Технічний опис MG800J2YS50A TOS
Description: IGBT MOD 600V 800A 2900W, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Half Bridge, Operating Temperature: -20°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 800A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, Current - Collector (Ic) (Max): 800 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Power - Max: 2900 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 93 nF @ 10 V.
Інші пропозиції MG800J2YS50A
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
MG800J2YS50A | Виробник : TOSHIBA |
![]() |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
MG800J2YS50A | Виробник : TOSHIBA |
![]() |
на замовлення 60 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
MG800J2YS50A | Виробник : TOS MODULE |
![]() |
на замовлення 36 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
MG800J2YS50A | Виробник : Powerex Inc. |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -20°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 800A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module Current - Collector (Ic) (Max): 800 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 2900 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 93 nF @ 10 V |
товару немає в наявності |