MIC94050YM4-TR Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 6V 1.8A SOT-143
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 568mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-143
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): 6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 5.5 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MIC94050YM4-TR Microchip Technology
Description: MICROCHIP - MIC94050YM4-TR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 6 V, 1.8 A, 0.125 ohm, SOT-143, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 6V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, Verlustleistung: 568mW, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOT-143, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: SymFET, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm.
Інші пропозиції MIC94050YM4-TR за ціною від 32.79 грн до 44.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MIC94050YM4-TR | Microchip Technology |
Description: MOSFET P-CH 6V 1.8A SOT-143 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 5.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 6 V Vgs (Max): 6V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Supplier Device Package: SOT-143 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 568mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 100mA, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 4642 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
MIC94050YM4-TR | MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - MIC94050YM4-TR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 6 V, 1.8 A, 0.125 ohm, SOT-143, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 6V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V Verlustleistung: 568mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-143 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: SymFET productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm |
на замовлення 1381 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
MIC94050YM4-TR | Microchip Technology |
MOSFETs 1.8V-Rated Reverse-Blocking PFET |
на замовлення 1660 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
MIC94050YM4-TR | MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - MIC94050YM4-TR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 6 V, 1.8 A, 0.125 ohm, SOT-143, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 6V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V Verlustleistung: 568mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-143 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: SymFET productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm |
на замовлення 1381 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| MIC94050YM4TR | MICREL | 09+ |
на замовлення 570 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| MIC94050YM4-TR |
|
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 6V 1.8A SOT-143
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 5.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 6 V
Vgs (Max): 6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-143
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 568mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 100mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET P-CH 6V 1.8A SOT-143
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 5.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 6 V
Vgs (Max): 6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-143
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 568mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 100mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 44.07 грн |
| 25+ | 37.05 грн |
| 100+ | 32.79 грн |
| MIC94050YM4-TR |
|
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - MIC94050YM4-TR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 6 V, 1.8 A, 0.125 ohm, SOT-143, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 6V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 568mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-143
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SymFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
Description: MICROCHIP - MIC94050YM4-TR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 6 V, 1.8 A, 0.125 ohm, SOT-143, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 6V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 568mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-143
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SymFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
на замовлення 1381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MIC94050YM4-TR |
|
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs 1.8V-Rated Reverse-Blocking PFET
MOSFETs 1.8V-Rated Reverse-Blocking PFET
на замовлення 1660 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| MIC94050YM4-TR |
|
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - MIC94050YM4-TR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 6 V, 1.8 A, 0.125 ohm, SOT-143, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 6V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 568mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-143
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SymFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
Description: MICROCHIP - MIC94050YM4-TR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 6 V, 1.8 A, 0.125 ohm, SOT-143, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 6V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 568mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-143
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SymFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
на замовлення 1381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MIC94050YM4TR |
Виробник: MICREL
09+
09+
на замовлення 570 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)