Продукція > Транзистори > Біполярні PNP > MJD127T4G

MJD127T4G

mjd122-d.pdf
Код товару: 180192
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні PNP

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції MJD127T4G за ціною від 9.90 грн до 109.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MJD127T4G MJD127T4G ON Semiconductor mjd122-d.pdf Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
373+37.69 грн
500+34.69 грн
1000+31.57 грн
Мінімальне замовлення: 373 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4G MJD127T4G ON Semiconductor mjd122-d.pdf Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 52500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
236+59.69 грн
312+45.09 грн
500+35.11 грн
1000+29.66 грн
2500+25.38 грн
5000+22.53 грн
Мінімальне замовлення: 236 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4G MJD127T4G ONSEMI mjd122.pdf Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+79.82 грн
8+56.33 грн
10+47.69 грн
20+40.19 грн
50+32.37 грн
100+28.08 грн
200+25.04 грн
500+24.71 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4G MJD127T4G onsemi mjd122-d.pdf Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 1024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.36 грн
10+49.88 грн
100+32.81 грн
500+23.90 грн
1000+21.68 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4G MJD127T4G ON Semiconductor mjd122-d.pdf Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 52500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+105.52 грн
13+59.69 грн
100+45.09 грн
500+33.86 грн
1000+27.46 грн
2500+24.36 грн
5000+22.53 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4G MJD127T4G ON Semiconductor mjd122-d.pdf Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+108.34 грн
131+107.90 грн
250+103.62 грн
500+95.55 грн
1000+91.35 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4G MJD127T4G ON Semiconductor mjd122-d.pdf Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+109.22 грн
10+108.78 грн
25+108.34 грн
100+104.04 грн
250+95.94 грн
500+91.73 грн
1000+91.35 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4G MJD127T4G onsemi mjd122-d.pdf Darlington Transistors 8A 100V Bipolar Power PNP
на замовлення 8966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4G MJD127T4G ONSEMI 1744688.pdf Description: ONSEMI - MJD127T4G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4G MJD127T4G ONSEMI 1744688.pdf Description: ONSEMI - MJD127T4G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 20W
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4G HXY MOSFET mjd122-d.pdf Transistor Darlington PNP; 12000; 1,5W; 100V; 8A; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJD127G; MJD127T4G; MJD127T4; MJD127-TP; MJD127T4G HXY MOSFET TMJD127 HXY
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4G HXY MOSFET mjd122-d.pdf Transistor Darlington PNP; 12000; 1,5W; 100V; 8A; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJD127G; MJD127T4G; MJD127T4; MJD127-TP; MJD127T4G HXY MOSFET TMJD127 HXY
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4G*************
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4G mjd122-d.pdf
MJD127T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
373+37.69 грн
500+34.69 грн
1000+31.57 грн
Мінімальне замовлення: 373 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4G mjd122-d.pdf
MJD127T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 52500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
236+59.69 грн
312+45.09 грн
500+35.11 грн
1000+29.66 грн
2500+25.38 грн
5000+22.53 грн
Мінімальне замовлення: 236 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4G mjd122.pdf
MJD127T4G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+79.82 грн
8+56.33 грн
10+47.69 грн
20+40.19 грн
50+32.37 грн
100+28.08 грн
200+25.04 грн
500+24.71 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4G mjd122-d.pdf
MJD127T4G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 1024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+82.36 грн
10+49.88 грн
100+32.81 грн
500+23.90 грн
1000+21.68 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4G mjd122-d.pdf
MJD127T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 52500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+105.52 грн
13+59.69 грн
100+45.09 грн
500+33.86 грн
1000+27.46 грн
2500+24.36 грн
5000+22.53 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4G mjd122-d.pdf
MJD127T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
130+108.34 грн
131+107.90 грн
250+103.62 грн
500+95.55 грн
1000+91.35 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4G mjd122-d.pdf
MJD127T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+109.22 грн
10+108.78 грн
25+108.34 грн
100+104.04 грн
250+95.94 грн
500+91.73 грн
1000+91.35 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4G mjd122-d.pdf
MJD127T4G
Виробник: onsemi
Darlington Transistors 8A 100V Bipolar Power PNP
на замовлення 8966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4G 1744688.pdf
MJD127T4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD127T4G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4G 1744688.pdf
MJD127T4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD127T4G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 20W
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4G mjd122-d.pdf
Виробник: HXY MOSFET
Transistor Darlington PNP; 12000; 1,5W; 100V; 8A; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJD127G; MJD127T4G; MJD127T4; MJD127-TP; MJD127T4G HXY MOSFET TMJD127 HXY
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4G mjd122-d.pdf
Виробник: HXY MOSFET
Transistor Darlington PNP; 12000; 1,5W; 100V; 8A; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJD127G; MJD127T4G; MJD127T4; MJD127-TP; MJD127T4G HXY MOSFET TMJD127 HXY
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4G*************
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.