Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MJD210T4G
MJD210T4G

MJD210T4G ON Semiconductor

mjd200-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1711+17.79 грн
Мінімальне замовлення: 1711
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD210T4G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJD210T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 5A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.4W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 65MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції MJD210T4G за ціною від 12.30 грн до 71.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJD210T4G MJD210T4G Виробник : ON Semiconductor mjd200-d.pdf Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1711+17.79 грн
Мінімальне замовлення: 1711
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4G MJD210T4G Виробник : ON Semiconductor mjd200-d.pdf Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 110047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1711+17.79 грн
Мінімальне замовлення: 1711
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4G MJD210T4G Виробник : ON Semiconductor mjd200-d.pdf Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 31500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1711+17.79 грн
Мінімальне замовлення: 1711
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4G MJD210T4G Виробник : ON Semiconductor mjd200-d.pdf Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1711+17.79 грн
Мінімальне замовлення: 1711
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4G MJD210T4G Виробник : onsemi mjd200-d.pdf Description: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+17.80 грн
5000+15.75 грн
7500+15.04 грн
12500+13.37 грн
17500+12.92 грн
25000+12.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4G MJD210T4G Виробник : ONSEMI 1749673.pdf Description: ONSEMI - MJD210T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+25.69 грн
500+18.88 грн
1000+15.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4G MJD210T4G Виробник : ON Semiconductor mjd200-d.pdf Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
412+29.60 грн
529+23.01 грн
535+22.79 грн
628+18.71 грн
1000+15.56 грн
3000+13.25 грн
Мінімальне замовлення: 412
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4G MJD210T4G Виробник : ON Semiconductor mjd200-d.pdf Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+34.03 грн
22+27.58 грн
25+27.49 грн
100+20.61 грн
250+18.89 грн
500+15.44 грн
1000+13.87 грн
3000+12.30 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4G MJD210T4G Виробник : ONSEMI 1749673.pdf Description: ONSEMI - MJD210T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+37.46 грн
50+31.61 грн
100+25.69 грн
500+18.88 грн
1000+15.81 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4G MJD210T4G Виробник : onsemi MJD200_D-1811545.pdf Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W PNP
на замовлення 11998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.05 грн
10+39.84 грн
100+23.78 грн
500+18.86 грн
1000+16.73 грн
2500+14.82 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4G MJD210T4G Виробник : onsemi mjd200-d.pdf Description: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 47548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.45 грн
10+42.96 грн
100+27.93 грн
500+20.16 грн
1000+18.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4G MJD210T4G Виробник : ON Semiconductor mjd200-d.pdf Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4G*************
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4G Виробник : ON mjd200-d.pdf 07+;
на замовлення 9675 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4G MJD210T4G Виробник : ON Semiconductor mjd200-d.pdf Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.