Продукція > ONSEMI > MJD122T4G
MJD122T4G

MJD122T4G onsemi

mjd122-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+24.05 грн
5000+21.44 грн
7500+20.56 грн
12500+18.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD122T4G onsemi

Description: ONSEMI - MJD122T4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 20W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V, Dauerkollektorstrom: 8A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 8A, Übergangsfrequenz: 4MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції MJD122T4G за ціною від 24.35 грн до 109.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJD122T4G MJD122T4G Виробник : ON Semiconductor mjd122-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+27.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4G MJD122T4G Виробник : ON Semiconductor mjd122-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+29.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4G MJD122T4G Виробник : ONSEMI 1744688.pdf Description: ONSEMI - MJD122T4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8A
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 10655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+45.49 грн
500+33.01 грн
1000+27.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4G MJD122T4G Виробник : ON Semiconductor mjd122-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+55.13 грн
15+49.62 грн
25+46.74 грн
100+30.24 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4G MJD122T4G Виробник : ON Semiconductor mjd122-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
224+57.79 грн
500+45.07 грн
1000+40.59 грн
2500+34.60 грн
Мінімальне замовлення: 224
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4G MJD122T4G Виробник : onsemi mjd122-d.pdf Darlington Transistors 8A 100V Bipolar Power NPN
на замовлення 15751 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.68 грн
10+58.51 грн
100+33.12 грн
500+27.67 грн
1000+25.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4G MJD122T4G Виробник : ONSEMI MJD122_MJD127.PDF Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.75W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1.75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Current gain: 300
Frequency: 4MHz
на замовлення 802 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+89.68 грн
10+57.45 грн
25+47.27 грн
50+40.88 грн
100+35.67 грн
200+31.46 грн
500+29.02 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4G MJD122T4G Виробник : onsemi mjd122-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 38937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.20 грн
10+55.11 грн
100+36.52 грн
500+26.77 грн
1000+24.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4G MJD122T4G Виробник : ONSEMI 1744688.pdf Description: ONSEMI - MJD122T4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8A
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 10655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+109.25 грн
50+68.65 грн
100+45.49 грн
500+33.01 грн
1000+27.74 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4G MJD122T4G Виробник : ON Semiconductor mjd122-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4G Виробник : ON-Semiconductor mjd122-d.pdf darl.NPN 5A 100V 20W MJD122G, MJD122T4G, MJD122T4, MJD122TF, MJE122-TP MJD122T4 DPAK ONS TMJD122t4
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 2230 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+29.10 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4G*************
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4G Виробник : On Semiconductor MJD122-D.pdf NPN Darl. DPAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4G Виробник : ON Semiconductor MJD122-D.PDF Транзистор складений Дарлінгтона, Ptot, Вт = 1,75, Тип стр. = NPN, Uceo, В = 100, Ic = 8 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 4, hFE = 1000 @ 4 A, 4 В, Icutoff-max = 10 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 4 @ 80 мA, 8 A, Тексп, °С = -65...+150,... Група товару: Транзис
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.