Продукція > Транзистори > Біполярні NPN > MJB44H11T4G ON
MJB44H11T4G

MJB44H11T4G ON

MJB44H11T4G.pdf
Код товару: 216567
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: ON
Корпус: D2PAK (TO-263)
fT: 50 MHz
Uceo,V: 80 V
Ic,A: 10 A
Монтаж: SMD
у наявності 690 шт:
640 шт - склад
50 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість Ціна
1+44.00 грн
10+40.90 грн
100+38.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції MJB44H11T4G за ціною від 37.65 грн до 156.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJB44H11T4G MJB44H11T4G Виробник : onsemi mjb44h11-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+45.05 грн
1600+39.99 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4G MJB44H11T4G Виробник : ON Semiconductor mjb44h11d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+53.00 грн
1600+51.72 грн
2400+50.27 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4G MJB44H11T4G Виробник : ON Semiconductor mjb44h11d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+57.53 грн
1600+56.13 грн
2400+54.56 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4G MJB44H11T4G Виробник : ONSEMI mjb44h11-d.pdf Description: ONSEMI - MJB44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 50 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+64.43 грн
250+58.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4G MJB44H11T4G Виробник : onsemi mjb44h11-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 50W NPN
на замовлення 853 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+137.47 грн
10+89.00 грн
100+53.06 грн
500+50.20 грн
800+37.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4G MJB44H11T4G Виробник : onsemi mjb44h11-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 3243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.47 грн
10+90.72 грн
100+61.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4G MJB44H11T4G Виробник : ONSEMI mjb44h11-d.pdf Description: ONSEMI - MJB44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 50 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+156.99 грн
10+101.68 грн
50+85.41 грн
100+64.43 грн
250+58.29 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4G Виробник : ON Semiconductor mjb44h11-d.pdf
на замовлення 11860 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4G MJB44H11T4G Виробник : ON Semiconductor mjb44h11d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4G Виробник : ONSEMI mjb44h11-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 50W; D2PAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

PMEG4005AEA,115
Код товару: 149444
Додати до обраних Обраний товар
PMEG4005AEA.pdf
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
товару немає в наявності
очікується: 3000 шт
3000 шт - очікується
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC123JT,215 (NXP, SOT23) 50V 100mA 250mW +рез. 2k2+47k
Код товару: 134236
Додати до обраних Обраний товар
pdtc123j_ser.pdf
PDTC123JT,215 (NXP, SOT23) 50V 100mA 250mW +рез. 2k2+47k
Виробник: Nexperia
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 230 MHz
Uceo,V: 50 V
Ucbo,V: 50 V
Ic,A: 0,1 A
h21: 100
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
очікується: 3000 шт
3000 шт - очікується
Кількість Ціна
10+2.00 грн
15+1.40 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BLT1G
Код товару: 112578
Додати до обраних Обраний товар
bc846blt1g.pdf
BC846BLT1G
Виробник: ON
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 65 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 0,1 A
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAV23,215
Код товару: 105492
Додати до обраних Обраний товар
bav23_ser-datasheet.pdf
Виробник: NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: SOT143B
Vrr, V: 200 V
Iav, A: 0,225 A
Примітка: два діоди
SMD
у наявності: 4 шт
4 шт - склад
очікується: 3000 шт
3000 шт - очікується
Кількість Ціна
3+7.00 грн
10+5.60 грн
100+3.30 грн
1000+2.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
VS-10MQ100NTRPBF
Код товару: 59111
Додати до обраних Обраний товар
vs-10mq100npbf-datasheet.pdf
VS-10MQ100NTRPBF
Виробник: Vishay
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: SMA (DO-214AC)
Зворотня напруга, Vrrm: 100 V
Прямий струм (per leg), If: 1 A
Падіння напруги, Vf: 0,78 V
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, Ifsm: 30 A
у наявності: 6288 шт
6182 шт - склад
50 шт - РАДІОМАГ-Київ
13 шт - РАДІОМАГ-Львів
43 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
4+6.00 грн
10+5.40 грн
100+4.90 грн
1000+4.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.