MBR400100CT Navitas Semiconductor, Inc.
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.Description: DIODE MOD SCHOT 100V 200A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 20 V
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 6774.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MBR400100CT Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE MOD SCHOT 100V 200A 2TOWER, Packaging: Bulk, Package / Case: Twin Tower, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A, Supplier Device Package: Twin Tower, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 200 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 20 V.
Інші пропозиції MBR400100CT
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| MBR400100CT | Виробник : HITACHI |
MODULE |
на замовлення 320 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
MBR400100CT | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 100V 400A 3-Pin Twin Tower |
товару немає в наявності |
|
 |
MBR400100CT | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 400A100P/70 |
товару немає в наявності |