MJD127T4G onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 20.33 грн |
| 5000+ | 18.07 грн |
| 7500+ | 17.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD127T4G onsemi
Description: ONSEMI - MJD127T4G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 20W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V, Dauerkollektorstrom: 8A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 8A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції MJD127T4G за ціною від 10.19 грн до 92.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MJD127T4G | ON Semiconductor |
Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 72500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MJD127T4G | ON Semiconductor |
Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 72500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MJD127T4G | ON Semiconductor |
Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MJD127T4G | ON Semiconductor |
Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MJD127T4G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD127T4G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 20W euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Dauerkollektorstrom: 8A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 8A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 3481 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MJD127T4G | ON Semiconductor |
Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MJD127T4G | onsemi |
Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.75 W |
на замовлення 10522 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MJD127T4G | ON Semiconductor |
Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MJD127T4G | onsemi |
Darlington Transistors 8A 100V Bipolar Power PNP |
на замовлення 1589 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MJD127T4G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD127T4G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 20W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 8A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 3461 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| MJD127T4G | HXY MOSFET |
Transistor Darlington PNP; 12000; 1,5W; 100V; 8A; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJD127G; MJD127T4G; MJD127T4; MJD127-TP; MJD127T4G HXY MOSFET TMJD127 HXYкількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| MJD127T4G | HXY MOSFET |
Transistor Darlington PNP; 12000; 1,5W; 100V; 8A; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJD127G; MJD127T4G; MJD127T4; MJD127-TP; MJD127T4G HXY MOSFET TMJD127 HXYкількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| MJD127T4G************* |
на замовлення 17500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| MJD127T4G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 72500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 23.77 грн |
| MJD127T4G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 72500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 23.77 грн |
| MJD127T4G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 24.65 грн |
| MJD127T4G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 374+ | 37.99 грн |
| 500+ | 35.00 грн |
| 1000+ | 31.79 грн |
| 2500+ | 29.78 грн |
| MJD127T4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD127T4G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - MJD127T4G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 39.43 грн |
| 500+ | 28.37 грн |
| 1000+ | 25.70 грн |
| MJD127T4G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 247+ | 57.62 грн |
| 256+ | 55.58 грн |
| 349+ | 40.62 грн |
| 353+ | 38.82 грн |
| 500+ | 28.81 грн |
| 1000+ | 22.40 грн |
| MJD127T4G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 10522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 78.56 грн |
| 10+ | 47.51 грн |
| 100+ | 31.28 грн |
| 500+ | 22.78 грн |
| 1000+ | 20.67 грн |
| MJD127T4G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 79.53 грн |
| 14+ | 57.62 грн |
| 25+ | 55.58 грн |
| 100+ | 39.17 грн |
| 250+ | 35.94 грн |
| 500+ | 27.65 грн |
| 1000+ | 22.40 грн |
| MJD127T4G |
![]() |
Виробник: onsemi
Darlington Transistors 8A 100V Bipolar Power PNP
Darlington Transistors 8A 100V Bipolar Power PNP
на замовлення 1589 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 81.30 грн |
| 10+ | 45.61 грн |
| 100+ | 29.33 грн |
| 500+ | 22.69 грн |
| MJD127T4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD127T4G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - MJD127T4G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 92.87 грн |
| 50+ | 53.20 грн |
| 100+ | 39.27 грн |
| 500+ | 28.22 грн |
| 1000+ | 25.56 грн |
| MJD127T4G |
![]() |
Виробник: HXY MOSFET
Transistor Darlington PNP; 12000; 1,5W; 100V; 8A; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJD127G; MJD127T4G; MJD127T4; MJD127-TP; MJD127T4G HXY MOSFET TMJD127 HXY
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor Darlington PNP; 12000; 1,5W; 100V; 8A; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJD127G; MJD127T4G; MJD127T4; MJD127-TP; MJD127T4G HXY MOSFET TMJD127 HXY
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 10.19 грн |
| MJD127T4G |
![]() |
Виробник: HXY MOSFET
Transistor Darlington PNP; 12000; 1,5W; 100V; 8A; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJD127G; MJD127T4G; MJD127T4; MJD127-TP; MJD127T4G HXY MOSFET TMJD127 HXY
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor Darlington PNP; 12000; 1,5W; 100V; 8A; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJD127G; MJD127T4G; MJD127T4; MJD127-TP; MJD127T4G HXY MOSFET TMJD127 HXY
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 10.19 грн |
| MJD127T4G************* |
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)




