MJ4502G ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 90V; 30A; 200W; TO204,TO3
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 90V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO3; TO204
Current gain: 25...100
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
Frequency: 2MHz
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 666.74 грн |
| 2+ | 515.23 грн |
| 6+ | 486.75 грн |
| 10+ | 477.53 грн |
| 50+ | 468.32 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
14-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJ4502G ONSEMI
Description: ONSEMI - MJ4502G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 30 A, 200 W, TO-204AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung: 200W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-204AA, Dauerkollektorstrom: 30A, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 2MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C.
Інші пропозиції MJ4502G за ціною від 483.16 грн до 729.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MJ4502G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 30A 100V 200W PNP |
на замовлення 1532 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||
 |
MJ4502G | onsemi |
Description: TRANS PNP 100V 30A TO204 Packaging: Tray Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 750mA, 7.5A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 7.5A, 2V Frequency - Transition: 2MHz Supplier Device Package: TO-204 (TO-3) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 200 W |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
MJ4502G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJ4502G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 30 A, 200 W, TO-204AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 200W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-204AA Dauerkollektorstrom: 30A Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 2MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C |
на замовлення 245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| MJ4502G |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 30A 100V 200W PNP
Bipolar Transistors - BJT 30A 100V 200W PNP
на замовлення 1532 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 719.76 грн |
| 10+ | 513.11 грн |
| MJ4502G |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 30A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 750mA, 7.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 7.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 200 W
Description: TRANS PNP 100V 30A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 750mA, 7.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 7.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 200 W
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 729.76 грн |
| 10+ | 483.16 грн |
| MJ4502G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJ4502G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 30 A, 200 W, TO-204AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 200W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-204AA
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Description: ONSEMI - MJ4502G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 30 A, 200 W, TO-204AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 200W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-204AA
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)