Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MJD112T4G
MJD112T4G

MJD112T4G ON Semiconductor

mjd112d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+19.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD112T4G ON Semiconductor

Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Darlington, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A, Current - Collector Cutoff (Max): 20µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V, Frequency - Transition: 25MHz, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 20 W.

Інші пропозиції MJD112T4G за ціною від 18.02 грн до 75.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MJD112T4G MJD112T4G ON Semiconductor mjd112d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4G MJD112T4G onsemi mjd112-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 280000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.33 грн
5000+18.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4G MJD112T4G ON Semiconductor mjd112d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4G MJD112T4G ON Semiconductor mjd112d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4G MJD112T4G ON Semiconductor mjd112d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
397+35.58 грн
518+27.26 грн
521+27.10 грн
653+20.86 грн
Мінімальне замовлення: 397 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4G MJD112T4G ON Semiconductor mjd112d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+42.60 грн
21+35.95 грн
25+35.58 грн
100+26.29 грн
250+24.19 грн
500+18.54 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4G MJD112T4G ON Semiconductor mjd112d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
313+45.21 грн
552+25.58 грн
2500+24.84 грн
5000+23.89 грн
Мінімальне замовлення: 313 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4G MJD112T4G onsemi mjd112-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 280835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.95 грн
10+45.71 грн
100+29.86 грн
500+21.63 грн
1000+19.56 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4G MJD112T4G onsemi mjd112-d.pdf Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN
на замовлення 4749 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4G MJD112T4G ONSEMI MJD112-D.PDF Description: ONSEMI - MJD112T4G - Darlington-Transistor, NPN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4G MJD112T4G ONSEMI MJD112-D.PDF Description: ONSEMI - MJD112T4G - Darlington-Transistor, NPN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4G*************
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4G ON mjd112-d.pdf TO-252
на замовлення 31000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4G mjd112d.pdf
MJD112T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+19.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4G mjd112-d.pdf
MJD112T4G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 280000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+20.33 грн
5000+18.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4G mjd112d.pdf
MJD112T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+22.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4G mjd112d.pdf
MJD112T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+22.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4G mjd112d.pdf
MJD112T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
397+35.58 грн
518+27.26 грн
521+27.10 грн
653+20.86 грн
Мінімальне замовлення: 397 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4G mjd112d.pdf
MJD112T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+42.60 грн
21+35.95 грн
25+35.58 грн
100+26.29 грн
250+24.19 грн
500+18.54 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4G mjd112d.pdf
MJD112T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
313+45.21 грн
552+25.58 грн
2500+24.84 грн
5000+23.89 грн
Мінімальне замовлення: 313 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4G mjd112-d.pdf
MJD112T4G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 280835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+75.95 грн
10+45.71 грн
100+29.86 грн
500+21.63 грн
1000+19.56 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4G mjd112-d.pdf
MJD112T4G
Виробник: onsemi
Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN
на замовлення 4749 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4G MJD112-D.PDF
MJD112T4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD112T4G - Darlington-Transistor, NPN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4G MJD112-D.PDF
MJD112T4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD112T4G - Darlington-Transistor, NPN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4G*************
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4G mjd112-d.pdf
Виробник: ON
TO-252
на замовлення 31000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.