Продукція > ON SEMICONDUCTOR > KSD1616AGBU
KSD1616AGBU

KSD1616AGBU ON Semiconductor

ksd1616a-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 5548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1636+7.80 грн
Мінімальне замовлення: 1636
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис KSD1616AGBU ON Semiconductor

Description: ONSEMI - KSD1616AGBU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 750 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 750mW, Bauform - Transistor: TO-226AA, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 160MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції KSD1616AGBU за ціною від 4.59 грн до 40.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
KSD1616AGBU KSD1616AGBU Виробник : ON Semiconductor ksd1616a-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 5548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
88+8.36 грн
138+5.31 грн
159+4.59 грн
Мінімальне замовлення: 88
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616AGBU KSD1616AGBU Виробник : ON Semiconductor ksd1616a-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 34195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3139+10.17 грн
10000+9.06 грн
Мінімальне замовлення: 3139
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616AGBU KSD1616AGBU Виробник : ON Semiconductor ksd1616a-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 37961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3139+10.17 грн
10000+9.06 грн
Мінімальне замовлення: 3139
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616AGBU KSD1616AGBU Виробник : ONSEMI KSD1616A.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 0.75W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.75W
Case: TO92
Current gain: 200...400
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 160MHz
Pulsed collector current: 2A
на замовлення 6557 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+31.79 грн
18+22.96 грн
22+18.78 грн
100+8.53 грн
1000+7.46 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616AGBU KSD1616AGBU Виробник : onsemi KSD1616A-D.PDF Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
на замовлення 7825 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+37.11 грн
16+23.27 грн
100+11.89 грн
500+9.60 грн
1000+8.50 грн
2500+8.11 грн
5000+7.01 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616AGBU KSD1616AGBU Виробник : ONSEMI KSD1616A.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 0.75W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.75W
Case: TO92
Current gain: 200...400
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 160MHz
Pulsed collector current: 2A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6557 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.15 грн
11+28.61 грн
14+22.54 грн
100+10.23 грн
1000+8.96 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616AGBU KSD1616AGBU Виробник : onsemi ksd1616a-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 1A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 750 mW
на замовлення 21511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.17 грн
15+23.13 грн
100+14.74 грн
500+10.40 грн
1000+9.30 грн
2000+8.37 грн
5000+7.24 грн
10000+6.62 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616AGBU KSD1616AGBU Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013296914-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - KSD1616AGBU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 750 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 11577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+40.62 грн
35+25.61 грн
100+14.22 грн
500+10.58 грн
1000+8.78 грн
5000+7.54 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616AGBU KSD1616AGBU Виробник : ON Semiconductor ksd1616a-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616AGBU KSD1616AGBU Виробник : ON Semiconductor ksd1616a-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1616AGBU KSD1616AGBU Виробник : ON Semiconductor ksd1616a-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.