Продукція > ONSEMI > MJD210T4G
MJD210T4G

MJD210T4G onsemi

mjd200-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Power - Max: 1.4 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 65MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+15.66 грн
5000+13.85 грн
7500+13.23 грн
12500+11.75 грн
17500+11.36 грн
25000+11.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD210T4G onsemi

Description: ONSEMI - MJD210T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 5A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.4W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 65MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції MJD210T4G за ціною від 15.40 грн до 62.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MJD210T4G MJD210T4G ON Semiconductor mjd200-d.pdf Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1711+20.68 грн
Мінімальне замовлення: 1711 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4G MJD210T4G ON Semiconductor mjd200-d.pdf Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1711+20.68 грн
Мінімальне замовлення: 1711 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4G MJD210T4G ON Semiconductor mjd200-d.pdf Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 110047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1711+20.68 грн
Мінімальне замовлення: 1711 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4G MJD210T4G ON Semiconductor mjd200-d.pdf Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 31500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1711+20.68 грн
Мінімальне замовлення: 1711 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4G MJD210T4G ON Semiconductor mjd200-d.pdf Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1711+20.68 грн
Мінімальне замовлення: 1711 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4G MJD210T4G ON Semiconductor mjd200-d.pdf Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
412+34.40 грн
529+26.74 грн
535+26.48 грн
628+21.74 грн
1000+18.08 грн
3000+15.40 грн
Мінімальне замовлення: 412 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4G MJD210T4G ON Semiconductor mjd200-d.pdf Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+42.58 грн
22+34.52 грн
25+34.40 грн
100+25.79 грн
250+23.64 грн
500+19.32 грн
1000+17.36 грн
3000+15.40 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4G MJD210T4G onsemi mjd200-d.pdf Description: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Power - Max: 1.4 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 65MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 28872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.77 грн
10+37.76 грн
100+24.56 грн
500+17.72 грн
1000+16.01 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4G MJD210T4G onsemi mjd200-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W PNP
на замовлення 3548 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4G MJD210T4G ONSEMI mjd200-d.pdf Description: ONSEMI - MJD210T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4G MJD210T4G ONSEMI 1749673.pdf Description: ONSEMI - MJD210T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4G*************
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4G ON mjd200-d.pdf 07+;
на замовлення 9675 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4G mjd200-d.pdf
MJD210T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1711+20.68 грн
Мінімальне замовлення: 1711 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4G mjd200-d.pdf
MJD210T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1711+20.68 грн
Мінімальне замовлення: 1711 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4G mjd200-d.pdf
MJD210T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 110047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1711+20.68 грн
Мінімальне замовлення: 1711 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4G mjd200-d.pdf
MJD210T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 31500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1711+20.68 грн
Мінімальне замовлення: 1711 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4G mjd200-d.pdf
MJD210T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1711+20.68 грн
Мінімальне замовлення: 1711 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4G mjd200-d.pdf
MJD210T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
412+34.40 грн
529+26.74 грн
535+26.48 грн
628+21.74 грн
1000+18.08 грн
3000+15.40 грн
Мінімальне замовлення: 412 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4G mjd200-d.pdf
MJD210T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+42.58 грн
22+34.52 грн
25+34.40 грн
100+25.79 грн
250+23.64 грн
500+19.32 грн
1000+17.36 грн
3000+15.40 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4G mjd200-d.pdf
MJD210T4G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Power - Max: 1.4 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 65MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 28872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+62.77 грн
10+37.76 грн
100+24.56 грн
500+17.72 грн
1000+16.01 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4G mjd200-d.pdf
MJD210T4G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W PNP
на замовлення 3548 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4G mjd200-d.pdf
MJD210T4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD210T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4G 1749673.pdf
MJD210T4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD210T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4G*************
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4G mjd200-d.pdf
Виробник: ON
07+;
на замовлення 9675 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.