Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MJD127T4G
MJD127T4G

MJD127T4G ON Semiconductor

mjd122d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 127500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+19.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD127T4G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJD127T4G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 20W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V, Dauerkollektorstrom: 8A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 8A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MJD127T4G за ціною від 7.62 грн до 100.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJD127T4G MJD127T4G Виробник : ON Semiconductor mjd122d.pdf Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 127500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+21.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4G MJD127T4G Виробник : onsemi mjd122-d.pdf Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+22.13 грн
5000+19.67 грн
7500+18.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4G MJD127T4G Виробник : ON Semiconductor mjd122d.pdf Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+22.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4G MJD127T4G Виробник : ON Semiconductor mjd122d.pdf Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+24.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4G MJD127T4G Виробник : ON Semiconductor mjd122d.pdf Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+32.71 грн
3000+27.59 грн
5000+26.80 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4G MJD127T4G Виробник : ONSEMI 1744688.pdf Description: ONSEMI - MJD127T4G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+41.28 грн
500+29.92 грн
1000+24.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4G MJD127T4G Виробник : ONSEMI mjd122.pdf Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
на замовлення 1418 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+73.15 грн
10+49.57 грн
20+42.46 грн
50+34.21 грн
100+29.35 грн
200+25.47 грн
500+24.26 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4G MJD127T4G Виробник : onsemi mjd122-d.pdf Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 10622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.66 грн
10+51.76 грн
100+34.05 грн
500+24.80 грн
1000+22.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4G MJD127T4G Виробник : ONSEMI mjd122.pdf Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1418 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.78 грн
10+61.77 грн
20+50.95 грн
50+41.05 грн
100+35.23 грн
200+30.57 грн
500+29.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4G MJD127T4G Виробник : onsemi 7CF45FDCF403E472A4CCBE4B0AC5AEE4DE0CDDDF17D7D70521C0D3F2F3B10648.pdf Darlington Transistors 8A 100V Bipolar Power PNP
на замовлення 7225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.48 грн
10+56.60 грн
100+32.45 грн
500+25.31 грн
1000+22.82 грн
2500+19.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4G MJD127T4G Виробник : ONSEMI 1744688.pdf Description: ONSEMI - MJD127T4G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+100.15 грн
50+62.70 грн
100+41.28 грн
500+29.92 грн
1000+24.93 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4G Виробник : HXY MOSFET mjd122-d.pdf Transistor Darlington PNP; 12000; 1,5W; 100V; 8A; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJD127G; MJD127T4G; MJD127-TP; MJD127T4G HXY MOSFET TMJD127 HXY
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+7.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4G*************
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4G
Код товару: 180192
Додати до обраних Обраний товар

mjd122-d.pdf Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4G MJD127T4G Виробник : ON Semiconductor 431036721814380mjd122-d.pdf Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.