Продукція > Транзистори > Біполярні NPN > MJB44H11T4G ON
MJB44H11T4G

MJB44H11T4G ON

MJB44H11T4G.pdf
Код товару: 216567
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: ON
Корпус: D2PAK (TO-263)
Гранична частота fT: 50 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 80 В
Струм колектора Ic, А: 10 А
Монтаж: SMD
у наявності: 690 шт
  • 640 шт - склад
  • 50 шт - РАДІОМАГ-Київ
КількістьЦіна без ПДВ
1+44.00 грн
10+40.90 грн
100+38.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції MJB44H11T4G за ціною від 40.24 грн до 148.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MJB44H11T4G MJB44H11T4G onsemi mjb44h11-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+45.33 грн
1600+40.24 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4G MJB44H11T4G ON Semiconductor mjb44h11d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+58.08 грн
1600+56.68 грн
2400+55.08 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4G MJB44H11T4G ON Semiconductor mjb44h11d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+58.84 грн
1600+57.41 грн
2400+55.80 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4G MJB44H11T4G onsemi mjb44h11-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 6328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.01 грн
10+91.26 грн
100+61.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4G MJB44H11T4G onsemi mjb44h11-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 50W NPN
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4G MJB44H11T4G ONSEMI mjb44h11-d.pdf Description: ONSEMI - MJB44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 50 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4G MJB44H11T4G ONSEMI mjb44h11-d.pdf Description: ONSEMI - MJB44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 50 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4G ON Semiconductor mjb44h11-d.pdf
на замовлення 11860 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4G mjb44h11-d.pdf
MJB44H11T4G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+45.33 грн
1600+40.24 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4G mjb44h11d.pdf
MJB44H11T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+58.08 грн
1600+56.68 грн
2400+55.08 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4G mjb44h11d.pdf
MJB44H11T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+58.84 грн
1600+57.41 грн
2400+55.80 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4G mjb44h11-d.pdf
MJB44H11T4G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 6328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+148.01 грн
10+91.26 грн
100+61.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4G mjb44h11-d.pdf
MJB44H11T4G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 50W NPN
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4G mjb44h11-d.pdf
MJB44H11T4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJB44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 50 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4G mjb44h11-d.pdf
MJB44H11T4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJB44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 50 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJB44H11T4G mjb44h11-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 11860 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

PMEG4005AEA,115
Код товару: 149444
Додати до обраних Обраний товар
PMEG4005AEA.pdf
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC123JT,215 (NXP, SOT23) 50V 100mA 250mW +рез. 2k2+47k
Код товару: 134236
Додати до обраних Обраний товар
pdtc123j_ser.pdf
PDTC123JT,215 (NXP, SOT23) 50V 100mA 250mW +рез. 2k2+47k
Виробник: Nexperia
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
Гранична частота fT: 230 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 50 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 50 В
Струм колектора Ic, А: 0,1 А
Коефіцієнт передачі струму h21: 100
Монтаж: SMD
у наявності: 700 шт
  • 700 шт - склад
КількістьЦіна без ПДВ
7+3.00 грн
10+2.20 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BLT1G
Код товару: 112578
Додати до обраних Обраний товар
bc846blt1g.pdf
BC846BLT1G
Виробник: ON
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
Гранична частота fT: 100 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 65 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 80 В
Струм колектора Ic, А: 0,1 А
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAV23,215
Код товару: 105492
Додати до обраних Обраний товар
bav23_ser-datasheet.pdf
Виробник: NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: SOT143B
Зворотна напруга Vrr, В: 200 В
Середній струм Iav, А: 0,225 А
Час зворотного відновлення Trr, ns: два діоди
Примітка: два діоди
Монтаж: SMD
у наявності: 613 шт
  • 613 шт - склад
КількістьЦіна без ПДВ
3+7.00 грн
10+5.60 грн
100+3.30 грн
1000+2.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-10MQ100NTRPBF
Код товару: 59111
1 Додати до обраних Обраний товар
vs-10mq100npbf-datasheet.pdf
VS-10MQ100NTRPBF
Виробник: Vishay
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: SMA (DO-214AC)
Зворотна напруга Vrrm, В: 100 В
Прямий струм (per leg) If, А: 1 А
Падіння напруги Vf, В: 0,78 В
Монтаж: SMD
Імпульсний струм Ifsm, А: 30 А
у наявності: 6220 шт
  • 6114 шт - склад
  • 50 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 13 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 43 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 15 шт
  • 15 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+6.00 грн
10+5.40 грн
100+4.90 грн
1000+4.40 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.