MJD127T4G onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 21.91 грн |
| 5000+ | 19.47 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD127T4G onsemi
Description: ONSEMI - MJD127T4G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE, Qualifikation: -, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 20W, Verlustleistung: 20W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V, Dauerkollektorstrom: 8A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 8A, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції MJD127T4G за ціною від 19.53 грн до 112.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MJD127T4G | ON Semiconductor |
Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MJD127T4G | ON Semiconductor |
Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MJD127T4G | ON Semiconductor |
Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 67500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MJD127T4G | ON Semiconductor |
Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 67500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MJD127T4G | ON Semiconductor |
Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 6140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MJD127T4G | ON Semiconductor |
Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 52500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MJD127T4G | ONSEMI |
Category: PNP SMD Darlington transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 8A Power dissipation: 20W Case: DPAK Mounting: SMD |
на замовлення 2489 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MJD127T4G | onsemi |
Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.75 W |
на замовлення 9053 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MJD127T4G | onsemi |
Darlington Transistors 8A 100V Bipolar Power PNP |
на замовлення 11745 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MJD127T4G | ON Semiconductor |
Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 52500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MJD127T4G | ON Semiconductor |
Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MJD127T4G | ON Semiconductor |
Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MJD127T4G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD127T4G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung Pd: 20W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 8A Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1781 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
MJD127T4G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD127T4G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung Pd: 20W Verlustleistung: 20W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Dauerkollektorstrom: 8A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 8A Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1781 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MJD127T4G************* |
на замовлення 17500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| MJD127T4G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 26.85 грн |
| MJD127T4G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 26.85 грн |
| MJD127T4G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 67500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 29.95 грн |
| 5000+ | 28.49 грн |
| MJD127T4G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 67500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 30.07 грн |
| 5000+ | 28.60 грн |
| MJD127T4G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 37.78 грн |
| 3000+ | 35.19 грн |
| 5000+ | 35.10 грн |
| MJD127T4G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 52500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 255+ | 55.84 грн |
| 343+ | 41.52 грн |
| 500+ | 34.77 грн |
| 1000+ | 32.07 грн |
| 2500+ | 26.65 грн |
| 5000+ | 23.76 грн |
| MJD127T4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
на замовлення 2489 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 82.66 грн |
| 10+ | 54.96 грн |
| 20+ | 47.12 грн |
| 35+ | 27.23 грн |
| 96+ | 25.75 грн |
| 500+ | 24.84 грн |
| 1000+ | 24.76 грн |
| MJD127T4G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 9053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 84.85 грн |
| 10+ | 51.25 грн |
| 100+ | 33.71 грн |
| 500+ | 24.55 грн |
| 1000+ | 22.27 грн |
| MJD127T4G |
![]() |
Виробник: onsemi
Darlington Transistors 8A 100V Bipolar Power PNP
Darlington Transistors 8A 100V Bipolar Power PNP
на замовлення 11745 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 92.15 грн |
| 10+ | 56.85 грн |
| 100+ | 32.54 грн |
| 500+ | 25.30 грн |
| 1000+ | 22.89 грн |
| 2500+ | 19.53 грн |
| MJD127T4G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 52500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 93.48 грн |
| 14+ | 55.84 грн |
| 100+ | 41.52 грн |
| 500+ | 33.53 грн |
| 1000+ | 29.70 грн |
| 2500+ | 25.59 грн |
| 5000+ | 23.76 грн |
| MJD127T4G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 131+ | 109.07 грн |
| 135+ | 106.14 грн |
| 138+ | 103.21 грн |
| 250+ | 96.69 грн |
| 500+ | 86.91 грн |
| 1000+ | 80.92 грн |
| MJD127T4G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 112.01 грн |
| 10+ | 109.07 грн |
| 25+ | 106.14 грн |
| 100+ | 99.52 грн |
| 250+ | 89.53 грн |
| 500+ | 83.43 грн |
| 1000+ | 80.92 грн |
| MJD127T4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD127T4G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - MJD127T4G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MJD127T4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD127T4G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 20W
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - MJD127T4G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 20W
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MJD127T4G************* |
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)





