Продукція > ONSEMI > MJD210T4G
MJD210T4G

MJD210T4G onsemi

mjd200-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+15.72 грн
5000+13.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD210T4G onsemi

Description: ONSEMI - MJD210T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 1.4W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 5A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 65MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції MJD210T4G за ціною від 16.95 грн до 94.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MJD210T4G MJD210T4G ON Semiconductor mjd200d.pdf Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
478+30.13 грн
573+25.12 грн
579+24.88 грн
649+21.40 грн
1000+17.65 грн
Мінімальне замовлення: 478 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4G MJD210T4G ON Semiconductor mjd200d.pdf Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+36.20 грн
26+30.13 грн
100+24.23 грн
250+22.21 грн
500+19.02 грн
1000+16.95 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4G MJD210T4G ON Semiconductor mjd200d.pdf Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
332+43.45 грн
460+31.35 грн
559+25.77 грн
1000+20.94 грн
Мінімальне замовлення: 332 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4G MJD210T4G ON Semiconductor mjd200d.pdf Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+64.90 грн
18+44.89 грн
100+32.40 грн
500+25.67 грн
1000+20.03 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4G MJD210T4G onsemi mjd200-d.pdf Description: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 15835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.07 грн
10+40.18 грн
100+26.16 грн
500+18.87 грн
1000+17.04 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4G MJD210T4G onsemi mjd200-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W PNP
на замовлення 3479 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
4+94.89 грн
10+67.01 грн
100+36.16 грн
500+24.92 грн
1000+21.00 грн
2500+18.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4G MJD210T4G ONSEMI mjd200-d.pdf Description: ONSEMI - MJD210T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.4W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4G MJD210T4G ONSEMI mjd200-d.pdf Description: ONSEMI - MJD210T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.4W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4G*************
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4G mjd200d.pdf
MJD210T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
478+30.13 грн
573+25.12 грн
579+24.88 грн
649+21.40 грн
1000+17.65 грн
Мінімальне замовлення: 478 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4G mjd200d.pdf
MJD210T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+36.20 грн
26+30.13 грн
100+24.23 грн
250+22.21 грн
500+19.02 грн
1000+16.95 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4G mjd200d.pdf
MJD210T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
332+43.45 грн
460+31.35 грн
559+25.77 грн
1000+20.94 грн
Мінімальне замовлення: 332 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4G mjd200d.pdf
MJD210T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+64.90 грн
18+44.89 грн
100+32.40 грн
500+25.67 грн
1000+20.03 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4G mjd200-d.pdf
MJD210T4G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 15835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+67.07 грн
10+40.18 грн
100+26.16 грн
500+18.87 грн
1000+17.04 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4G mjd200-d.pdf
MJD210T4G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W PNP
на замовлення 3479 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+94.89 грн
10+67.01 грн
100+36.16 грн
500+24.92 грн
1000+21.00 грн
2500+18.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4G mjd200-d.pdf
MJD210T4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD210T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.4W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4G mjd200-d.pdf
MJD210T4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD210T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.4W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4G*************
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.