MJ15023G ON Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 71+ | 460.34 грн |
| 100+ | 437.75 грн |
| 500+ | 414.09 грн |
| 1000+ | 377.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJ15023G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJ15023G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 200 V, 16 A, 250 W, TO-3, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-3, Dauerkollektorstrom: 16A, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 4MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції MJ15023G за ціною від 54.00 грн до 689.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MJ15023G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 200V 16A 250000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
MJ15023G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 200V 16A TO204 Packaging: Tray Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A Current - Collector Cutoff (Max): 500µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 8A, 4V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-204 (TO-3) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 16 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V Power - Max: 250 W |
на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
MJ15023G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJ15023G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 200 V, 16 A, 250 W, TO-3, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-3 Dauerkollektorstrom: 16A Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 4MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 211 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 +1 |
MJ15023G Код товару: 140267
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Біполярні PNP Корпус: TO-204 fT: 4 MHz Uке, В: 200 V Uкб, В: 350 V Iк, А: 16 A |
товару немає в наявності
|
|
|||||||||||||
|
|
MJ15023G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 200V 16A 250000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
MJ15023G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 200V 16A 250000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
MJ15023G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 16A 200V 250W PNP |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
MJ15023G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 200V; 16A; 250W; TO3 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Power dissipation: 250W Case: TO3 Mounting: THT Kind of package: in-tray Collector current: 16A Collector-emitter voltage: 200V Frequency: 4MHz |
товару немає в наявності |