Продукція > ONSEMI > MJD127T4G
MJD127T4G

MJD127T4G onsemi

mjd122-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+20.16 грн
5000+17.91 грн
7500+17.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD127T4G onsemi

Description: ONSEMI - MJD127T4G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 20W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V, Dauerkollektorstrom: 8A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 8A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції MJD127T4G за ціною від 8.22 грн до 92.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJD127T4G MJD127T4G Виробник : ON Semiconductor mjd122d.pdf Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+20.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4G MJD127T4G Виробник : ON Semiconductor mjd122d.pdf Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+21.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4G MJD127T4G Виробник : ON Semiconductor mjd122d.pdf Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+34.10 грн
3000+28.77 грн
5000+27.94 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4G MJD127T4G Виробник : ONSEMI 1744688.pdf Description: ONSEMI - MJD127T4G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+38.28 грн
500+27.75 грн
1000+23.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4G MJD127T4G Виробник : ON Semiconductor mjd122d.pdf Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
271+47.97 грн
278+46.66 грн
360+36.05 грн
371+33.79 грн
500+25.64 грн
1000+20.16 грн
Мінімальне замовлення: 271
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4G MJD127T4G Виробник : ON Semiconductor mjd122d.pdf Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+67.65 грн
15+51.40 грн
25+49.99 грн
100+37.25 грн
250+33.52 грн
500+26.37 грн
1000+21.60 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4G MJD127T4G Виробник : ONSEMI mjd122.pdf Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
на замовлення 1418 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+75.38 грн
10+51.08 грн
20+43.75 грн
50+35.25 грн
100+30.25 грн
200+26.25 грн
500+25.00 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4G MJD127T4G Виробник : onsemi mjd122-d.pdf Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 10522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+77.88 грн
10+47.10 грн
100+31.01 грн
500+22.59 грн
1000+20.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4G MJD127T4G Виробник : onsemi 7CF45FDCF403E472A4CCBE4B0AC5AEE4DE0CDDDF17D7D70521C0D3F2F3B10648.pdf Darlington Transistors 8A 100V Bipolar Power PNP
на замовлення 4836 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+81.57 грн
10+48.64 грн
100+28.52 грн
500+22.36 грн
1000+19.73 грн
2500+17.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4G MJD127T4G Виробник : ONSEMI mjd122.pdf Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1418 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.46 грн
10+63.65 грн
20+52.50 грн
50+42.30 грн
100+36.30 грн
200+31.50 грн
500+30.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4G MJD127T4G Виробник : ONSEMI 1744688.pdf Description: ONSEMI - MJD127T4G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+92.88 грн
50+58.15 грн
100+38.28 грн
500+27.75 грн
1000+23.12 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4G Виробник : HXY MOSFET mjd122-d.pdf Transistor Darlington PNP; 12000; 1,5W; 100V; 8A; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJD127G; MJD127T4G; MJD127T4; MJD127-TP; MJD127T4G HXY MOSFET TMJD127 HXY
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+8.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4G*************
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.