MDS1100 Microsemi Corporation
Виробник: Microsemi CorporationDescription: RF TRANS NPN 65V 1.03GHZ 55TU-1
Packaging: Bulk
Package / Case: 55TU-1
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Gain: 8.9dB
Power - Max: 8750W
Current - Collector (Ic) (Max): 100A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 1.03GHz
Supplier Device Package: 55TU-1
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MDS1100 Microsemi Corporation
Description: RF TRANS NPN 65V 1.03GHZ 55TU-1, Packaging: Bulk, Package / Case: 55TU-1, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 200°C (TJ), Gain: 8.9dB, Power - Max: 8750W, Current - Collector (Ic) (Max): 100A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5A, 5V, Frequency - Transition: 1.03GHz, Supplier Device Package: 55TU-1, Part Status: Obsolete.
Інші пропозиції MDS1100
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| MDS1100 | Виробник : Microchip Technology |
RF Bipolar Transistors Bipolar/LDMOS Transistor |
товару немає в наявності |