Продукція > Мікросхеми > Драйвери транзисторів > MC33152DR2G ON
MC33152DR2G

MC33152DR2G ON

ddewd4.pdf
Код товару: 34999
1 Додати до обраних Обраний товар

Виробник: ON
Корпус: SO-8
Напруга живлення Uc, В: 20 В
Вихідний струм Io ±, А: 1,5 А
Вихідна напруга Vout, В: 1,8-10,8 В
Час вмик./вимк. Ton/Toff, ns: 120/120 ns
Примітка: Драйвер напівмоста
Робоча температура, °С: -40…+85°С
Конфігурація: Напівміст
у наявності: 117 шт
  • 77 шт - склад
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 14 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 10 шт
  • 10 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+32.00 грн
10+29.70 грн
100+28.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції MC33152DR2G за ціною від 37.97 грн до 85.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MC33152DR2G MC33152DR2G onsemi mc34152-d.pdf Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 6.1V ~ 18V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 36ns, 32ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.6V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 1.5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.38 грн
5000+37.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC33152DR2G MC33152DR2G On Semiconductor MC34152-D.pdf Мікросхеми драйверів MOSFET/IGBT
на замовлення 173 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
17+45.99 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC33152DR2G MC33152DR2G ON Semiconductor mc34152-d.pdf Driver 1.5A 2-OUT High Speed Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+59.03 грн
25+58.10 грн
100+55.13 грн
250+50.22 грн
500+47.42 грн
1000+46.63 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC33152DR2G MC33152DR2G ON Semiconductor mc34152-d.pdf Driver 1.5A 2-OUT High Speed Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+59.03 грн
243+58.10 грн
247+57.17 грн
251+54.24 грн
500+49.40 грн
1000+46.63 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC33152DR2G MC33152DR2G ON-Semiconductor info-uimc33152d.pdf Driver 1.5A 2-OUT High Speed Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube MC33152DR2G MC33152DG UIMC33152d
кількість в упаковці: 14 шт
на замовлення 65 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
14+63.61 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC33152DR2G MC33152DR2G ONSEMI MC33152_MC34152.PDF Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET gate driver; SO8; -1.5÷1.5A; 0.8÷11.2V; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: MOSFET gate driver
Case: SO8
Output current: -1.5...1.5A
Output voltage: 0.8...11.2V
Number of channels: 2
Supply voltage: 6.1...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Impulse rise time: 30ns
Pulse fall time: 30ns
Kind of package: reel; tape
Kind of output: non-inverting
Protection: undervoltage UVP
на замовлення 514 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+78.40 грн
10+54.18 грн
25+53.33 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC33152DR2G MC33152DR2G ON Semiconductor mc34152-d.pdf Driver 1.5A 2-OUT High Speed Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
417+84.62 грн
500+76.16 грн
1000+70.23 грн
10000+60.37 грн
Мінімальне замовлення: 417 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC33152DR2G MC33152DR2G ON Semiconductor mc34152-d.pdf Driver 1.5A 2-OUT High Speed Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 15095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
417+84.62 грн
500+76.16 грн
1000+70.23 грн
10000+60.37 грн
Мінімальне замовлення: 417 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC33152DR2G MC33152DR2G onsemi mc34152-d.pdf Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 6.1V ~ 18V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 36ns, 32ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.6V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 1.5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 10395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.45 грн
10+59.81 грн
25+54.12 грн
100+44.91 грн
250+42.12 грн
500+40.43 грн
1000+39.04 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC33152DR2G MC33152DR2G onsemi mc34152-d.pdf Gate Drivers 1.5A High Speed Dual Non-Inverting MOSFET
на замовлення 19166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MC33152DR2G MC33152DR2G ONSEMI 1904616.pdf Description: ONSEMI - MC33152DR2G - MOSFET-Treiber, 6.1V-18V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1.5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.5A
Versorgungsspannung, min.: 6.1V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: 55ns
Ausgabeverzögerung: 40ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 1815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MC33152DR2G MC33152DR2G ONSEMI 1904616.pdf Description: ONSEMI - MC33152DR2G - MOSFET-Treiber, 6.1V-18V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1.5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.5A
Versorgungsspannung, min.: 6.1V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: 55ns
Ausgabeverzögerung: 40ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 1815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC33152DR2G mc34152-d.pdf MC33152DR2G Микросхемы Power Supplies & Battery Management Mosfet Drivers
на замовлення 1011 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MC33152DR2G mc34152-d.pdf
MC33152DR2G
Виробник: onsemi
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 6.1V ~ 18V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 36ns, 32ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.6V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 1.5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+40.38 грн
5000+37.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC33152DR2G MC34152-D.pdf
MC33152DR2G
Виробник: On Semiconductor
Мікросхеми драйверів MOSFET/IGBT
на замовлення 173 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+45.99 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC33152DR2G mc34152-d.pdf
MC33152DR2G
Виробник: ON Semiconductor
Driver 1.5A 2-OUT High Speed Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+59.03 грн
25+58.10 грн
100+55.13 грн
250+50.22 грн
500+47.42 грн
1000+46.63 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC33152DR2G mc34152-d.pdf
MC33152DR2G
Виробник: ON Semiconductor
Driver 1.5A 2-OUT High Speed Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
240+59.03 грн
243+58.10 грн
247+57.17 грн
251+54.24 грн
500+49.40 грн
1000+46.63 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC33152DR2G info-uimc33152d.pdf
MC33152DR2G
Виробник: ON-Semiconductor
Driver 1.5A 2-OUT High Speed Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube MC33152DR2G MC33152DG UIMC33152d
кількість в упаковці: 14 шт
на замовлення 65 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+63.61 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC33152DR2G MC33152_MC34152.PDF
MC33152DR2G
Виробник: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET gate driver; SO8; -1.5÷1.5A; 0.8÷11.2V; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: MOSFET gate driver
Case: SO8
Output current: -1.5...1.5A
Output voltage: 0.8...11.2V
Number of channels: 2
Supply voltage: 6.1...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Impulse rise time: 30ns
Pulse fall time: 30ns
Kind of package: reel; tape
Kind of output: non-inverting
Protection: undervoltage UVP
на замовлення 514 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+78.40 грн
10+54.18 грн
25+53.33 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC33152DR2G mc34152-d.pdf
MC33152DR2G
Виробник: ON Semiconductor
Driver 1.5A 2-OUT High Speed Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
417+84.62 грн
500+76.16 грн
1000+70.23 грн
10000+60.37 грн
Мінімальне замовлення: 417 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC33152DR2G mc34152-d.pdf
MC33152DR2G
Виробник: ON Semiconductor
Driver 1.5A 2-OUT High Speed Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 15095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
417+84.62 грн
500+76.16 грн
1000+70.23 грн
10000+60.37 грн
Мінімальне замовлення: 417 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC33152DR2G mc34152-d.pdf
MC33152DR2G
Виробник: onsemi
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 6.1V ~ 18V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 36ns, 32ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.6V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 1.5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 10395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+85.45 грн
10+59.81 грн
25+54.12 грн
100+44.91 грн
250+42.12 грн
500+40.43 грн
1000+39.04 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC33152DR2G mc34152-d.pdf
MC33152DR2G
Виробник: onsemi
Gate Drivers 1.5A High Speed Dual Non-Inverting MOSFET
на замовлення 19166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MC33152DR2G 1904616.pdf
MC33152DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC33152DR2G - MOSFET-Treiber, 6.1V-18V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1.5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.5A
Versorgungsspannung, min.: 6.1V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: 55ns
Ausgabeverzögerung: 40ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 1815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MC33152DR2G 1904616.pdf
MC33152DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC33152DR2G - MOSFET-Treiber, 6.1V-18V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1.5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.5A
Versorgungsspannung, min.: 6.1V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: 55ns
Ausgabeverzögerung: 40ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 1815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC33152DR2G mc34152-d.pdf
MC33152DR2G Микросхемы Power Supplies & Battery Management Mosfet Drivers
на замовлення 1011 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

IRF3205PBF
Код товару: 25094
18 Додати до обраних Обраний товар
irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a
IRF3205PBF
Виробник: IR/Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 110 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0065 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності: 3819 шт
  • 3786 шт - склад
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 26 шт - РАДІОМАГ-Львів
КількістьЦіна без ПДВ
1+30.00 грн
10+29.00 грн
100+28.00 грн
1000+27.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
220uF 35V ECR 8x14mm (ECR221M35BA-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 2941
2 Додати до обраних Обраний товар
ECR_081225.pdf
220uF 35V ECR 8x14mm (ECR221M35BA-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 220 мкФ
Номін. напруга: 35 В
Серія: ECR
Тип: загального призначення, підходять для автоматичної установки, мініатюрні, 85°C
Темп. діапазон: -40...+85°С
Габарити: 8x14 мм
Строк служби: 2000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
у наявності: 41 шт
  • 41 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 20000 шт
  • 20000 шт - очікується 15.12.2026
на замовлення: 80 шт
  • 80 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+2.50 грн
10+2.10 грн
100+1.80 грн
1000+1.50 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
330uF 35V ECR 10x13mm (ECR331M35B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 2933
1 Додати до обраних Обраний товар
ECR_081225.pdf
330uF 35V ECR 10x13mm (ECR331M35B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 330 мкФ
Номін. напруга: 35 В
Серія: ECR
Тип: загального призначення, підходять для автоматичної установки, мініатюрні, 85°C
Темп. діапазон: -40...+85°С
Габарити: 10x13 мм
Строк служби: 2000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
у наявності: 359 шт
  • 98 шт - склад
  • 99 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 113 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 49 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 2100 шт
  • 2000 шт - очікується 01.11.2026
  • 100 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
7+3.00 грн
10+2.60 грн
100+2.20 грн
1000+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LL4148
Код товару: 2413
4 Додати до обраних Обраний товар
LL4148-D.PDF
LL4148
Виробник: SEMTECH
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: SOD-80
Uзвор., В: 100 В
Iвипр., А: 0,2 А
Опис: 4 ns
Монтаж: SMD
у наявності: 7855 шт
  • 1668 шт - склад
  • 1297 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 4890 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 1000 шт
  • 1000 шт - очікується
на замовлення: 1957 шт
  • 1957 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+1.00 грн
40+0.50 грн
100+0.40 грн
1000+0.30 грн
10000+0.20 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856B
Код товару: 2029
Додати до обраних Обраний товар
BC856,857.pdf
BC856B
Виробник: Infineon
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-23
Гранична частота fT, МГц: 100 МГц
Напруга Uке, В: 65 В
Напруга Uкб, В: 80 В
Струм Iк, А: 0,1 А
Коефіцієнт підсилення h21, max: 475
УКТЗЕД: 8541 21 00 90
у наявності: 1696 шт
  • 1423 шт - склад
  • 98 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 82 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 64 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 29 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
14+1.50 грн
20+1.00 грн
100+0.80 грн
1000+0.60 грн
10000+0.50 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.