Продукція > Транзистори > Біполярні NPN > MJB44H11T4G ON
MJB44H11T4G

MJB44H11T4G ON

MJB44H11T4G.pdf
Код товару: 216567
Виробник: ON
Корпус: D2PAK (TO-263)
fT: 50 MHz
Uceo,V: 80 V
Ic,A: 10 A
Монтаж: SMD
у наявності 690 шт:
690 шт - склад
Кількість Ціна
2+44.00 грн
10+40.90 грн
100+38.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції MJB44H11T4G за ціною від 41.14 грн до 171.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJB44H11T4G MJB44H11T4G Виробник : ON Semiconductor mjb44h11-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+47.43 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4G MJB44H11T4G Виробник : onsemi mjb44h11-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+48.43 грн
1600+42.99 грн
2400+41.14 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4G MJB44H11T4G Виробник : ON Semiconductor mjb44h11d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+52.04 грн
1600+50.78 грн
2400+49.35 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4G MJB44H11T4G Виробник : ON Semiconductor mjb44h11d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+56.48 грн
1600+55.11 грн
2400+53.56 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4G MJB44H11T4G Виробник : ONSEMI mjb44h11-d.pdf Description: ONSEMI - MJB44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 50 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+70.28 грн
250+63.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4G MJB44H11T4G Виробник : onsemi mjb44h11-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 3528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+149.74 грн
10+91.96 грн
100+62.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4G MJB44H11T4G Виробник : onsemi MJB44H11-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 50W NPN
на замовлення 889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+161.50 грн
10+103.70 грн
100+60.59 грн
500+52.21 грн
800+42.71 грн
2400+42.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4G MJB44H11T4G Виробник : ONSEMI mjb44h11-d.pdf Description: ONSEMI - MJB44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 50 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+171.26 грн
10+110.92 грн
50+93.17 грн
100+70.28 грн
250+63.59 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4G Виробник : ON mjb44h11-d.pdf 09+ SOP
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4G Виробник : ON Semiconductor mjb44h11-d.pdf
на замовлення 11860 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4G MJB44H11T4G Виробник : ON Semiconductor mjb44h11d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4G Виробник : Infineon Technologies mjb44h11-d.pdf Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4G Виробник : ONSEMI mjb44h11-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 50W; D2PAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.