Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MJD112T4G
MJD112T4G

MJD112T4G ON Semiconductor

mjd112-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+16.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD112T4G ON Semiconductor

Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Darlington, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A, Current - Collector Cutoff (Max): 20µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V, Frequency - Transition: 25MHz, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 20 W.

Інші пропозиції MJD112T4G за ціною від 13.81 грн до 85.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJD112T4G MJD112T4G Виробник : ON Semiconductor 2477mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+17.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4G MJD112T4G Виробник : ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+18.09 грн
5000+18.02 грн
7500+17.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4G MJD112T4G Виробник : onsemi mjd112-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+18.97 грн
5000+16.82 грн
7500+16.07 грн
12500+14.30 грн
17500+13.84 грн
25000+13.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4G MJD112T4G Виробник : ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+19.38 грн
5000+19.32 грн
7500+18.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4G MJD112T4G Виробник : ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+19.58 грн
5000+19.56 грн
7500+18.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4G MJD112T4G Виробник : ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+20.90 грн
5000+20.83 грн
7500+20.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4G MJD112T4G Виробник : ONSEMI MJD112-D.PDF Description: ONSEMI - MJD112T4G - Darlington-Transistor, NPN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 6372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+34.92 грн
500+25.31 грн
1000+20.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4G MJD112T4G Виробник : ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
258+48.24 грн
374+33.32 грн
377+32.99 грн
500+24.66 грн
1000+16.74 грн
Мінімальне замовлення: 258
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4G MJD112T4G Виробник : onsemi mjd112-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 72019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.58 грн
10+45.21 грн
100+29.53 грн
500+21.39 грн
1000+19.35 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4G MJD112T4G Виробник : onsemi 876ED7664738D4D118FE16099BA0A0B2FAB6EAA68BB16380EAE63F2035B797F3.pdf Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN
на замовлення 7510 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+80.97 грн
10+49.55 грн
100+28.26 грн
500+21.81 грн
1000+19.25 грн
2500+16.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4G MJD112T4G Виробник : ONSEMI MJD112-D.PDF Description: ONSEMI - MJD112T4G - Darlington-Transistor, NPN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 6372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+83.43 грн
50+50.51 грн
100+34.92 грн
500+25.31 грн
1000+20.83 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4G MJD112T4G Виробник : ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+85.25 грн
14+52.21 грн
25+51.69 грн
100+34.43 грн
250+31.56 грн
500+23.48 грн
1000+17.22 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4G Виробник : ON mjd112-d.pdf TO-252
на замовлення 31000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4G Виробник : ST mjd112-d.pdf TO-252
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4G Виробник : ON mjd112-d.pdf 09+
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4G Виробник : ON mjd112-d.pdf
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4G*************
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4G Виробник : ONSEMI mjd112-d.pdf Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; DPAK
Kind of transistor: Darlington
Case: DPAK
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 1.75W
Collector current: 2A
Collector-emitter voltage: 100V
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.