MBR400100CT DACO Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 7814.66 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MBR400100CT DACO Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOT 100V 200A 2TOWER, Packaging: Bulk, Package / Case: Twin Tower, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A, Supplier Device Package: Twin Tower, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 200 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 20 V.
Інші пропозиції MBR400100CT за ціною від 8038.20 грн до 8404.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MBR400100CT | Navitas Semiconductor, Inc. |
 Description: DIODE MOD SCHOT 100V 200A 2TOWERPackaging: Bulk Package / Case: Twin Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A Supplier Device Package: Twin Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 200 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 20 V |
на замовлення 33 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
 |
MBR400100CT | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 400A100P/70 |
на замовлення 38 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| MBR400100CT |
|
Виробник: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE MOD SCHOT 100V 200A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 20 V
Description: DIODE MOD SCHOT 100V 200A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 20 V
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 8038.20 грн |
| MBR400100CT |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 400A100P/70
Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 400A100P/70
на замовлення 38 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 8404.48 грн |