
MJ11033G ON Semiconductor
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 524.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJ11033G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJ11033G - Darlington-Transistor, PNP, 120 V, 300 W, 50 A, TO-3, 2 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 18000hFE, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 300W, euEccn: NLR, Bauform - HF-Transistor: TO-3, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 50A, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MJ11033G за ціною від 514.94 грн до 1336.34 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MJ11033G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
MJ11033G | Виробник : Fairchild Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AE Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 500mA, 50A Current - Collector Cutoff (Max): 2mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 25A, 5V Supplier Device Package: TO-204 (TO-3) Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 300 W |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
MJ11033G | Виробник : onsemi |
![]() ![]() |
на замовлення 1380 шт: термін постачання 91-100 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
MJ11033G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
MJ11033G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 18000hFE Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 300W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-3 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 50A Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 167 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
MJ11033G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
MJ11033G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 120V; 50A; 300W; TO3 Case: TO3 Collector-emitter voltage: 120V Collector current: 50A Type of transistor: PNP Power dissipation: 300W Polarisation: bipolar Kind of package: in-tray Kind of transistor: Darlington Mounting: THT |
на замовлення 61 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
MJ11033G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 120V; 50A; 300W; TO3 Case: TO3 Collector-emitter voltage: 120V Collector current: 50A Type of transistor: PNP Power dissipation: 300W Polarisation: bipolar Kind of package: in-tray Kind of transistor: Darlington Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 61 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
MJ11033G | Виробник : INCHANGE SEMICONDUCTORS Co.Ltd |
![]() ![]() кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
MJ11033G | Виробник : FAIRCHILD |
![]() ![]() |
на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
MJ11033G Код товару: 142953
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() ![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||
![]() |
MJ11033G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
MJ11033G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
MJ11033G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tray Package / Case: TO-204AE Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 500mA, 50A Current - Collector Cutoff (Max): 2mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 25A, 5V Supplier Device Package: TO-204 (TO-3) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 300 W |
товару немає в наявності |