MJD210T4G ON Semiconductor
на замовлення 2155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1711+ | 17.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD210T4G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJD210T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 5A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.4W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 65MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції MJD210T4G за ціною від 12.36 грн до 74.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MJD210T4G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 110047 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MJD210T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 31500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MJD210T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 80000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MJD210T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 3833 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
MJD210T4G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 25V 5A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 65MHz Supplier Device Package: DPAK Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 1.4 W |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
MJD210T4G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD210T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 65MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MJD210T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MJD210T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MJD210T4G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD210T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 65MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
MJD210T4G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W PNP |
на замовлення 11998 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MJD210T4G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 25V 5A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 65MHz Supplier Device Package: DPAK Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 1.4 W |
на замовлення 47548 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
MJD210T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
| MJD210T4G************* |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
| MJD210T4G | Виробник : ON |
07+; |
на замовлення 9675 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
|
MJD210T4G Код товару: 132802
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Біполярні PNP |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||||
|
|
MJD210T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |