MJD243


mjd243-d.pdf Виробник:

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD243

Description: TRANS NPN 100V 4A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V, Frequency - Transition: 40MHz, Supplier Device Package: DPAK, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 1.4 W.

Інші пропозиції MJD243

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJD243 MJD243
Код товару: 20318
Додати до обраних Обраний товар

mjd243-d.pdf
8542 39 90 00
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243 MJD243 Виробник : onsemi mjd243-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243 MJD243 Виробник : onsemi MJD243_D-2315743.pdf Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243 Виробник : Diodes Incorporated mjd243-d.pdf Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.