KSD1616AGBU ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 963+ | 14.66 грн |
| 2500+ | 13.44 грн |
| 5000+ | 12.73 грн |
| 7500+ | 11.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис KSD1616AGBU ON Semiconductor
Description: ONSEMI - KSD1616AGBU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 750 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung: 750mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-226AA, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 160MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції KSD1616AGBU за ціною від 6.27 грн до 44.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
KSD1616AGBU | ONSEMI |
 Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 0.75W; TO92 Case: TO92 Frequency: 160MHz Collector current: 1A Mounting: THT Collector-emitter voltage: 60V Power dissipation: 0.75W Polarisation: bipolar Pulsed collector current: 2A Type of transistor: NPN Current gain: 200...400 Kind of package: bulk |
на замовлення 3407 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
KSD1616AGBU | onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 1A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 160MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 750 mW |
на замовлення 20428 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
KSD1616AGBU | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 538 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
KSD1616AGBU | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 538 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
KSD1616AGBU | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil |
на замовлення 12695 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
KSD1616AGBU | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
 |
KSD1616AGBU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSD1616AGBU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 750 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 750mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-226AA Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 160MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 11263 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
| KSD1616AGBU |
|
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 0.75W; TO92
Case: TO92
Frequency: 160MHz
Collector current: 1A
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 60V
Power dissipation: 0.75W
Polarisation: bipolar
Pulsed collector current: 2A
Type of transistor: NPN
Current gain: 200...400
Kind of package: bulk
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 0.75W; TO92
Case: TO92
Frequency: 160MHz
Collector current: 1A
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 60V
Power dissipation: 0.75W
Polarisation: bipolar
Pulsed collector current: 2A
Type of transistor: NPN
Current gain: 200...400
Kind of package: bulk
на замовлення 3407 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 33.34 грн |
| 18+ | 24.27 грн |
| 21+ | 20.75 грн |
| 100+ | 11.97 грн |
| 500+ | 8.79 грн |
| 1000+ | 7.87 грн |
| 2000+ | 7.61 грн |
| KSD1616AGBU |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 1A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 750 mW
Description: TRANS NPN 60V 1A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 750 mW
на замовлення 20428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 36.76 грн |
| 14+ | 21.92 грн |
| 100+ | 13.96 грн |
| 500+ | 9.85 грн |
| 1000+ | 8.80 грн |
| 2000+ | 7.92 грн |
| 5000+ | 6.85 грн |
| 10000+ | 6.27 грн |
| KSD1616AGBU |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Bag
Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 18+ | 44.22 грн |
| 27+ | 28.13 грн |
| 100+ | 16.56 грн |
| 500+ | 12.07 грн |
| KSD1616AGBU |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Bag
Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 320+ | 44.22 грн |
| KSD1616AGBU |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
на замовлення 12695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| KSD1616AGBU |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Bag
Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| KSD1616AGBU |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSD1616AGBU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 750 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 750mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-226AA
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - KSD1616AGBU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 750 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 750mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-226AA
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 11263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)