Продукція > MICROCHIP (MICROSEMI) > MASMLJ16Ae3

MASMLJ16Ae3 MICROCHIP (MICROSEMI)

Name: MASMLJ16Ae3
Brand: MICROCHIP (MICROSEMI)
SKU: 5730652-8
Price: 389 UAH
Availability: InStock

Виробник: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: Unidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 3kW; 17.8V; 115.4A; unidirectional; ±5%; DO214AB
Mounting: SMD
Case: DO214AB
Breakdown voltage: 17.8V
Leakage current: 2µA
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 3kW
Tolerance: ±5%
Max. off-state voltage: 16V
Semiconductor structure: unidirectional
Max. forward impulse current: 115.4A

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
1+	492.45 грн
2+	426.69 грн
3+	422.43 грн
6+	403.94 грн
10+	389 грн

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис MASMLJ16Ae3 MICROCHIP (MICROSEMI)

Category: Unidirectional SMD transil diodes, Description: Diode: TVS; 3kW; 17.8V; 115.4A; unidirectional; ±5%; DO214AB, Mounting: SMD, Case: DO214AB, Breakdown voltage: 17.8V, Leakage current: 2µA, Type of diode: TVS, Peak pulse power dissipation: 3kW, Tolerance: ±5%, Max. off-state voltage: 16V, Semiconductor structure: unidirectional, Max. forward impulse current: 115.4A, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції MASMLJ16Ae3 за ціною від 466.8 грн до 590.94 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

MASMLJ16Ae3

Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI)

Category: Unidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 3kW; 17.8V; 115.4A; unidirectional; ±5%; DO214AB
Mounting: SMD
Case: DO214AB
Breakdown voltage: 17.8V
Leakage current: 2µA
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 3kW
Tolerance: ±5%
Max. off-state voltage: 16V
Semiconductor structure: unidirectional
Max. forward impulse current: 115.4A
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 10 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)