Продукція > ONSEMI > MJD122T4G
MJD122T4G

MJD122T4G onsemi

mjd122-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+26.77 грн
5000+23.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD122T4G onsemi

Description: ONSEMI - MJD122T4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE, Qualifikation: -, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 20W, Verlustleistung: 20W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V, Dauerkollektorstrom: 8A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 8A, Übergangsfrequenz: 4MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції MJD122T4G за ціною від 24.83 грн до 109.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MJD122T4G MJD122T4G ON Semiconductor mjd122d.pdf Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+44.02 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4G MJD122T4G ON Semiconductor mjd122d.pdf Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+62.96 грн
17+48.01 грн
25+47.77 грн
100+31.96 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4G MJD122T4G ONSEMI MJD122_MJD127.PDF Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.75W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1.75W
Case: DPAK
Current gain: 300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 4MHz
на замовлення 2523 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+91.43 грн
7+67.58 грн
10+60.03 грн
25+50.77 грн
31+32.26 грн
83+30.48 грн
500+29.55 грн
1000+29.29 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4G MJD122T4G onsemi mjd122-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 33199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.78 грн
10+61.36 грн
100+40.64 грн
500+29.79 грн
1000+27.10 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4G MJD122T4G onsemi mjd122-d.pdf Darlington Transistors 8A 100V Bipolar Power NPN
на замовлення 44404 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+109.72 грн
10+68.09 грн
100+38.90 грн
500+30.70 грн
1000+27.91 грн
2500+24.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4G MJD122T4G ONSEMI mjd122-d.pdf Description: ONSEMI - MJD122T4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 8A
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4G MJD122T4G ON Semiconductor mjd122d.pdf Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4G MJD122T4G ONSEMI mjd122-d.pdf Description: ONSEMI - MJD122T4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 20W
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 8A
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4G*************
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4G mjd122d.pdf
MJD122T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+44.02 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4G mjd122d.pdf
MJD122T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+62.96 грн
17+48.01 грн
25+47.77 грн
100+31.96 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4G MJD122_MJD127.PDF
MJD122T4G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.75W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1.75W
Case: DPAK
Current gain: 300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 4MHz
на замовлення 2523 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+91.43 грн
7+67.58 грн
10+60.03 грн
25+50.77 грн
31+32.26 грн
83+30.48 грн
500+29.55 грн
1000+29.29 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4G mjd122-d.pdf
MJD122T4G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 33199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+100.78 грн
10+61.36 грн
100+40.64 грн
500+29.79 грн
1000+27.10 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4G mjd122-d.pdf
MJD122T4G
Виробник: onsemi
Darlington Transistors 8A 100V Bipolar Power NPN
на замовлення 44404 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+109.72 грн
10+68.09 грн
100+38.90 грн
500+30.70 грн
1000+27.91 грн
2500+24.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4G mjd122-d.pdf
MJD122T4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD122T4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 8A
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4G mjd122d.pdf
MJD122T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4G mjd122-d.pdf
MJD122T4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD122T4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 20W
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 8A
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4G*************
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.