Продукція > Транзистори > Біполярні PNP > MJD210T4G

MJD210T4G

mjd200-d.pdf
Код товару: 132802
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні PNP

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції MJD210T4G за ціною від 11.13 грн до 62.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MJD210T4G MJD210T4G onsemi mjd200-d.pdf Description: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Power - Max: 1.4 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 65MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.62 грн
5000+13.82 грн
7500+13.20 грн
12500+11.73 грн
17500+11.34 грн
25000+11.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4G MJD210T4G ON Semiconductor mjd200-d.pdf Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1711+20.63 грн
Мінімальне замовлення: 1711 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4G MJD210T4G ON Semiconductor mjd200-d.pdf Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1711+20.63 грн
Мінімальне замовлення: 1711 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4G MJD210T4G ON Semiconductor mjd200-d.pdf Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 110047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1711+20.63 грн
Мінімальне замовлення: 1711 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4G MJD210T4G ON Semiconductor mjd200-d.pdf Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 31500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1711+20.63 грн
Мінімальне замовлення: 1711 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4G MJD210T4G ON Semiconductor mjd200-d.pdf Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1711+20.63 грн
Мінімальне замовлення: 1711 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4G MJD210T4G ON Semiconductor mjd200-d.pdf Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
412+34.32 грн
529+26.68 грн
535+26.42 грн
628+21.69 грн
1000+18.04 грн
3000+15.36 грн
Мінімальне замовлення: 412 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4G MJD210T4G ON Semiconductor mjd200-d.pdf Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+42.49 грн
22+34.44 грн
25+34.32 грн
100+25.73 грн
250+23.59 грн
500+19.28 грн
1000+17.32 грн
3000+15.36 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4G MJD210T4G onsemi mjd200-d.pdf Description: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Power - Max: 1.4 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 65MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 28872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.63 грн
10+37.67 грн
100+24.50 грн
500+17.68 грн
1000+15.97 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4G MJD210T4G onsemi mjd200-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W PNP
на замовлення 3548 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4G MJD210T4G ONSEMI mjd200-d.pdf Description: ONSEMI - MJD210T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4G MJD210T4G ONSEMI 1749673.pdf Description: ONSEMI - MJD210T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4G*************
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4G ON mjd200-d.pdf 07+;
на замовлення 9675 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4G mjd200-d.pdf
MJD210T4G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Power - Max: 1.4 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 65MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+15.62 грн
5000+13.82 грн
7500+13.20 грн
12500+11.73 грн
17500+11.34 грн
25000+11.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4G mjd200-d.pdf
MJD210T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1711+20.63 грн
Мінімальне замовлення: 1711 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4G mjd200-d.pdf
MJD210T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1711+20.63 грн
Мінімальне замовлення: 1711 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4G mjd200-d.pdf
MJD210T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 110047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1711+20.63 грн
Мінімальне замовлення: 1711 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4G mjd200-d.pdf
MJD210T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 31500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1711+20.63 грн
Мінімальне замовлення: 1711 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4G mjd200-d.pdf
MJD210T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1711+20.63 грн
Мінімальне замовлення: 1711 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4G mjd200-d.pdf
MJD210T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
412+34.32 грн
529+26.68 грн
535+26.42 грн
628+21.69 грн
1000+18.04 грн
3000+15.36 грн
Мінімальне замовлення: 412 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4G mjd200-d.pdf
MJD210T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+42.49 грн
22+34.44 грн
25+34.32 грн
100+25.73 грн
250+23.59 грн
500+19.28 грн
1000+17.32 грн
3000+15.36 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4G mjd200-d.pdf
MJD210T4G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Power - Max: 1.4 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 65MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 28872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+62.63 грн
10+37.67 грн
100+24.50 грн
500+17.68 грн
1000+15.97 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4G mjd200-d.pdf
MJD210T4G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W PNP
на замовлення 3548 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4G mjd200-d.pdf
MJD210T4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD210T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4G 1749673.pdf
MJD210T4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD210T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4G*************
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4G mjd200-d.pdf
Виробник: ON
07+;
на замовлення 9675 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.