на замовлення 769 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 983.61 грн |
| 10+ | 729.56 грн |
| 100+ | 549.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJ11032G onsemi
Description: ONSEMI - MJ11032G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 120 V, 300 W, 50 A, TO-204, 2 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 400hFE, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 300W, euEccn: NLR, Bauform - HF-Transistor: TO-204, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 50A, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MJ11032G за ціною від 290.00 грн до 1256.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MJ11032G | Виробник : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - MJ11032G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 120 V, 300 W, 50 A, TO-204, 2 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 400hFE Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 300W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-204 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 50A Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 224 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
MJ11032G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN DARL 120V 50A TO204 Packaging: Tray Package / Case: TO-204AE Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 500mA, 50A Current - Collector Cutoff (Max): 2mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 25A, 5V Supplier Device Package: TO-204 (TO-3) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 300 W |
на замовлення 25603 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
MJ11032G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 120V 50A 300000mW 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray |
на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
MJ11032G (транзистор біполярний NPN) Код товару: 39271
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : ON |
Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-3 Uceo,V: 120 V Ucbo,V: 120 V Ic,A: 50 A h21: 1000-18000 Примітка: Дарлінгтон Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||
 |
MJ11032G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 120V 50A 300000mW 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
MJ11032G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 120V 50A 300000mW 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
MJ11032G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 120V 50A 300000mW 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
MJ11032G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT Darlington transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 120V; 30A; 300W; TO3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 120V Collector current: 30A Power dissipation: 300W Case: TO3 Mounting: THT Kind of package: in-tray кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
MJ11032G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT Darlington transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 120V; 30A; 300W; TO3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 120V Collector current: 30A Power dissipation: 300W Case: TO3 Mounting: THT Kind of package: in-tray |
товару немає в наявності |