MJ15022G ON Semiconductor
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 329.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJ15022G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJ15022G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 200 V, 16 A, 250 W, TO-3, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-3, Dauerkollektorstrom: 16A, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 4MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MJ15022G за ціною від 259.02 грн до 642.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MJ15022G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 200V 16A 250000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
на замовлення 58 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MJ15022G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 200V 16A 250000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MJ15022G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 200V 16A 250000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MJ15022G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 200V 16A 250000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MJ15022G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 200V 16A 250000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
на замовлення 190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MJ15022G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 200V; 16A; 250W; TO3 Mounting: THT Type of transistor: NPN Case: TO3 Collector current: 16A Collector-emitter voltage: 200V Power dissipation: 250W Frequency: 4MHz Polarisation: bipolar Kind of package: in-tray |
на замовлення 128 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MJ15022G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 200V 16A 250000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
на замовлення 9908 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MJ15022G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 200V 16A 250000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
на замовлення 206 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MJ15022G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 200V 16A 250000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MJ15022G Код товару: 143593
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Біполярні NPN |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
|
MJ15022G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 200V 16A 250000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
на замовлення 14126 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MJ15022G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 200V 16A 250000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
на замовлення 365 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MJ15022G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 200V; 16A; 250W; TO3 Mounting: THT Type of transistor: NPN Case: TO3 Collector current: 16A Collector-emitter voltage: 200V Power dissipation: 250W Frequency: 4MHz Polarisation: bipolar Kind of package: in-tray кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 128 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MJ15022G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 16A 200V 250W NPN |
на замовлення 230 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MJ15022G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJ15022G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 200 V, 16 A, 250 W, TO-3, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-3 Dauerkollektorstrom: 16A Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 4MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 362 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MJ15022G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 200V 16A TO204Packaging: Tray Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A Current - Collector Cutoff (Max): 500µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 8A, 4V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-204 (TO-3) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 16 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V Power - Max: 250 W |
на замовлення 908 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MJ15022G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 200V 16A 250000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
товару немає в наявності |



