 13906 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616AGBU KSD1616AGBU ONSEMI ksd1616a-d.pdf Description: ONSEMI - KSD1616AGBU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 750 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 750mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-226AA
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 11263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616AGBU ksd1616a-d.pdf
KSD1616AGBU
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 34195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3139+11.24 грн
10000+10.02 грн
Мінімальне замовлення: 3139 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616AGBU ksd1616a-d.pdf
KSD1616AGBU
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 2538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
853+16.56 грн
1127+12.52 грн
1294+10.91 грн
2000+10.41 грн
Мінімальне замовлення: 853 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616AGBU ksd1616a-d.pdf
KSD1616AGBU
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
788+17.92 грн
2500+8.47 грн
5000+8.39 грн
7500+8.02 грн
Мінімальне замовлення: 788 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616AGBU KSD1616A.pdf
KSD1616AGBU
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 0.75W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.75W
Case: TO92
Current gain: 200...400
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 160MHz
Pulsed collector current: 2A
на замовлення 6509 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+33.34 грн
18+24.27 грн
21+20.75 грн
100+11.97 грн
500+8.79 грн
1000+7.87 грн
2000+7.61 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616AGBU ksd1616a-d.pdf
KSD1616AGBU
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 1A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 750 mW
на замовлення 20518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+36.76 грн
14+21.99 грн
100+13.99 грн
500+9.88 грн
1000+8.83 грн
2000+7.94 грн
5000+6.87 грн
10000+6.29 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616AGBU ksd1616a-d.pdf
KSD1616AGBU
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 2538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+44.22 грн
27+28.13 грн
100+16.56 грн
500+12.07 грн
1000+9.74 грн
2000+9.26 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616AGBU ksd1616a-d.pdf
KSD1616AGBU
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616AGBU ksd1616a-d.pdf
KSD1616AGBU
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
на замовлення 13906 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616AGBU ksd1616a-d.pdf
KSD1616AGBU
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSD1616AGBU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 750 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 750mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-226AA
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 11263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.