MJD127T4G ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - MJD127T4G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 4660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 38.48 грн |
| 500+ | 28.27 грн |
| 1000+ | 20.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD127T4G ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD127T4G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 8A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 4MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції MJD127T4G за ціною від 17.74 грн до 66.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MJD127T4G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.75 W |
на замовлення 1673 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD127T4G | Виробник : onsemi |
Darlington Transistors 8A 100V Bipolar Power PNP |
на замовлення 28920 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD127T4G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD127T4G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 8A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 4MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 4660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| MJD127T4G | Виробник : ONS |
Биполярный транзистор PNP DARL 100V 8A DPak |
на замовлення 10 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| MJD127T4G************* |
на замовлення 17500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
|
MJD127T4G Код товару: 180192 |
Транзистори > Біполярні PNP |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
 |
MJD127T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
MJD127T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
MJD127T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
MJD127T4G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD Darlington transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 8A Power dissipation: 20W Case: DPAK Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
MJD127T4G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.75 W |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
MJD127T4G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD Darlington transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 8A Power dissipation: 20W Case: DPAK Mounting: SMD |
товар відсутній |