MBR20035CTR DACO Semiconductor
Виробник: DACO Semiconductor
Description: DIODE MODULE SCHOTTKY 35V 100A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky, Reverse Polarity
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 35 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MBR20035CTR DACO Semiconductor
Description: DIODE MODULE SCHOTTKY 35V 100A, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Reverse Polarity, Diode Configuration: 1 Pair Common Anode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 100 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 35 V.
Інші пропозиції MBR20035CTR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| MBR20035CTR | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: DIODE MOD SCHOTT 35V 200A 2TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Twin Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC) Supplier Device Package: Twin Tower Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 20 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | |
 |
MBR20035CTR | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 35V 200A Schottky Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. |
| MBR20035CTR |
|
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE MOD SCHOTT 35V 200A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 20 V
Description: DIODE MOD SCHOTT 35V 200A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 20 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MBR20035CTR |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 35V 200A Schottky Recovery
Diode Modules 35V 200A Schottky Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.