Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MJD127T4G
MJD127T4G

MJD127T4G ON Semiconductor

mjd122-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 52500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
236+60.22 грн
312+45.49 грн
500+35.43 грн
1000+29.93 грн
2500+25.61 грн
5000+22.73 грн
Мінімальне замовлення: 236 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD127T4G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJD127T4G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE, Qualifikation: -, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 20W, Verlustleistung: 20W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V, Dauerkollektorstrom: 8A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 8A, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції MJD127T4G за ціною від 9.99 грн до 110.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MJD127T4G MJD127T4G ON Semiconductor mjd122-d.pdf Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
220+64.68 грн
500+45.65 грн
Мінімальне замовлення: 220 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4G MJD127T4G ONSEMI mjd122.pdf Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+80.54 грн
8+56.84 грн
10+48.11 грн
20+40.55 грн
50+32.66 грн
100+28.34 грн
200+25.26 грн
500+24.93 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4G MJD127T4G onsemi mjd122-d.pdf Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.43 грн
10+51.53 грн
100+33.88 грн
500+24.67 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4G MJD127T4G ON Semiconductor mjd122-d.pdf Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 52500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+106.46 грн
13+60.22 грн
100+45.49 грн
500+34.16 грн
1000+27.71 грн
2500+24.58 грн
5000+22.73 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4G MJD127T4G ON Semiconductor mjd122-d.pdf Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+109.31 грн
131+108.86 грн
250+104.55 грн
500+96.41 грн
1000+92.17 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4G MJD127T4G ON Semiconductor mjd122-d.pdf Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+110.20 грн
10+109.75 грн
25+109.31 грн
100+104.98 грн
250+96.80 грн
500+92.55 грн
1000+92.17 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4G MJD127T4G onsemi mjd122-d.pdf Darlington Transistors 8A 100V Bipolar Power PNP
на замовлення 8927 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4G MJD127T4G ONSEMI 1744688.pdf Description: ONSEMI - MJD127T4G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4G MJD127T4G ONSEMI 1744688.pdf Description: ONSEMI - MJD127T4G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 20W
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4G HXY MOSFET mjd122-d.pdf Transistor Darlington PNP; 12000; 1,5W; 100V; 8A; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJD127G; MJD127T4G; MJD127T4; MJD127-TP; MJD127T4G HXY MOSFET TMJD127 HXY
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+9.99 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4G HXY MOSFET mjd122-d.pdf Transistor Darlington PNP; 12000; 1,5W; 100V; 8A; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJD127G; MJD127T4G; MJD127T4; MJD127-TP; MJD127T4G HXY MOSFET TMJD127 HXY
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+9.99 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4G*************
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4G mjd122-d.pdf
MJD127T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
220+64.68 грн
500+45.65 грн
Мінімальне замовлення: 220 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4G mjd122.pdf
MJD127T4G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+80.54 грн
8+56.84 грн
10+48.11 грн
20+40.55 грн
50+32.66 грн
100+28.34 грн
200+25.26 грн
500+24.93 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4G mjd122-d.pdf
MJD127T4G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+85.43 грн
10+51.53 грн
100+33.88 грн
500+24.67 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4G mjd122-d.pdf
MJD127T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 52500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+106.46 грн
13+60.22 грн
100+45.49 грн
500+34.16 грн
1000+27.71 грн
2500+24.58 грн
5000+22.73 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4G mjd122-d.pdf
MJD127T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
130+109.31 грн
131+108.86 грн
250+104.55 грн
500+96.41 грн
1000+92.17 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4G mjd122-d.pdf
MJD127T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+110.20 грн
10+109.75 грн
25+109.31 грн
100+104.98 грн
250+96.80 грн
500+92.55 грн
1000+92.17 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4G mjd122-d.pdf
MJD127T4G
Виробник: onsemi
Darlington Transistors 8A 100V Bipolar Power PNP
на замовлення 8927 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4G 1744688.pdf
MJD127T4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD127T4G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4G 1744688.pdf
MJD127T4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD127T4G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 20W
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4G mjd122-d.pdf
Виробник: HXY MOSFET
Transistor Darlington PNP; 12000; 1,5W; 100V; 8A; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJD127G; MJD127T4G; MJD127T4; MJD127-TP; MJD127T4G HXY MOSFET TMJD127 HXY
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+9.99 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4G mjd122-d.pdf
Виробник: HXY MOSFET
Transistor Darlington PNP; 12000; 1,5W; 100V; 8A; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJD127G; MJD127T4G; MJD127T4; MJD127-TP; MJD127T4G HXY MOSFET TMJD127 HXY
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+9.99 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4G*************
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.