
MASMLJ16Ae3 MICROCHIP TECHNOLOGY

Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 3kW; 17.8V; 115.4A; unidirectional; ±5%; DO214AB
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 3kW
Max. off-state voltage: 16V
Breakdown voltage: 17.8V
Max. forward impulse current: 115.4A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: DO214AB
Mounting: SMD
Leakage current: 2µA
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 323.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MASMLJ16Ae3 MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes, Description: Diode: TVS; 3kW; 17.8V; 115.4A; unidirectional; ±5%; DO214AB, Type of diode: TVS, Peak pulse power dissipation: 3kW, Max. off-state voltage: 16V, Breakdown voltage: 17.8V, Max. forward impulse current: 115.4A, Semiconductor structure: unidirectional, Tolerance: ±5%, Case: DO214AB, Mounting: SMD, Leakage current: 2µA, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції MASMLJ16Ae3 за ціною від 388.75 грн до 388.75 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MASMLJ16Ae3 | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Diode: TVS; 3kW; 17.8V; 115.4A; unidirectional; ±5%; DO214AB Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 3kW Max. off-state voltage: 16V Breakdown voltage: 17.8V Max. forward impulse current: 115.4A Semiconductor structure: unidirectional Tolerance: ±5% Case: DO214AB Mounting: SMD Leakage current: 2µA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||
![]() |
MASMLJ16Ae3 | Виробник : Microsemi Corporation |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
MASMLJ16Ae3 | Виробник : Microchip / Microsemi |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
MASMLJ16Ae3 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |