
MBR20045CT GeneSiC Semiconductor
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 7713.50 грн |
10+ | 6640.52 грн |
25+ | 5472.00 грн |
40+ | 5460.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MBR20045CT GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 45V 200A 2TOWER, Packaging: Bulk, Package / Case: Twin Tower, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC), Supplier Device Package: Twin Tower, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 100 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 20 V.
Інші пропозиції MBR20045CT за ціною від 8953.72 грн до 10936.33 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MBR20045CT | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
MBR20045CT | Виробник : HITACHI |
![]() |
на замовлення 192 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
MBR20045CT | Виробник : MOTOROLA |
![]() |
на замовлення 19 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
![]() |
MBR20045CT | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
MBR20045CT | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
MBR20045CT | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: Twin Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC) Supplier Device Package: Twin Tower Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 20 V |
товару немає в наявності |