MDS60L Microsemi Corporation
Виробник: Microsemi Corporation
Description: RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ 55AW
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 55AW
Frequency - Transition: 1.03GHz ~ 1.09GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Current - Collector (Ic) (Max): 4A
Power - Max: 120W
Gain: 10dB
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: 55AW
Packaging: Bulk
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MDS60L Microsemi Corporation
Description: RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ 55AW, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: 55AW, Frequency - Transition: 1.03GHz ~ 1.09GHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V, Current - Collector (Ic) (Max): 4A, Power - Max: 120W, Gain: 10dB, Operating Temperature: 200°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: 55AW, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції MDS60L
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| MDS60L | Microchip / Microsemi |
RF Bipolar Transistors Bipolar/LDMOS Transistor |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| MDS60L |
|
Виробник: Microchip / Microsemi
RF Bipolar Transistors Bipolar/LDMOS Transistor
RF Bipolar Transistors Bipolar/LDMOS Transistor
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику
од. на суму грн.