
MJD127T4G ON Semiconductor
на замовлення 165000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2500+ | 19.16 грн |
5000+ | 18.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD127T4G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJD127T4G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 8A, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 20W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 8A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MJD127T4G за ціною від 8.06 грн до 90.89 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MJD127T4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 165000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MJD127T4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MJD127T4G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.75 W |
на замовлення 13000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MJD127T4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MJD127T4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MJD127T4G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 8A usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 20W euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 8A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MJD127T4G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK Case: DPAK Mounting: SMD Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 8A Type of transistor: PNP Power dissipation: 20W Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington |
на замовлення 2495 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MJD127T4G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 20W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 8A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MJD127T4G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.75 W |
на замовлення 13429 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MJD127T4G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 17771 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MJD127T4G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK Case: DPAK Mounting: SMD Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 8A Type of transistor: PNP Power dissipation: 20W Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2495 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
MJD127T4G | Виробник : HXY MOSFET |
![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MJD127T4G | Виробник : ONS |
![]() |
на замовлення 10 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MJD127T4G************* |
на замовлення 17500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
![]() |
MJD127T4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
MJD127T4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |