Технічний опис MDS800
Description: RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ 55ST-1, Packaging: Bulk, Package / Case: 55ST-1, Mounting Type: Chassis Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 200°C (TJ), Gain: 8.6dB, Power - Max: 1458W, Current - Collector (Ic) (Max): 60A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 5V, Frequency - Transition: 1.09GHz, Supplier Device Package: 55ST-1.
Інші пропозиції MDS800
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| MDS800 | Microchip Technology |
RF Bipolar Transistors Bipolar/LDMOS Transistor |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| MDS800 |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
RF Bipolar Transistors Bipolar/LDMOS Transistor
RF Bipolar Transistors Bipolar/LDMOS Transistor
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)


