Продукція > ONSEMI > MJD122T4G
MJD122T4G

MJD122T4G onsemi

mjd122-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+23.83 грн
5000+21.24 грн
7500+20.37 грн
12500+18.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD122T4G onsemi

Description: ONSEMI - MJD122T4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 20W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V, Dauerkollektorstrom: 8A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 8A, Übergangsfrequenz: 4MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції MJD122T4G за ціною від 21.18 грн до 116.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJD122T4G MJD122T4G Виробник : ON Semiconductor mjd122d.pdf Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+30.06 грн
5000+26.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4G MJD122T4G Виробник : ON Semiconductor mjd122d.pdf Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+32.21 грн
5000+28.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4G MJD122T4G Виробник : ON Semiconductor mjd122d.pdf Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+40.47 грн
3000+35.91 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4G MJD122T4G Виробник : ONSEMI 1744688.pdf Description: ONSEMI - MJD122T4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8A
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 11347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+47.00 грн
500+35.92 грн
1000+29.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4G MJD122T4G Виробник : ON Semiconductor mjd122d.pdf Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
192+67.77 грн
194+67.10 грн
274+47.47 грн
276+45.33 грн
500+32.61 грн
1000+26.03 грн
Мінімальне замовлення: 192
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4G MJD122T4G Виробник : onsemi 163CDE6E7AE173BA2E5A7B9A65977472614529F55E27D7C304E9B966A653395B.pdf Darlington Transistors 8A 100V Bipolar Power NPN
на замовлення 3966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.61 грн
10+55.17 грн
100+34.06 грн
500+26.58 грн
1000+24.16 грн
2500+21.53 грн
5000+21.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4G MJD122T4G Виробник : onsemi mjd122-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 38937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.34 грн
10+54.60 грн
100+36.18 грн
500+26.52 грн
1000+24.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4G MJD122T4G Виробник : ON Semiconductor mjd122d.pdf Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+116.23 грн
11+72.62 грн
25+71.89 грн
100+49.04 грн
250+44.97 грн
500+33.54 грн
1000+27.89 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4G Виробник : ON-Semiconductor mjd122-d.pdf darl.NPN 5A 100V 20W MJD122G, MJD122T4G, MJD122T4, MJD122TF, MJE122-TP MJD122T4 DPAK ONS TMJD122t4
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 2230 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+29.17 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4G Виробник : ONSEMI mjd122-d.pdf MJD122T4G NPN SMD Darlington transistors
на замовлення 262 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.27 грн
32+37.90 грн
86+35.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4G Виробник : ONSEMI 1744688.pdf Description: ONSEMI - MJD122T4G - TRANSISTOR, NPN, 100V, 8A, TO-252-3
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8A
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 11347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+108.22 грн
50+68.49 грн
100+47.00 грн
500+35.92 грн
1000+29.56 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4G*************
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.