MIC94050YM4-TR Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: MOSFET P-CH 6V 1.8A SOT-143
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 568mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-143
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 5.5 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 34.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MIC94050YM4-TR Microchip Technology
Description: MICROCHIP - MIC94050YM4-TR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 6 V, 1.8 A, 0.125 ohm, SOT-143, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 6V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 568mW, Bauform - Transistor: SOT-143, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: SymFET, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції MIC94050YM4-TR за ціною від 28.95 грн до 50.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MIC94050YM4-TR | Виробник : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - MIC94050YM4-TR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 6 V, 1.8 A, 0.125 ohm, SOT-143, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 6V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 568mW Bauform - Transistor: SOT-143 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: SymFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 2352 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MIC94050YM4-TR | Виробник : Microchip Technology |
MOSFETs 1.8V-Rated Reverse-Blocking PFET |
на замовлення 3299 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MIC94050YM4-TR | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 6V 1.8A 4-Pin SOT-143 T/R |
на замовлення 1450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MIC94050YM4-TR | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 6V 1.8A 4-Pin SOT-143 T/R |
на замовлення 1450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MIC94050YM4-TR | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET P-CH 6V 1.8A SOT-143 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 568mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-143 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): 6V Drain to Source Voltage (Vdss): 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 5.5 V |
на замовлення 4642 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MIC94050YM4-TR | Виробник : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - MIC94050YM4-TR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 6 V, 1.8 A, 0.125 ohm, SOT-143, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 6V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 568mW Bauform - Transistor: SOT-143 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: SymFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 2352 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MIC94050YM4-TR | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 6V 1.8A 4-Pin SOT-143 T/R |
на замовлення 2997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| MIC94050YM4TR | Виробник : MICREL | 09+ |
на замовлення 570 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
MIC94050YM4-TR | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 6V 1.8A 4-Pin SOT-143 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
MIC94050YM4-TR | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 6V 1.8A 4-Pin SOT-143 T/R |
товару немає в наявності |