Продукція > ONSEMI > MJD122T4G
MJD122T4G

MJD122T4G onsemi

mjd122-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 46500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+25.69 грн
5000+22.90 грн
7500+21.96 грн
12500+19.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD122T4G onsemi

Description: ONSEMI - MJD122T4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 20W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V, Dauerkollektorstrom: 8A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 8A, Übergangsfrequenz: 4MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MJD122T4G за ціною від 23.37 грн до 110.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJD122T4G MJD122T4G Виробник : ON Semiconductor mjd122-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+26.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4G MJD122T4G Виробник : ON Semiconductor mjd122-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+28.67 грн
5000+26.16 грн
10000+25.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4G MJD122T4G Виробник : ON Semiconductor mjd122-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+29.19 грн
5000+26.64 грн
10000+26.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4G MJD122T4G Виробник : ON Semiconductor mjd122-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+30.71 грн
5000+28.03 грн
10000+27.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4G MJD122T4G Виробник : ON Semiconductor mjd122-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+31.23 грн
5000+28.49 грн
10000+27.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4G MJD122T4G Виробник : ON Semiconductor mjd122-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+33.72 грн
5000+31.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4G MJD122T4G Виробник : ONSEMI 1744688.pdf Description: ONSEMI - MJD122T4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8A
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 11090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+48.83 грн
500+35.40 грн
1000+29.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4G MJD122T4G Виробник : ON Semiconductor mjd122-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
192+64.70 грн
194+64.06 грн
274+45.32 грн
276+43.29 грн
500+31.11 грн
1000+24.82 грн
Мінімальне замовлення: 192
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4G MJD122T4G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7868999150839E745&compId=MJD122_MJD127.PDF?ci_sign=49f7cf81c41f4a5cf113c2d675d48ee06a8a79f2 Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.75W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1.75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Current gain: 300
Frequency: 4MHz
на замовлення 762 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+89.95 грн
10+61.41 грн
25+50.43 грн
31+30.23 грн
86+28.56 грн
500+28.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4G MJD122T4G Виробник : onsemi mjd122-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 47260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.48 грн
10+58.87 грн
100+39.00 грн
500+28.59 грн
1000+26.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4G MJD122T4G Виробник : onsemi 163CDE6E7AE173BA2E5A7B9A65977472614529F55E27D7C304E9B966A653395B.pdf Darlington Transistors 8A 100V Bipolar Power NPN
на замовлення 16951 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.79 грн
10+60.86 грн
100+37.57 грн
500+29.33 грн
1000+26.65 грн
2500+23.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4G MJD122T4G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7868999150839E745&compId=MJD122_MJD127.PDF?ci_sign=49f7cf81c41f4a5cf113c2d675d48ee06a8a79f2 Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.75W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1.75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Current gain: 300
Frequency: 4MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 762 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+107.94 грн
10+76.53 грн
25+60.52 грн
31+36.27 грн
86+34.27 грн
500+33.70 грн
1000+32.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4G MJD122T4G Виробник : ONSEMI 1744688.pdf Description: ONSEMI - MJD122T4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8A
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 11090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+110.51 грн
50+68.79 грн
100+48.83 грн
500+35.40 грн
1000+29.74 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4G MJD122T4G Виробник : ON Semiconductor mjd122-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+110.96 грн
11+69.32 грн
25+68.63 грн
100+46.82 грн
250+42.94 грн
500+32.00 грн
1000+26.59 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4G Виробник : ON-Semicoductor mjd122-d.pdf darl.NPN 5A 100V 20W MJD122G, MJD122T4G, MJD122T4, MJD122TF, MJE122-TP MJD122T4 DPAK ONS TMJD122t4
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 2280 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+27.51 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4G*************
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.