MJ4502G ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 90V; 30A; 200W; TO204,TO3
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 90V
Collector current: 30A
Power dissipation: 200W
Case: TO3; TO204
Current gain: 25...100
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
Frequency: 2MHz
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJ4502G ONSEMI
Description: ONSEMI - MJ4502G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 30 A, 200 W, TO-204AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-204AA, Dauerkollektorstrom: 30A, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 2MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції MJ4502G за ціною від 292.70 грн до 723.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MJ4502G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 30A 100V 200W PNP |
на замовлення 1532 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
MJ4502G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJ4502G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 30 A, 200 W, TO-204AA, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-204AA Dauerkollektorstrom: 30A Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 2MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 103 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
MJ4502G | onsemi |
Description: TRANS PNP 100V 30A TO204Power - Max: 200 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-204 (TO-3) Frequency - Transition: 2MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 7.5A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 750mA, 7.5A Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-204AA, TO-3 Packaging: Tray |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| MJ4502G |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 30A 100V 200W PNP
Bipolar Transistors - BJT 30A 100V 200W PNP
на замовлення 1532 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 669.29 грн |
| 10+ | 477.13 грн |
| MJ4502G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJ4502G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 30 A, 200 W, TO-204AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-204AA
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - MJ4502G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 30 A, 200 W, TO-204AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-204AA
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 715.19 грн |
| 5+ | 612.10 грн |
| 10+ | 508.21 грн |
| 50+ | 394.88 грн |
| 100+ | 292.70 грн |
| MJ4502G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 30A TO204
Power - Max: 200 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Frequency - Transition: 2MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 7.5A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 750mA, 7.5A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Tray
Description: TRANS PNP 100V 30A TO204
Power - Max: 200 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Frequency - Transition: 2MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 7.5A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 750mA, 7.5A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Tray
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 723.82 грн |
| 10+ | 479.23 грн |




