Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MJD122T4G
MJD122T4G

MJD122T4G ON Semiconductor

mjd122-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+25.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD122T4G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJD122T4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 20W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V, Dauerkollektorstrom: 8A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 8A, Übergangsfrequenz: 4MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MJD122T4G за ціною від 20.17 грн до 145.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJD122T4G MJD122T4G Виробник : onsemi mjd122-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+26.01 грн
5000+23.19 грн
7500+22.24 грн
12500+20.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4G MJD122T4G Виробник : ON Semiconductor mjd122-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+26.99 грн
5000+24.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4G MJD122T4G Виробник : ON Semiconductor mjd122-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+27.53 грн
5000+26.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4G MJD122T4G Виробник : ON Semiconductor mjd122-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+28.92 грн
5000+26.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4G MJD122T4G Виробник : ON Semiconductor mjd122-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+29.83 грн
5000+28.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4G MJD122T4G Виробник : ON Semiconductor mjd122-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+33.41 грн
5000+32.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4G MJD122T4G Виробник : ONSEMI 1744688.pdf Description: ONSEMI - MJD122T4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8A
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 12625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+47.40 грн
500+34.51 грн
1000+28.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4G MJD122T4G Виробник : ON Semiconductor mjd122-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
239+51.20 грн
Мінімальне замовлення: 239
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4G MJD122T4G Виробник : ON Semiconductor mjd122-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+67.01 грн
13+54.86 грн
25+53.11 грн
100+42.04 грн
250+38.22 грн
500+31.60 грн
1000+26.21 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4G MJD122T4G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7868999150839E745&compId=MJD122_MJD127.PDF?ci_sign=49f7cf81c41f4a5cf113c2d675d48ee06a8a79f2 Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.75W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1.75W
Case: DPAK
Current gain: 300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 4MHz
на замовлення 1117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+82.11 грн
10+55.26 грн
32+29.79 грн
86+28.22 грн
1000+27.12 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4G MJD122T4G Виробник : onsemi mjd122-d.pdf Darlington Transistors 8A 100V Bipolar Power NPN
на замовлення 8116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.72 грн
10+65.52 грн
25+55.39 грн
100+38.41 грн
250+38.26 грн
500+30.18 грн
1000+26.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4G MJD122T4G Виробник : onsemi mjd122-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 13864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.95 грн
10+59.66 грн
100+39.50 грн
500+28.95 грн
1000+26.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4G MJD122T4G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7868999150839E745&compId=MJD122_MJD127.PDF?ci_sign=49f7cf81c41f4a5cf113c2d675d48ee06a8a79f2 Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.75W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1.75W
Case: DPAK
Current gain: 300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 4MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1117 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.53 грн
10+68.86 грн
32+35.75 грн
86+33.86 грн
1000+32.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4G MJD122T4G Виробник : ONSEMI 1744688.pdf Description: ONSEMI - MJD122T4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8A
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 12625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+103.27 грн
50+68.14 грн
100+47.40 грн
500+34.51 грн
1000+28.44 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4G Виробник : ON-Semicoductor mjd122-d.pdf darl.NPN 5A 100V 20W MJD122G, MJD122T4G, MJD122T4, MJD122TF, MJE122-TP MJD122T4 DPAK ONS TMJD122t4
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+27.18 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4G Виробник : ONS mjd122-d.pdf Транз. Бипол. ММ NPN TO-252-3 (DPAK) Uceo=100V; Ic=8A; Pdmax=20W;
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
2+145.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4G*************
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.