Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MJD112T4G
MJD112T4G

MJD112T4G ON Semiconductor

mjd112-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 87500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+16.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD112T4G ON Semiconductor

Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Darlington, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A, Current - Collector Cutoff (Max): 20µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V, Frequency - Transition: 25MHz, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 20 W.

Інші пропозиції MJD112T4G за ціною від 13.35 грн до 349.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJD112T4G MJD112T4G Виробник : ON Semiconductor 2477mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+17.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4G MJD112T4G Виробник : onsemi mjd112-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 197500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+18.35 грн
5000+16.26 грн
7500+15.55 грн
12500+13.83 грн
17500+13.39 грн
25000+13.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4G MJD112T4G Виробник : ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+19.62 грн
5000+19.51 грн
7500+19.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4G MJD112T4G Виробник : ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+20.97 грн
5000+20.85 грн
7500+20.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4G MJD112T4G Виробник : ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+27.51 грн
5000+25.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4G MJD112T4G Виробник : ONSEMI MJD112-D.PDF Description: ONSEMI - MJD112T4G - Darlington-Transistor, NPN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 6462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+33.27 грн
500+23.90 грн
1000+19.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4G MJD112T4G Виробник : ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+48.95 грн
378+32.39 грн
387+31.68 грн
500+24.00 грн
1000+16.47 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4G MJD112T4G Виробник : onsemi mjd112-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 197708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.65 грн
10+43.70 грн
100+28.56 грн
500+20.68 грн
1000+18.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4G MJD112T4G Виробник : onsemi mjd112-d.pdf Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN
на замовлення 9950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.71 грн
10+45.21 грн
100+27.17 грн
500+21.20 грн
1000+18.87 грн
2500+16.07 грн
5000+15.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4G MJD112T4G Виробник : ONSEMI MJD112-D.PDF Description: ONSEMI - MJD112T4G - Darlington-Transistor, NPN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 6462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+81.18 грн
50+50.37 грн
100+33.27 грн
500+23.90 грн
1000+19.37 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4G MJD112T4G Виробник : ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+84.63 грн
14+53.14 грн
25+52.45 грн
100+33.47 грн
250+30.31 грн
500+22.86 грн
1000+16.94 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4G Виробник : ONS mjd112-d.pdf Транз. Бипол. ММ NPN TO-252-3 (DPAK) Uceo=100V; Ic=2A; Pdmax=20W
на замовлення 8 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
1+349.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4G Виробник : ON mjd112-d.pdf TO-252
на замовлення 31000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4G Виробник : ST mjd112-d.pdf TO-252
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4G Виробник : ON mjd112-d.pdf 09+
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4G Виробник : ON mjd112-d.pdf
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4G*************
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4G Виробник : ONSEMI mjd112-d.pdf Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; DPAK
Kind of transistor: Darlington
Case: DPAK
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 1.75W
Collector current: 2A
Collector-emitter voltage: 100V
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.