Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MJD112T4G
MJD112T4G

MJD112T4G ON Semiconductor

mjd112-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+17.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD112T4G ON Semiconductor

Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Darlington, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A, Current - Collector Cutoff (Max): 20µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V, Frequency - Transition: 25MHz, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 20 W.

Інші пропозиції MJD112T4G за ціною від 14.47 грн до 88.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJD112T4G MJD112T4G Виробник : onsemi mjd112-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 115000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+17.48 грн
5000+15.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4G MJD112T4G Виробник : ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+18.81 грн
5000+18.75 грн
7500+18.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4G MJD112T4G Виробник : ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+20.16 грн
5000+20.09 грн
7500+19.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4G MJD112T4G Виробник : ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+20.37 грн
5000+20.34 грн
7500+19.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4G MJD112T4G Виробник : ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+21.74 грн
5000+21.67 грн
7500+21.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4G MJD112T4G Виробник : ONSEMI MJD112-D.PDF Description: ONSEMI - MJD112T4G - Darlington-Transistor, NPN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 6372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+32.69 грн
500+23.70 грн
1000+19.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4G MJD112T4G Виробник : ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
258+50.18 грн
374+34.66 грн
377+34.31 грн
500+25.65 грн
1000+17.42 грн
Мінімальне замовлення: 258
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4G MJD112T4G Виробник : ONSEMI MJD112-D.PDF Description: ONSEMI - MJD112T4G - Darlington-Transistor, NPN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 5262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+66.28 грн
50+42.31 грн
100+30.25 грн
500+23.24 грн
1000+17.61 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4G MJD112T4G Виробник : onsemi 876ED7664738D4D118FE16099BA0A0B2FAB6EAA68BB16380EAE63F2035B797F3.pdf Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN
на замовлення 7510 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.89 грн
10+44.60 грн
100+25.44 грн
500+19.64 грн
1000+17.33 грн
2500+14.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4G MJD112T4G Виробник : onsemi mjd112-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 115769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.11 грн
10+44.14 грн
100+28.84 грн
500+20.89 грн
1000+18.90 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4G MJD112T4G Виробник : ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+88.68 грн
14+54.31 грн
25+53.77 грн
100+35.81 грн
250+32.83 грн
500+24.43 грн
1000+17.92 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4G*************
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4G Виробник : ON mjd112-d.pdf TO-252
на замовлення 31000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4G Виробник : On Semiconductor mjd112-d.pdf DPAK 4/BIPOLAR POWER DPAK NPN 2A 100V Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4G Виробник : ONSEMI mjd112-d.pdf Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: Darlington
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 1.75W
Collector current: 2A
Collector-emitter voltage: 100V
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.