KSD1616AGBU ON Semiconductor
на замовлення 6421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 855+ | 13.66 грн |
| 1537+ | 7.59 грн |
| 1651+ | 7.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис KSD1616AGBU ON Semiconductor
Description: ONSEMI - KSD1616AGBU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 750 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 750mW, Bauform - Transistor: TO-226AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 160MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції KSD1616AGBU за ціною від 5.47 грн до 27.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
KSD1616AGBU | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 6421 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
KSD1616AGBU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
,TO-226_straightlead.jpg "KSD1616AGBU") |
KSD1616AGBU | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 1A TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 160MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 750 mW |
на замовлення 38377 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
KSD1616AGBU | Виробник : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil |
на замовлення 3373 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
KSD1616AGBU | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSD1616AGBU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 750 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 750mW Bauform - Transistor: TO-226AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 160MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 17067 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
KSD1616AGBU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Bag |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
 |
KSD1616AGBU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Bag |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
KSD1616AGBU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Bag |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
| KSD1616AGBU | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 0.75W; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 1A Power dissipation: 0.75W Case: TO92 Pulsed collector current: 2A Current gain: 200...400 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 160MHz |
товар відсутній |