KSD1616AGBU ON Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1224+ | 11.38 грн |
| 2078+ | 6.70 грн |
| 2655+ | 5.24 грн |
| 3049+ | 4.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис KSD1616AGBU ON Semiconductor
Description: ONSEMI - KSD1616AGBU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 750 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 750mW, Bauform - Transistor: TO-226AA, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 160MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції KSD1616AGBU за ціною від 6.08 грн до 43.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
KSD1616AGBU | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
KSD1616AGBU | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 0.75W; TO92 Mounting: THT Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.75W Collector current: 1A Pulsed collector current: 2A Collector-emitter voltage: 60V Current gain: 200...400 Frequency: 160MHz Kind of package: bulk Polarisation: bipolar Case: TO92 |
на замовлення 6519 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
KSD1616AGBU | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 1A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 160MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 750 mW |
на замовлення 20959 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
KSD1616AGBU | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil |
на замовлення 13423 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
KSD1616AGBU | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSD1616AGBU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 750 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 750mW Bauform - Transistor: TO-226AA Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 160MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 11263 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
KSD1616AGBU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 3548 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
KSD1616AGBU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
|
KSD1616AGBU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Bag |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
| KSD1616AGBU | Виробник : ONS/FAI |
TO-92, NPN, Uce=60V, Ic=1.0A, hFE=135...600, -40...+150 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |