MBR20060CT DACO Semiconductor
Виробник: DACO SemiconductorDescription: DIODE MODULE SCHOTTKY 60V 100A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 60 V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 5332.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MBR20060CT DACO Semiconductor
Description: DIODE MODULE SCHOTTKY 60V 100A, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 60 V.
Інші пропозиції MBR20060CT за ціною від 5301.69 грн до 7490.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MBR20060CT | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 60V 200A Schottky Recovery |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
| MBR20060CT | Виробник : MOTOROLA |
|
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
 |
MBR20060CT | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky 60V 200A 3-Pin Twin Tower |
товару немає в наявності |
|||||||||
| MBR20060CT | Виробник : Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: DIODE MOD SCHOTT 60V 200A 2TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Twin Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC) Supplier Device Package: Twin Tower Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 20 V |
товару немає в наявності |