MDS800 Microchip Technology
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 51078.81 грн |
| 5+ | 49590.37 грн |
| 10+ | 42795.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MDS800 Microchip Technology
Description: RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ 55ST-1, Packaging: Bulk, Package / Case: 55ST-1, Mounting Type: Chassis Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 200°C (TJ), Gain: 8.6dB, Power - Max: 1458W, Current - Collector (Ic) (Max): 60A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 5V, Frequency - Transition: 1.09GHz, Supplier Device Package: 55ST-1.
Інші пропозиції MDS800
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| MDS800 |
 |
на замовлення 15 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
| MDS800 | Виробник : Microsemi |
Trans RF BJT NPN 65V 60A 3-Pin Case 55ST-1 |
товару немає в наявності |
||
| MDS800 | Виробник : Microsemi Corporation |
Description: RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ 55ST-1 Packaging: Bulk Package / Case: 55ST-1 Mounting Type: Chassis Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 200°C (TJ) Gain: 8.6dB Power - Max: 1458W Current - Collector (Ic) (Max): 60A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 1.09GHz Supplier Device Package: 55ST-1 |
товару немає в наявності |