MJ4502G ON Semiconductor
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 369.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJ4502G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJ4502G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 30 A, 200 W, TO-204AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-204AA, Dauerkollektorstrom: 30A, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 2MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MJ4502G за ціною від 334.49 грн до 769.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MJ4502G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 90V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MJ4502G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 90V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
MJ4502G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 30A 100V 200W PNP |
на замовлення 2473 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MJ4502G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 90V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
на замовлення 105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
MJ4502G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJ4502G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 30 A, 200 W, TO-204AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-204AA Dauerkollektorstrom: 30A Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 2MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
MJ4502G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 100V 30A TO204 Packaging: Tray Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 750mA, 7.5A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 7.5A, 2V Frequency - Transition: 2MHz Supplier Device Package: TO-204 (TO-3) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 200 W |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| MJ4502G | Виробник : ONSEMI |
MJ4502G PNP THT transistors |
на замовлення 14 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
|
MJ4502G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 90V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
MJ4502G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 90V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
товару немає в наявності |