Продукція > Транзистори > Біполярні NPN > MJB44H11T4G ON

MJB44H11T4G ON

Name: MJB44H11T4G
Brand: ON
SKU: 216567
Price: 44.00 UAH
Availability: InStock

Код товару: 216567

Виробник: ON
Корпус: D2PAK (TO-263)
fT: 50 MHz
Uceo,V: 80 V
Ic,A: 10 A
Монтаж: SMD

у наявності 690 шт:

690 шт - склад

Кількість	Ціна
1+	44.00 грн
10+	40.90 грн
100+	38.87 грн

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Інші пропозиції MJB44H11T4G за ціною від 37.24 грн до 155.88 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

MJB44H11T4G

Виробник : onsemi

Description: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W

на замовлення 3200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
800+	44.08 грн
1600+	39.13 грн
2400+	37.44 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

MJB44H11T4G

Виробник : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 3200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
800+	53.24 грн
1600+	51.96 грн
2400+	50.50 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

MJB44H11T4G

Виробник : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 3200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
800+	57.79 грн
1600+	56.39 грн
2400+	54.81 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

MJB44H11T4G

Виробник : ONSEMI

Description: ONSEMI - MJB44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 50 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

на замовлення 1910 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	63.97 грн
250+	57.87 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

MJB44H11T4G

Виробник : onsemi

Description: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W

на замовлення 3528 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	136.29 грн
10+	83.70 грн
100+	56.64 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

MJB44H11T4G

Виробник : onsemi

Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 50W NPN

на замовлення 889 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	141.34 грн
10+	90.76 грн
100+	53.03 грн
500+	45.69 грн
800+	37.38 грн
2400+	37.24 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

MJB44H11T4G

Виробник : ONSEMI

Description: ONSEMI - MJB44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 50 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

на замовлення 1910 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
6+	155.88 грн
10+	100.96 грн
50+	84.80 грн
100+	63.97 грн
250+	57.87 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

MJB44H11T4G

Виробник : ON

09+ SOP

на замовлення 1400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

MJB44H11T4G

Виробник : ON Semiconductor

на замовлення 11860 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

MJB44H11T4G

Виробник : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

MJB44H11T4G

Виробник : Infineon Technologies

Bipolar Transistors - BJT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

MJB44H11T4G

Виробник : ONSEMI

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 50W; D2PAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

З цим товаром купують

PMEG4005AEA,115
Код товару: 149444

Додати до обраних Обраний товар

Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі

товару немає в наявності

очікується: 3000 шт

3000 шт - очікується

В кошику од. на суму грн.

PDTC123JT,215 (NXP, SOT23) 50V 100mA 250mW +рез. 2k2+47k
Код товару: 134236

Додати до обраних Обраний товар

PDTC123JT,215 (NXP, SOT23) 50V 100mA 250mW +рез. 2k2+47k

Виробник: Nexperia
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 230 MHz
Uceo,V: 50 V
Ucbo,V: 50 V
Ic,A: 0,1 A
h21: 100
Монтаж: SMD

товару немає в наявності

очікується: 3000 шт

3000 шт - очікується

Кількість	Ціна
10+	2.00 грн
15+	1.40 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

BC846BLT1G
Код товару: 112578

Додати до обраних Обраний товар

Виробник: ON
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 65 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 0,1 A
Монтаж: SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BAV23,215
Код товару: 105492

Додати до обраних Обраний товар

Виробник: NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: SOT143B
Vrr, V: 200 V
Iav, A: 0,225 A
Примітка: два діоди
SMD

у наявності: 4 шт

4 шт - склад

очікується: 3000 шт

3000 шт - очікується

Кількість	Ціна
3+	7.00 грн
10+	5.60 грн
100+	3.30 грн
1000+	2.30 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

VS-10MQ100NTRPBF
Код товару: 59111

Додати до обраних Обраний товар

Виробник: Vishay
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: SMA (DO-214AC)
Зворотня напруга, Vrrm: 100 V
Прямий струм (per leg), If: 1 A
Падіння напруги, Vf: 0,78 V
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, Ifsm: 30 A

у наявності: 6252 шт

6196 шт - склад
13 шт - РАДІОМАГ-Львів
43 шт - РАДІОМАГ-Дніпро

очікується: 50 шт

50 шт - очікується

Кількість	Ціна
4+	6.00 грн
10+	5.40 грн
100+	4.90 грн
1000+	4.40 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.