Продукція > MJD

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
MJD-104-3960DIP-100KNTCA/N
на замовлення 19000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD1029
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD1029T4
на замовлення 1941 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD1034T4
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD10N05E
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD11
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD1117
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112STTO-252
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112FAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112ONTO-252
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112onsemiDarlington Transistors 2A 100V Bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112LGETransistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1W; TO252 MJD112-LGE MJD112 TMJD112 LGE
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+8.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112FAIRCHILDTO-252
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112 TO252 SMDLUGUANG ELECTRONICCategory: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1W; TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1W
Case: TO252
Current gain: 200...12000
Mounting: SMD
Frequency: 25MHz
на замовлення 4813 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+17.23 грн
45+9.58 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112 TO252 SMD
Код товару: 202522
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112 TO252 SMDLUGUANG ELECTRONICCategory: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1W; TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1W
Case: TO252
Current gain: 200...12000
Mounting: SMD
Frequency: 25MHz
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 4813 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+20.68 грн
30+11.94 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-001onsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-001
на замовлення 6325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1GONSEMIMJD112-1G NPN THT Darlington transistors
на замовлення 129 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+119.53 грн
21+58.00 грн
57+55.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 26950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
636+51.03 грн
1000+47.06 грн
10000+41.96 грн
Мінімальне замовлення: 636
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1GonsemiDarlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+111.46 грн
10+61.38 грн
75+37.11 грн
525+34.20 грн
1050+26.58 грн
2475+26.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 43200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
191+68.04 грн
300+58.89 грн
1050+46.54 грн
2550+42.67 грн
5025+35.80 грн
Мінімальне замовлення: 191
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+44.92 грн
18+41.47 грн
75+38.33 грн
525+35.66 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 2870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.47 грн
75+45.97 грн
150+41.14 грн
525+32.15 грн
1050+29.36 грн
2025+27.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+53.31 грн
525+45.40 грн
Мінімальне замовлення: 244
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1GON Semiconductor
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 15444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
636+51.03 грн
1000+47.06 грн
10000+41.96 грн
Мінімальне замовлення: 636
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD112-1G - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 12000hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 150169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
636+51.03 грн
1000+47.06 грн
10000+41.96 грн
100000+33.91 грн
Мінімальне замовлення: 636
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
310+41.92 грн
Мінімальне замовлення: 310
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 44108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
636+51.03 грн
1000+47.06 грн
10000+41.96 грн
Мінімальне замовлення: 636
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+57.12 грн
525+48.65 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-TPMicro Commercial ComponentsTrans Darlington NPN 100V 2A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT TRANS NPN 100V 2A DPAK
на замовлення 507 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-TR
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112/117
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
285+45.53 грн
403+32.19 грн
525+25.33 грн
1050+18.16 грн
Мінімальне замовлення: 285
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD112G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 5778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+80.28 грн
15+54.03 грн
100+28.59 грн
500+23.55 грн
1000+18.90 грн
5000+15.92 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112GonsemiDarlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN
на замовлення 3940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.20 грн
10+41.64 грн
75+22.01 грн
525+17.24 грн
1050+15.92 грн
2475+15.44 грн
4950+14.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
295+43.99 грн
525+27.59 грн
2550+25.01 грн
Мінімальне замовлення: 295
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112GONSEMIMJD112G NPN SMD Darlington transistors
на замовлення 280 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+87.33 грн
50+24.00 грн
136+22.70 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+33.83 грн
525+26.86 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 4268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.09 грн
75+28.79 грн
150+25.57 грн
525+19.69 грн
1050+17.83 грн
2025+16.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+94.14 грн
16+49.11 грн
75+34.72 грн
525+26.35 грн
1050+18.14 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112GNPN 100V, 2A, general purpose transistor DPAK
на замовлення 2429 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
13+38.81 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
411+31.58 грн
525+25.07 грн
Мінімальне замовлення: 411
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112RLonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112RL
на замовлення 7900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112RL (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 20829
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112RLGON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112RLGonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 5516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.23 грн
10+63.51 грн
100+42.36 грн
500+31.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112RLG
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112RLGON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+32.91 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112RLGonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+29.35 грн
3600+26.14 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112RLGonsemiDarlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN
на замовлення 11063 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+109.84 грн
10+68.23 грн
100+39.53 грн
500+31.22 грн
1000+26.51 грн
1800+26.10 грн
3600+25.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112RLGON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.22 грн
5000+20.38 грн
10000+18.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4STMicroelectronicsCategory: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 25MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3352 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+75.38 грн
10+49.84 грн
100+29.60 грн
500+20.90 грн
1000+18.10 грн
2500+17.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
595+21.81 грн
647+20.04 грн
654+19.83 грн
697+17.95 грн
1000+16.12 грн
3000+15.01 грн
Мінімальне замовлення: 595
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4STMicroelectronicsDarlington Transistors NPN Power Darlington
на замовлення 5211 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+68.73 грн
10+42.27 грн
100+24.02 грн
500+18.48 грн
1000+16.75 грн
2500+14.75 грн
5000+12.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+18.20 грн
10000+17.21 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+25.38 грн
32+23.37 грн
100+20.71 грн
250+18.97 грн
500+17.09 грн
1000+16.58 грн
3000+16.08 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 8008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.42 грн
10+39.07 грн
100+25.48 грн
500+18.42 грн
1000+16.65 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4STMicroelectronicsCategory: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 25MHz
на замовлення 3352 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+62.82 грн
11+40.00 грн
100+24.67 грн
500+17.42 грн
1000+15.08 грн
2500+14.58 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+16.06 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJD112T4 - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+76.65 грн
17+47.73 грн
100+31.18 грн
500+22.27 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.53 грн
5000+18.89 грн
10000+17.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.30 грн
5000+14.43 грн
7500+13.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4 (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 26922
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4GonsemiDarlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN
на замовлення 7510 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.20 грн
10+44.18 грн
100+25.20 грн
500+19.45 грн
1000+17.17 грн
2500+14.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.86 грн
5000+18.79 грн
7500+18.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+88.88 грн
14+54.44 грн
25+53.89 грн
100+35.89 грн
250+32.90 грн
500+24.48 грн
1000+17.96 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.59 грн
5000+15.59 грн
7500+14.91 грн
12500+13.27 грн
17500+12.84 грн
25000+12.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.42 грн
5000+20.39 грн
7500+19.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD112T4G - Darlington-Transistor, NPN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 5262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+65.66 грн
50+41.92 грн
100+29.96 грн
500+23.02 грн
1000+17.45 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4GON09+
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
258+50.30 грн
374+34.74 грн
377+34.39 грн
500+25.70 грн
1000+17.46 грн
Мінімальне замовлення: 258
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4GSTTO-252
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.21 грн
5000+20.14 грн
7500+19.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.79 грн
5000+21.72 грн
7500+21.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 72019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.09 грн
10+41.92 грн
100+27.39 грн
500+19.84 грн
1000+17.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4GON
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD112T4G - Darlington-Transistor, NPN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 6372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.39 грн
500+23.47 грн
1000+19.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4GONTO-252
на замовлення 31000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4G*************
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112TFON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112TFonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112TFON Semiconductor / FairchildDarlington Transistors NPN Si Transistor Darlington
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117onsemiDarlington Transistors 2A 100V Bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117MJD117 Микросхемы
на замовлення 99 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117
Код товару: 99164
Додати до обраних Обраний товар

ONТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: D-Pak
fT: 25 MHz
Uке, В: 100 V
Uкб, В: 100 V
Iк, А: 2 А
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+5.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117onsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117-001onsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117-1GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117-1GON
на замовлення 25500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117-1GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) DPAK-3 Tube
на замовлення 58038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1144+28.35 грн
10000+25.27 грн
Мінімальне замовлення: 1144
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117-1GON Semiconductor
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117-1GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD117-1G - Darlington-Transistor, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 153995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+18.09 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117-1GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: IPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 148891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1113+20.02 грн
Мінімальне замовлення: 1113
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117-1GonsemiDarlington Transistors 2A 100V Bipolar Power PNP
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+68.65 грн
10+59.63 грн
75+40.50 грн
525+31.43 грн
1050+22.78 грн
2400+22.15 грн
4800+21.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117-1GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) DPAK-3 Tube
на замовлення 81991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1144+28.35 грн
10000+25.27 грн
Мінімальне замовлення: 1144
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117-1GON09+ TQFP
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117-HFComchip TechnologyDescription: TRANS 100V 2A TO-252-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2mA, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: TO-252-2
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117-HFComchip TechnologyBipolar Transistors - BJT TRANS PNP GEN PURP 100V 2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117-TPMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117-TR
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD117G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+108.22 грн
13+62.83 грн
100+42.32 грн
500+36.00 грн
1000+30.11 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
246+52.92 грн
Мінімальне замовлення: 246
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 6379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.46 грн
75+39.40 грн
150+35.18 грн
525+27.36 грн
1050+24.92 грн
2025+22.96 грн
5025+20.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117G
Код товару: 79758
Додати до обраних Обраний товар

ONТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-252
Uке, В: 100 V
Uкб, В: 100 V
Iк, А: 2 A
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+11.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+70.23 грн
14+56.74 грн
25+52.70 грн
75+41.93 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
134+96.81 грн
188+69.24 грн
209+62.06 грн
Мінімальне замовлення: 134
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117GonsemiDarlington Transistors 2A 100V Bipolar Power PNP
на замовлення 1602 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+84.80 грн
10+56.13 грн
25+40.29 грн
75+35.65 грн
525+29.77 грн
1050+24.99 грн
2400+23.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117RLGonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117RLG
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4STMicroelectronicsTrans Darlington PNP 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.68 грн
5000+19.57 грн
7500+19.37 грн
12500+18.49 грн
17500+16.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 6593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.76 грн
10+45.07 грн
100+29.53 грн
500+21.46 грн
1000+19.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4STMicroelectronicsMJD117T4 PNP SMD Darlington transistors
на замовлення 3416 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+96.16 грн
59+20.20 грн
162+19.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4STMicroelectronicsTrans Darlington PNP 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.08 грн
5000+18.25 грн
7500+18.07 грн
12500+17.24 грн
17500+15.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4STMicroelectronicsDarlington Transistors PNP Power Darlington
на замовлення 6030 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.13 грн
10+47.69 грн
100+27.14 грн
500+21.04 грн
1000+19.04 грн
2500+16.82 грн
5000+14.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4STMicroelectronicsTrans Darlington PNP 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.10 грн
5000+16.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJD117T4 - Bipolartransistor (BJT), Darlington, PNP, -100V, 20W, -2A, 200hFE
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+84.80 грн
16+53.39 грн
100+34.97 грн
500+25.12 грн
1000+21.04 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4STMicroelectronicsTrans Darlington PNP 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4STMicroelectronicsTrans Darlington PNP 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4 PBF
Код товару: 21024
Додати до обраних Обраний товар

ONТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-252
Uке, В: 100 V
Uкб, В: 100 V
Iк, А: 2 A
Примітка: Дарлінгтон
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4GonsemiDarlington Transistors 2A 100V Bipolar Power PNP
на замовлення 8665 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+81.57 грн
10+52.86 грн
100+30.32 грн
500+23.61 грн
1000+21.39 грн
2500+18.97 грн
5000+18.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD117T4G - Darlington-Transistor, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+73.09 грн
50+54.44 грн
100+37.47 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 2399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.00 грн
10+49.12 грн
100+32.35 грн
500+23.60 грн
1000+21.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4GMJD117T4G Диоды
на замовлення 1036 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD117T4G - Darlington-Transistor, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.75W
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+37.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+109.24 грн
10+108.21 грн
25+107.17 грн
100+102.34 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4G*********
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117TFonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117TF
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117TFFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A TO252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117TFONSEMIDescription: ONSEMI - MJD117TF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 24317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+24.96 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117TFFAIRCHILDTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
935+34.67 грн
1014+31.98 грн
Мінімальне замовлення: 935
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117TFonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117TFON Semiconductor / FairchildDarlington Transistors PNP Silicon Darl
на замовлення 18518 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117TFFAIRCHILDTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
935+34.67 грн
1014+31.98 грн
10000+28.52 грн
Мінімальне замовлення: 935
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117TF-FSFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122YFWTranzystor NPN; 12000; 1,5W; 100V; 8A; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJD122-LGE; MJD122 TO252 YFW TMJD122 lge
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 123 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+8.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122onsemiDarlington Transistors 8A 100V Bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122EVVODescription: TRANS NPN DARL 100V 8A TO-252-2L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: TO-252-2L
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.84 грн
5000+10.42 грн
7500+9.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122YFWTranzystor NPN; 12000; 1,5W; 100V; 8A; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJD122-YFW; MJD122 TO252 YFW TMJD122 YFW
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+7.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122LGETranzystor NPN; 12000; 1,5W; 100V; 8A; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJD122-LGE; MJD122 TO252 YFW TMJD122 lge
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+8.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122EVVODescription: TRANS NPN DARL 100V 8A TO-252-2L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: TO-252-2L
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.06 грн
11+29.47 грн
100+18.97 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122 (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 23955
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122 TO252 SMDLUGUANG ELECTRONICCategory: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.5W; TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1.5W
Case: TO252
Current gain: 100...12000
Mounting: SMD
на замовлення 4904 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+17.05 грн
40+11.58 грн
100+10.42 грн
500+9.25 грн
2500+8.75 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122 TO252 SMD
Код товару: 181912
Додати до обраних Обраний товар


товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122 TO252 SMDLUGUANG ELECTRONICCategory: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.5W; TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1.5W
Case: TO252
Current gain: 100...12000
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 4904 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+20.46 грн
25+14.43 грн
100+12.50 грн
500+11.10 грн
2500+10.50 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122-1
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122-1STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJD122-1 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 8 A, 20 W
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE
Transistormontage: Durchsteckmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 20W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 8A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+101.76 грн
16+51.29 грн
100+39.74 грн
500+33.97 грн
1000+26.03 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122-1STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122-1STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A TO251
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.35 грн
75+41.16 грн
150+36.77 грн
525+28.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122-1STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122-1STMicroelectronicsDarlington Transistors NPN PWR Darlington Int Anti Collector
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.96 грн
10+50.15 грн
75+33.78 грн
525+28.04 грн
1050+25.82 грн
2550+22.91 грн
5025+20.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122-1GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122-1GonsemiDarlington Transistors BIP IPAK NPN 8A 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT TRANS NPN 100V 8A DPAK
на замовлення 4846 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+87.23 грн
10+53.98 грн
100+30.94 грн
500+24.09 грн
1000+21.88 грн
2500+18.83 грн
5000+17.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122-TPMicro Commercial ComponentsTrans Darlington NPN 100V 8A 1500mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.99 грн
5000+19.56 грн
7500+18.74 грн
12500+16.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 22142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.11 грн
10+51.07 грн
100+33.65 грн
500+24.57 грн
1000+22.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122-TP-HF-B002Micro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122-TR
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122/127
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 7372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+103.47 грн
10+92.66 грн
75+40.76 грн
525+38.53 грн
1050+33.03 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 7360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
151+85.90 грн
344+37.78 грн
525+37.05 грн
1050+33.07 грн
Мінімальне замовлення: 151
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122GonsemiDarlington Transistors 8A 100V Bipolar Power NPN
на замовлення 7204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+87.23 грн
10+81.20 грн
75+29.35 грн
525+27.55 грн
1050+26.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122GONSEMIMJD122G NPN SMD Darlington transistors
на замовлення 290 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+100.04 грн
23+52.90 грн
62+50.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
211+61.49 грн
326+39.81 грн
1050+38.14 грн
Мінімальне замовлення: 211
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD122G - DARLINGTON-TRANSISTOR, 100V, 8A, D-PAK
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.75W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+100.96 грн
10+95.30 грн
100+39.49 грн
500+35.55 грн
1000+31.78 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122GOn SemiconductorNPN Darl. DPAK
на замовлення 400 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122G
Код товару: 165785
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 4125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
381+34.11 грн
Мінімальне замовлення: 381
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+35.26 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 5096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.70 грн
75+45.44 грн
150+40.67 грн
525+31.80 грн
1050+29.04 грн
2025+26.83 грн
5025+23.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122RLG
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122RLGON Semiconductor8.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122RLGonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122RLGonsemiDarlington Transistors BIP DPAK NPN 8A 100V
на замовлення 1785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.64 грн
10+43.63 грн
100+25.89 грн
500+21.67 грн
1000+18.41 грн
1800+16.61 грн
3600+15.44 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122S-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: NPN TRANSISTORS,DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 50mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+22.09 грн
10000+21.64 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4onsemiDarlington Transistors 8A 100V Bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4STTrans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R MJD122T4 DPAK STMicroelectronics TMJD122t4 STM
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+15.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+29.25 грн
29+26.24 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 9875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.54 грн
10+45.67 грн
100+30.04 грн
500+21.85 грн
1000+19.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1260000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.31 грн
5000+17.46 грн
10000+16.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4STMicroelectronicsDarlington Transistors NPN Power Darlington
на замовлення 7463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+79.88 грн
10+49.44 грн
100+28.31 грн
500+21.88 грн
1000+19.87 грн
2500+17.65 грн
5000+15.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4STMicroelectronicsCategory: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 100...1000
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+87.23 грн
10+52.85 грн
100+34.10 грн
500+25.30 грн
1000+21.90 грн
2500+18.00 грн
5000+15.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1260000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.62 грн
5000+18.64 грн
10000+17.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.48 грн
5000+17.30 грн
7500+16.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4STMicroelectronicsCategory: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 100...1000
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+72.69 грн
10+42.41 грн
100+28.42 грн
500+21.08 грн
1000+18.25 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4STTrans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R MJD122T4 DPAK STMicroelectronics TMJD122t4 STM
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+15.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+20.20 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4 (MJD122T4G) (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 30180
Додати до обраних Обраний товар

ONТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: D-Pak
Uceo,V: 100 V
Ucbo,V: 100 V
Ic,A: 8 A
h21: 5000
Примітка: Дарлінгтон
товару немає в наявності
1+20.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.21 грн
5000+28.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+40.47 грн
3000+35.91 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD122T4G - TRANSISTOR, NPN, 100V, 8A, TO-252-3
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8A
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 11347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+108.22 грн
50+68.49 грн
100+47.00 грн
500+35.92 грн
1000+29.56 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4GONSEMIMJD122T4G NPN SMD Darlington transistors
на замовлення 262 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+103.27 грн
32+37.90 грн
86+35.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.06 грн
5000+26.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 38937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.34 грн
10+54.60 грн
100+36.18 грн
500+26.52 грн
1000+24.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+116.23 грн
11+72.62 грн
25+71.89 грн
100+49.04 грн
250+44.97 грн
500+33.54 грн
1000+27.89 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4GonsemiDarlington Transistors 8A 100V Bipolar Power NPN
на замовлення 3966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+85.61 грн
10+55.17 грн
100+34.06 грн
500+26.58 грн
1000+24.16 грн
2500+21.53 грн
5000+21.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
192+67.77 грн
194+67.10 грн
274+47.47 грн
276+45.33 грн
500+32.61 грн
1000+26.03 грн
Мінімальне замовлення: 192
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD122T4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8A
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 11347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.00 грн
500+35.92 грн
1000+29.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.83 грн
5000+21.24 грн
7500+20.37 грн
12500+18.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4GON-Semiconductordarl.NPN 5A 100V 20W MJD122G, MJD122T4G, MJD122T4, MJD122TF, MJE122-TP MJD122T4 DPAK ONS TMJD122t4
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 2230 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+29.17 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4G*************
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4G-CNCHIPNOBOTransistor Darlington NPN; 1000; 1,25W, 100V; 4A; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJD122G; MJD122T4G; MJD122T4; MJD122-TP; MJD122T4G-CN CHIPNOBO TMJD122t4 CNB
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+9.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4GOSonsemiDarlington Transistors Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS DARL NPN 8A 100V DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122TF
Код товару: 101877
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122TFonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122TF
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122TFON SemiconductorDarlington Transistors NPN Sil Darl Trans
на замовлення 6389 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127EVVODescription: TRANS PNP DARL 100V 8A TO-252-2L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: TO-252-2L
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.29 грн
11+28.95 грн
100+18.63 грн
500+13.31 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127YFWPNP 8A 100V 20W MJD127G MJD127TF MJD127T4G MJD127T4 MJD127-TP MJD127-LGE MJD127 TMJD127
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+9.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127onsemiDarlington Transistors 8A 100V Bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127EVVODescription: TRANS PNP DARL 100V 8A TO-252-2L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: TO-252-2L
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127YFWPNP 8A 100V 20W MJD127G MJD127TF MJD127T4G MJD127T4 MJD127-TP MJD127-LGE MJD127 TMJD127
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+9.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127 TO252 SMDLUGUANG ELECTRONICCategory: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.5W; TO252
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1.5W
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Current gain: 100...12000
на замовлення 4274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+17.95 грн
40+11.67 грн
100+10.50 грн
500+9.33 грн
2500+8.83 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127 TO252 SMDLUGUANG ELECTRONICCategory: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.5W; TO252
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1.5W
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Current gain: 100...12000
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 4274 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
15+21.54 грн
25+14.54 грн
100+12.60 грн
500+11.20 грн
2500+10.60 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127-1
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127-LGE
Код товару: 161555
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT TRANS PNP 100V 8A DPAK
на замовлення 1616 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+89.65 грн
10+55.01 грн
100+31.71 грн
500+24.92 грн
1000+22.50 грн
2500+20.21 грн
5000+17.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PNP 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PNP 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127-TPMicro Commercial ComponentsTrans Darlington PNP 100V 8A 1500mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127-TR
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.37 грн
75+47.88 грн
150+42.89 грн
525+33.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
385+33.74 грн
Мінімальне замовлення: 385
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127G
Код товару: 50655
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127GONSEMICategory: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Current gain: 100...12000
Frequency: 4MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 64 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+130.30 грн
10+66.56 грн
25+51.80 грн
75+50.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
227+57.13 грн
300+51.49 грн
Мінімальне замовлення: 227
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD127G - DARLINGTON-TRANSISTOR, D-PAK
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.75W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 5458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+130.84 грн
10+89.65 грн
100+39.41 грн
500+35.70 грн
1000+32.12 грн
5000+31.50 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 2083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+112.96 грн
17+44.98 грн
150+44.54 грн
525+40.52 грн
1050+37.13 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127GonsemiDarlington Transistors 8A 100V Bipolar Power PNP
на замовлення 1210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+116.30 грн
10+90.76 грн
75+29.84 грн
525+28.87 грн
2700+25.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
304+42.76 грн
307+42.34 грн
525+39.94 грн
1050+38.12 грн
Мінімальне замовлення: 304
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+38.22 грн
150+37.84 грн
525+37.03 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127GONSEMICategory: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Current gain: 100...12000
Frequency: 4MHz
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+108.58 грн
10+53.41 грн
25+43.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127RLGON Semiconductor8.0 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127RLGonsemiDarlington Transistors BIP DPAK PNP 8A 100V
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.12 грн
10+51.11 грн
100+30.32 грн
500+25.34 грн
1000+21.60 грн
1800+19.45 грн
3600+18.07 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127RLGonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127RLG
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127S-TPMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 5V
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127S-TPMicro Commercial Components (MCC)Darlington Transistors PNP -100Vcbo -5V 1.5W -100Vceo -8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4onsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJD127T4 - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+79.31 грн
16+51.04 грн
100+33.44 грн
500+24.00 грн
1000+20.08 грн
5000+19.66 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4STMicroelectronicsTrans Darlington PNP 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+21.43 грн
7500+20.92 грн
10000+19.96 грн
12500+18.86 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4STMicroelectronicsDarlington Transistors PNP Power Darlington
на замовлення 5060 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+73.66 грн
10+45.38 грн
100+25.82 грн
500+20.01 грн
1000+18.07 грн
2500+15.99 грн
5000+14.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 6572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.09 грн
10+42.30 грн
100+27.69 грн
500+20.08 грн
1000+18.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4STMicroelectronicsTrans Darlington PNP 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+20.00 грн
7500+19.53 грн
10000+18.63 грн
12500+17.60 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4STMicroelectronicsCategory: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 371 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+71.07 грн
10+43.92 грн
100+27.70 грн
500+21.40 грн
1000+19.40 грн
2500+17.30 грн
5000+15.90 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4STMicroelectronicsCategory: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+59.23 грн
12+35.25 грн
100+23.08 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4STMicroelectronicsTrans Darlington PNP 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1497500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.74 грн
5000+18.19 грн
7500+17.40 грн
12500+16.54 грн
17500+15.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4
Код товару: 180295
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.83 грн
5000+15.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4STMicroelectronicsTrans Darlington PNP 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1497500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.76 грн
5000+17.29 грн
7500+16.54 грн
12500+15.72 грн
17500+14.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4GonsemiDarlington Transistors 8A 100V Bipolar Power PNP
на замовлення 4836 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+81.57 грн
10+48.64 грн
100+28.52 грн
500+22.36 грн
1000+19.73 грн
2500+17.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+34.10 грн
3000+28.77 грн
5000+27.94 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4GONSEMICategory: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1418 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+90.46 грн
10+63.65 грн
20+52.50 грн
50+42.30 грн
100+36.30 грн
200+31.50 грн
500+30.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4GONSEMICategory: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
на замовлення 1418 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+75.38 грн
10+51.08 грн
20+43.75 грн
50+35.25 грн
100+30.25 грн
200+26.25 грн
500+25.00 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 10522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+77.88 грн
10+47.10 грн
100+31.01 грн
500+22.59 грн
1000+20.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD127T4G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.28 грн
500+27.75 грн
1000+23.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4G
Код товару: 180192
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+67.65 грн
15+51.40 грн
25+49.99 грн
100+37.25 грн
250+33.52 грн
500+26.37 грн
1000+21.60 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.16 грн
5000+17.91 грн
7500+17.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD127T4G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+92.88 грн
50+58.15 грн
100+38.28 грн
500+27.75 грн
1000+23.12 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4GHXY MOSFETTransistor Darlington PNP; 12000; 1,5W; 100V; 8A; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJD127G; MJD127T4G; MJD127T4; MJD127-TP; MJD127T4G HXY MOSFET TMJD127 HXY
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+8.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
271+47.97 грн
278+46.66 грн
360+36.05 грн
371+33.79 грн
500+25.64 грн
1000+20.16 грн
Мінімальне замовлення: 271
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4G*************
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4G-JSMJSMicro SemiconductorTransistor Darlington PNP; 12000; 20W; 100V; 8A; 4MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJD127G; MJD127T4G; MJD127T4; MJD127-TP; MJD127T4G JSMICRO TMJD127 JSM
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+8.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4GOSonsemiDarlington Transistors Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS DARL PNP 8A 100V DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127TFON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+65.24 грн
14+54.82 грн
25+51.50 грн
50+46.44 грн
100+32.20 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127TFON Semiconductor / FairchildDarlington Transistors PNP Si Transistor Darlington
на замовлення 7163 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127TFonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127Т4
Код товару: 26825
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD128
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD128T4
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD128T4onsemiDescription: TRANS PNP DARL 120V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD128T4GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 120V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.38 грн
5000+25.36 грн
7500+24.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD128T4GON SemiconductorTrans Darlington PNP 120V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD128T4GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 120V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 9990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.14 грн
10+63.90 грн
100+42.58 грн
500+31.39 грн
1000+28.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJD128T4GON SemiconductorTrans Darlington PNP 120V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD128T4G
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD128T4GONSEMICategory: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 120V; 8A; 1.75W; DPAK
Kind of transistor: Darlington
Case: DPAK
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.75W
Collector current: 8A
Collector-emitter voltage: 120V
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD128T4GonsemiDarlington Transistors BIP PNP 8A 120V TR
на замовлення 3670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+108.22 грн
10+49.84 грн
100+34.61 грн
500+30.74 грн
1000+26.51 грн
2500+23.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJD13003
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD13003A
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD13003C
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD13005
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD13005T4G
на замовлення 52900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD148
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD148-QJNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 45V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD148-QJNexperiaBipolar Transistors - BJT 45 V, 4 A NPN high power bipolar transistor
на замовлення 2097 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+53.71 грн
10+33.44 грн
100+19.59 грн
500+14.95 грн
1000+13.43 грн
2500+13.36 грн
5000+10.73 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD148-QJNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD148-QJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 4 A, 1.6 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.10 грн
500+16.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD148-QJNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 45V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.62 грн
10+31.65 грн
100+20.56 грн
500+14.69 грн
1000+13.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD148-QJNexperiaTrans GP BJT NPN 45V 4A 1600mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD148-QJNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD148-QJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 4 A, 1.6 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+43.05 грн
23+35.70 грн
100+23.10 грн
500+16.80 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
MJD148JNexperiaBipolar Transistors - BJT MJD148/SOT428/DPAK
на замовлення 2186 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.64 грн
10+32.56 грн
100+18.83 грн
500+14.54 грн
1000+13.01 грн
2500+11.42 грн
5000+10.11 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD148JNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD148J - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 4 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 40hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 15W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 4A
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.05 грн
500+15.82 грн
1000+13.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD148JNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 45V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.6 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD148JNexperiaTrans GP BJT NPN 45V 4A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD148JNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD148J - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 4 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+41.51 грн
28+29.56 грн
100+20.19 грн
500+14.62 грн
1000+12.11 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
MJD148JNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 45V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.6 W
на замовлення 6049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.29 грн
10+33.07 грн
100+21.34 грн
500+15.27 грн
1000+13.74 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD148T4onsemiDescription: TRANS POWER NPN 4A 45V DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 20 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD148T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 4A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD148T4GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 277500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.15 грн
5000+18.79 грн
7500+17.98 грн
12500+16.02 грн
17500+15.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD148T4GonsemiBipolar Transistors - BJT 4A 45V 20W NPN
на замовлення 6207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.81 грн
10+38.53 грн
100+27.83 грн
500+23.74 грн
1000+20.21 грн
2500+16.27 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJD148T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 4A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD148T4GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 278962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.55 грн
10+49.65 грн
100+32.63 грн
500+23.73 грн
1000+21.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD148T4G
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD148T4G*************
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD18002D2
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD18002D2T4
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD18002D2T4G
на замовлення 52900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD18002D2T4GonsemiDescription: TRANS NPN 450V 2A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD18002D2T4GonsemiDescription: TRANS NPN 450V 2A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD18004D2T4G
на замовлення 52900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD20
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200onsemiBipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200ON SemiconductorDescription: TRANS NPN 25V 5A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200-001
на замовлення 99 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200-1
на замовлення 1782 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200GonsemiDescription: TRANS NPN 25V 5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 23020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.09 грн
10+42.07 грн
100+27.49 грн
500+19.88 грн
1000+17.97 грн
2000+16.36 грн
5000+14.38 грн
10000+13.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+64.70 грн
13+57.03 грн
100+43.73 грн
500+33.33 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200GonsemiBipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W NPN
на замовлення 7909 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.04 грн
12+28.82 грн
75+17.17 грн
525+15.78 грн
1050+14.26 грн
2700+13.43 грн
5400+13.29 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200GON07+;
на замовлення 215 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200RLGonsemiDescription: TRANS NPN 25V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 4539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.21 грн
10+44.10 грн
100+28.93 грн
500+21.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200RLGONTO252
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200RLGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200RLGonsemiDescription: TRANS NPN 25V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+19.47 грн
3600+17.22 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200RLGON Semiconductor
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200RLGonsemiBipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W NPN
на замовлення 9486 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.68 грн
10+44.26 грн
100+26.79 грн
500+20.70 грн
1000+17.38 грн
1800+15.92 грн
3600+14.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200T4ON SemiconductorDescription: TRANS NPN 25V 5A DPAK
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1202+19.44 грн
Мінімальне замовлення: 1202
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200T4STMTO-252
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200T4onsemiBipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200T4ON SemiconductorDescription: TRANS NPN 25V 5A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200T4GonsemiDescription: TRANS NPN 25V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200T4GON08+ QFP
на замовлення 360 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200T4GonsemiBipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W NPN
на замовлення 4999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+52.09 грн
10+32.80 грн
100+16.41 грн
500+13.91 грн
1000+12.81 грн
2500+11.42 грн
10000+10.80 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD200T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 5 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.32 грн
500+16.80 грн
1000+14.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200T4GST
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200T4G
Код товару: 132801
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200T4GonsemiDescription: TRANS NPN 25V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.75 грн
10+36.30 грн
100+23.56 грн
500+16.97 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200T4GON Semiconductor
на замовлення 6030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD200T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 5 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+57.99 грн
50+37.07 грн
100+21.32 грн
500+16.80 грн
1000+14.26 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200T4G*************
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200T5GON SemiconductorDescription: TRANS NPN 25V 5A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2055T4
на замовлення 6200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210FAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210FSC0832+ LQFP48
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210FAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210onsemiBipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210onsemiDescription: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210-1
на замовлення 2072 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210-TFSAMSUNGSOT-252
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210GONSEMIMJD210G PNP SMD Darlington transistors
на замовлення 43 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+85.93 грн
46+26.10 грн
125+24.70 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210G
Код товару: 62981
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210GonsemiBipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W PNP
на замовлення 858 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+67.52 грн
10+64.09 грн
75+22.15 грн
525+20.70 грн
1050+14.54 грн
2700+13.64 грн
5400+13.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD210G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+73.66 грн
12+72.45 грн
100+28.75 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210GonsemiDescription: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 16280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.29 грн
75+25.55 грн
150+22.97 грн
525+18.02 грн
1050+16.47 грн
2025+15.21 грн
5025+13.53 грн
10050+12.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210LT4TO-252
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210LT4
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210LTO-251
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210LTO-252T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210RLONSEMIDescription: ONSEMI - MJD210RL - MJD210RL, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 15400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+17.45 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210RLMOT
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210RLonsemiDescription: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210RLonsemiDescription: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 8700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1480+14.48 грн
Мінімальне замовлення: 1480
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210RLAptina ImagingTrans GP BJT PNP 25V 10A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1810+17.92 грн
Мінімальне замовлення: 1810
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+17.93 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210RLGONSEMIDescription: ONSEMI - MJD210RLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+46.04 грн
25+33.44 грн
100+24.63 грн
500+16.27 грн
1000+11.56 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210RLGonsemiDescription: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1589+20.41 грн
Мінімальне замовлення: 1589
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210RLGAptina ImagingTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+16.90 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210RLGONSEMIDescription: ONSEMI - MJD210RLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.85 грн
500+19.42 грн
1000+17.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210RLGON Semiconductor
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1589+20.41 грн
Мінімальне замовлення: 1589
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210RLGonsemiDescription: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 1769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.98 грн
10+40.05 грн
100+26.14 грн
500+18.90 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 13785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1589+20.41 грн
Мінімальне замовлення: 1589
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210RLGonsemiBipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W PNP
на замовлення 1512 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.10 грн
10+34.55 грн
100+22.08 грн
500+18.35 грн
1000+16.75 грн
1800+14.05 грн
3600+13.71 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4Aptina ImagingTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
855+37.93 грн
1000+35.82 грн
Мінімальне замовлення: 855
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4STM07+ TO-252
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4onsemiDescription: TRANS PWR PNP 5A 25V DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
740+29.68 грн
Мінімальне замовлення: 740
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4Aptina ImagingTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
855+37.93 грн
1000+35.82 грн
Мінімальне замовлення: 855
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4ONSEMIDescription: ONSEMI - MJD210T4 - TRANSISTOR, PNP D-PAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+34.81 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4STMTO-252
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4/J210
на замовлення 13700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4GON07+;
на замовлення 9675 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4GonsemiDescription: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.73 грн
5000+13.92 грн
7500+13.29 грн
12500+11.81 грн
17500+11.42 грн
25000+11.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1711+18.96 грн
Мінімальне замовлення: 1711
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 31500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1711+18.96 грн
Мінімальне замовлення: 1711
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD210T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+47.57 грн
50+33.92 грн
100+24.23 грн
500+18.45 грн
1000+15.65 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1711+18.96 грн
Мінімальне замовлення: 1711
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4GonsemiBipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W PNP
на замовлення 11998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+57.59 грн
10+37.58 грн
100+22.43 грн
500+17.79 грн
1000+15.78 грн
2500+13.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4GonsemiDescription: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 28872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.08 грн
10+37.95 грн
100+24.68 грн
500+17.81 грн
1000+16.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 110047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1711+18.96 грн
Мінімальне замовлення: 1711
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+41.82 грн
22+33.90 грн
25+33.78 грн
100+25.33 грн
250+23.22 грн
500+18.98 грн
1000+17.05 грн
3000+15.12 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4G
Код товару: 132802
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1711+18.96 грн
Мінімальне замовлення: 1711
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
412+31.53 грн
529+24.51 грн
535+24.27 грн
628+19.93 грн
1000+16.58 грн
3000+14.11 грн
Мінімальне замовлення: 412
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD210T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.20 грн
500+18.52 грн
1000+15.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4G*************
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210TFonsemiDescription: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210TFON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
на замовлення 1145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210TF
на замовлення 3014 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210TFFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1025+20.99 грн
Мінімальне замовлення: 1025
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210TFonsemiDescription: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210TFAptina ImagingTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1254+25.87 грн
Мінімальне замовлення: 1254
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210TFONSEMIDescription: ONSEMI - MJD210TF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+25.12 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210TFonsemiDescription: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1025+20.99 грн
Мінімальне замовлення: 1025
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243
Код товару: 20318
Додати до обраних Обраний товар


8542 39 90 00
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243onsemiDescription: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243onsemiBipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+44.68 грн
525+36.98 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD243G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 100 V, 4 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+96.92 грн
15+55.00 грн
100+33.11 грн
500+28.50 грн
1000+24.16 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 14656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.46 грн
75+39.15 грн
150+34.89 грн
525+27.04 грн
1050+24.57 грн
2025+22.59 грн
5025+20.00 грн
10050+18.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 11850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
311+41.70 грн
Мінімальне замовлення: 311
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
311+41.70 грн
525+34.51 грн
Мінімальне замовлення: 311
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243GonsemiBipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W NPN
на замовлення 562 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+87.23 грн
10+62.49 грн
75+23.61 грн
525+20.98 грн
1050+18.62 грн
2550+17.79 грн
4950+17.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243G
Код товару: 133000
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4ON
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4onsemiDescription: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 12.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1254+25.87 грн
Мінімальне замовлення: 1254
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+26.86 грн
30+24.88 грн
31+24.63 грн
100+22.46 грн
250+20.59 грн
500+19.55 грн
1000+19.34 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD243T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+66.71 грн
50+47.49 грн
100+32.63 грн
500+24.75 грн
1000+20.21 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 177500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.05 грн
5000+16.92 грн
7500+16.19 грн
12500+14.42 грн
17500+14.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.51 грн
5000+21.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4GonsemiBipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W NPN
на замовлення 3001 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+78.50 грн
10+41.24 грн
100+24.85 грн
500+19.87 грн
1000+18.28 грн
2500+16.68 грн
5000+16.20 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4G
Код товару: 172041
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
564+22.99 грн
597+21.74 грн
603+21.52 грн
610+20.53 грн
1000+18.80 грн
Мінімальне замовлення: 564
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD243T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.63 грн
500+24.75 грн
1000+20.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.51 грн
5000+23.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 177575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.76 грн
10+44.85 грн
100+29.44 грн
500+21.40 грн
1000+19.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4G
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4G*************
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2474T4
на замовлення 3090 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253onsemi BIP DPAK PNP 4A 100V SL F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253
Код товару: 20319
Додати до обраних Обраний товар


8542 39 90 00
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253-001
на замовлення 2913 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253-001onsemiDescription: TRANS PNP 100V 4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: I-PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253-1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 4250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1599+20.28 грн
Мінімальне замовлення: 1599
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253-1GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: IPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.66 грн
75+32.71 грн
150+29.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253-1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 1983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1599+20.28 грн
Мінімальне замовлення: 1599
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253-1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 1875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1599+20.28 грн
Мінімальне замовлення: 1599
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253-1GonsemiBipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W PNP
на замовлення 1068 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.05 грн
10+40.36 грн
75+27.21 грн
1050+21.04 грн
2550+14.68 грн
11550+12.81 грн
26400+12.11 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253-1G
Код товару: 133001
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253-1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1599+20.28 грн
Мінімальне замовлення: 1599
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253T4onsemiDescription: TRANS PWR PNP 4A 100V DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 12.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253T4GonsemiBipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W PNP
на замовлення 13303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+54.84 грн
10+32.96 грн
100+20.35 грн
500+15.58 грн
1000+14.05 грн
2500+12.32 грн
5000+10.87 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253T4GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.86 грн
5000+12.24 грн
7500+11.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253T4G
Код товару: 172039
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD253T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+54.92 грн
50+34.32 грн
100+25.44 грн
500+18.60 грн
1000+15.30 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253T4GDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253T4GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 10911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.85 грн
10+33.90 грн
100+21.96 грн
500+15.77 грн
1000+14.22 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD253T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.44 грн
500+18.60 грн
1000+15.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
542+23.94 грн
589+22.04 грн
1000+16.68 грн
Мінімальне замовлення: 542
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253T4G*************
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2873-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2873-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 50V 2A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.45 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2873-QJNexperiaBipolar Transistors - BJT SOT428 50V 2A NPN HI PWR BJT
на замовлення 4780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+46.52 грн
12+28.66 грн
100+15.99 грн
500+12.18 грн
1000+10.94 грн
2500+9.55 грн
5000+8.31 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2873-QJNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 50V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.65 грн
5000+9.36 грн
7500+8.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2873-QJNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD2873-QJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 1.6 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.41 грн
500+13.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2873-QJNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 50V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 9540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.17 грн
12+26.77 грн
100+17.20 грн
500+12.24 грн
1000+10.99 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2873-QJNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD2873-QJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 1.6 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+36.26 грн
31+26.57 грн
100+18.41 грн
500+13.42 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2873JNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 50V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.6 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2873JNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD2873J - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+36.99 грн
33+24.79 грн
100+14.78 грн
500+13.12 грн
1000+11.56 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2873JNexperiaBipolar Transistors - BJT SOT428 50V 2A NPN HI PWR BJT
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.15 грн
12+27.70 грн
100+15.09 грн
500+12.32 грн
1000+10.80 грн
2500+9.48 грн
5000+7.89 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2873JNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 50V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.6 W
на замовлення 1124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.93 грн
12+26.25 грн
100+19.61 грн
500+14.46 грн
1000+11.18 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2873JNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD2873J - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 40hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 15W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2A
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.78 грн
500+13.12 грн
1000+11.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2873Q-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 50V 2A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.45 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.52 грн
10+32.10 грн
100+20.66 грн
500+14.75 грн
1000+13.26 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2873Q-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
на замовлення 5679 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.72 грн
11+30.17 грн
100+17.24 грн
500+13.15 грн
1000+11.63 грн
2500+10.59 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2873Q-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 50V 2A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.45 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.87 грн
5000+11.33 грн
7500+10.78 грн
12500+9.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955FAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955STMicroelectronicsBipolar Transistors - Pre-Biased
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955FAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955onsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955ON
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955onsemiBipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955-001onsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: I-PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955-001ONSEMIDescription: ONSEMI - MJD2955-001 - MJD2955-001, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2700+10.66 грн
Мінімальне замовлення: 2700
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955-001onsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: I-PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 6300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2219+10.04 грн
Мінімальне замовлення: 2219
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955-1GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: I-PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 42025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
888+24.39 грн
Мінімальне замовлення: 888
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955-1GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD2955-1G - MJD2955-1G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 42025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1125+26.57 грн
Мінімальне замовлення: 1125
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955-1G
на замовлення 4080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955-1GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: I-PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955-T4ON09+
на замовлення 2477 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+42.80 грн
22+34.80 грн
100+33.77 грн
500+29.28 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 1725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
303+42.85 грн
375+39.15 грн
750+36.42 грн
1125+33.13 грн
Мінімальне замовлення: 303
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955GONSEMIMJD2955G PNP SMD transistors
на замовлення 32 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+101.12 грн
29+41.20 грн
80+38.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+74.07 грн
16+48.07 грн
100+45.47 грн
500+36.34 грн
1000+29.81 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955GonsemiBipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W PNP
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.09 грн
10+57.80 грн
75+34.06 грн
525+23.68 грн
1050+21.53 грн
1950+21.39 грн
5850+20.91 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.90 грн
75+38.64 грн
150+34.48 грн
525+26.81 грн
1050+24.40 грн
2025+22.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
289+44.87 грн
306+42.44 грн
500+35.17 грн
1000+30.05 грн
Мінімальне замовлення: 289
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 1725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1725+32.39 грн
Мінімальне замовлення: 1725
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955RLGonsemiBipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 10A60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955RLGonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955RLGON Semiconductor10 A, 60 V PNP Bipolar Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 20 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4onsemiBipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 20 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur Switch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4onsemiDescription: TRANS PWR PNP 10A 60V DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 20 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 66631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1389+23.35 грн
Мінімальне замовлення: 1389
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4GON Semiconductor
на замовлення 109930 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD2955T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 10 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+63.97 грн
50+46.92 грн
100+31.98 грн
500+24.82 грн
1000+19.52 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.21 грн
10+44.25 грн
100+28.98 грн
500+21.05 грн
1000+19.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1389+23.35 грн
Мінімальне замовлення: 1389
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 104019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1389+23.35 грн
Мінімальне замовлення: 1389
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4GonsemiBipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W PNP
на замовлення 4863 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+68.33 грн
10+47.53 грн
100+28.18 грн
500+22.84 грн
1000+20.01 грн
2500+15.65 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4GONSSOP8
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD2955T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 10 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.00 грн
500+24.52 грн
1000+20.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1389+23.35 грн
Мінімальне замовлення: 1389
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955TFonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955TFON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
на замовлення 5535 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955TFONSEMIDescription: ONSEMI - MJD2955TF - MJD2955TF, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+25.12 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955TFFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 60V 10A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 460746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1025+20.64 грн
Мінімальне замовлення: 1025
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955TFON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955TFonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955TFonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1025+20.64 грн
Мінімальне замовлення: 1025
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955VT4
на замовлення 6210 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD29CFAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD29CFAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD29CTF
на замовлення 980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD29CTFFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 100V 1A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055FAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055FAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055onsemiDescription: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055onsemiBipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055STMICROELECTRONICSN/A
на замовлення 1721 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+307.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055GON
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055GonsemiBipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055RLGONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 10A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 10A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 20...100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 2MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055RLGonsemiDescription: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 3501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.66 грн
10+47.70 грн
100+31.35 грн
500+22.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055RLGonsemiBipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 10A 60V
на замовлення 6664 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+82.38 грн
10+51.43 грн
100+29.42 грн
500+22.84 грн
1000+21.25 грн
1800+17.24 грн
3600+15.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055RLGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055RLGonsemiDescription: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+21.24 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch
на замовлення 2236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.92 грн
10+60.42 грн
100+36.55 грн
500+29.14 грн
1000+26.86 грн
2500+25.06 грн
5000+24.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 10A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 4951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.47 грн
10+65.47 грн
100+43.68 грн
500+32.25 грн
1000+29.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4STMicroelectronicsCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 10A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 10A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 5...100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 2MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4 (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 171011
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4(G) (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 24067
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4GON Semiconductor
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.70 грн
5000+18.40 грн
7500+17.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
508+25.53 грн
Мінімальне замовлення: 508
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD3055T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 10A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 10A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 20...100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 2MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4GonsemiBipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W NPN
на замовлення 1549 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+83.19 грн
10+51.59 грн
100+29.56 грн
500+22.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD3055T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+92.07 грн
50+57.59 грн
100+38.44 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 12834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.22 грн
10+48.37 грн
100+31.80 грн
500+23.17 грн
1000+21.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4G*************
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055TFON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055TF
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055TFON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
на замовлення 9881 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055TFonsemiDescription: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD30CTF
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31onsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 3A 40V TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31B
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31BT4STMTO-252
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31BT4STM07+ TO-252
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CSTMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31Consemi / FairchildBipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CYZPSTTransistor NPN; 50; 15W; 100V; 3A; 3MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJD31CG; MJD31CRLG; MJD31CT4G; MJD31CT4-STM; MJD31CJ; MJD31C-13; MJD31C-TP; MJD31C YZPST TMJD31c YZP
кількість в упаковці: 75 шт
на замовлення 105 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
75+12.14 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CFAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CSTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CJSMicro SemiconductorTransistor NPN; 50; 15W; 100V; 3A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: MJD31CG; MJD31CRLG; MJD31CT4G; MJD31CT4-STM; MJD31CJ; MJD31C-13; MJD31C-TP; MJD31C JSMICRO TMJD31c JSM
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 260 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+11.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CFAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CLGETranzystor NPN; 50; 1,25W; 100V; 3A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJD31C-13; MJD31C1G; MJD31C CDIL TMJD31c
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+11.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - MJD31C-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+58.15 грн
23+35.54 грн
100+23.18 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 9276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.06 грн
11+29.40 грн
100+18.94 грн
500+13.54 грн
1000+12.17 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.06 грн
5000+13.23 грн
7500+12.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - MJD31C-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 100V 5A NPN SMT
на замовлення 4191 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+52.09 грн
11+31.45 грн
100+17.79 грн
500+13.57 грн
1000+12.11 грн
2500+10.52 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.83 грн
5000+10.42 грн
7500+9.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.05 грн
5000+12.35 грн
7500+11.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C-ITU
на замовлення 20150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C1onsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C1GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 11325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1151+28.18 грн
10000+25.12 грн
Мінімальне замовлення: 1151
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C1GonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CAJNexperiaTrans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 152500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2507+12.93 грн
10000+11.53 грн
100000+9.66 грн
Мінімальне замовлення: 2507
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CAJNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD31CAJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+90.46 грн
15+55.89 грн
100+35.94 грн
500+25.35 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CAJNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CAJNexperiaBipolar Transistors - BJT The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.41 грн
10+36.78 грн
50+23.33 грн
100+20.49 грн
1000+15.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CAJNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CAJNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD31CAJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+35.94 грн
500+25.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CEITUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 5040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
902+35.96 грн
1000+33.16 грн
Мінімальне замовлення: 902
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CEITUONSEMIDescription: ONSEMI - MJD31CEITU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CEITUonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A TO251
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CEITUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 2857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
902+35.96 грн
1000+33.16 грн
Мінімальне замовлення: 902
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CEITUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 5040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
902+35.96 грн
1000+33.16 грн
Мінімальне замовлення: 902
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CEITUFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 2857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
649+30.94 грн
Мінімальне замовлення: 649
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CETFonsemiDescription: TRANS NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CETFonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CETF_SN00207onsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CGONSEMIDescription: ONSEMI - MJD31CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+103.38 грн
12+72.28 грн
100+42.56 грн
500+35.77 грн
1000+29.56 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CG
Код товару: 117657
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
на замовлення 1644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+76.37 грн
18+42.62 грн
150+42.19 грн
525+34.44 грн
1050+29.13 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CGonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W NPN
на замовлення 6963 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+94.49 грн
10+69.82 грн
75+31.50 грн
525+25.61 грн
1050+23.05 грн
2550+22.78 грн
3375+22.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CGONSEMIMJD31CG NPN SMD transistors
на замовлення 890 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+71.83 грн
29+41.40 грн
79+39.10 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
на замовлення 1644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
327+39.77 грн
330+39.37 грн
525+33.32 грн
1050+29.36 грн
Мінімальне замовлення: 327
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CGonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 2768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.79 грн
75+40.37 грн
150+36.05 грн
525+28.06 грн
1050+25.56 грн
2025+23.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
на замовлення 1575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
220+59.17 грн
525+44.04 грн
1050+38.59 грн
Мінімальне замовлення: 220
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CH-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 60V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.45 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+9.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CH-13Diodes ZetexNPN Medium Power Transistor
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CH-13Diodes ZetexNPN Medium Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CH-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CH-QJNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 6V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.98 грн
10+40.12 грн
50+29.41 грн
100+24.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CH-QJNexperiaBipolar Transistors - BJT SOT428 100V 3A NPN HI PWR BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CH-QJNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 6V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CH-QJNexperiaTrans GP BJT NPN 100V 3A 1600mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 45100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
860+37.72 грн
1000+34.79 грн
10000+31.01 грн
Мінімальне замовлення: 860
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CHE3-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CHE3-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CHE3-TPMicro Commercial ComponentsSilicon NPN Epitaxial Planer Transistors Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CHE3-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CHQ-13Diodes Zetex100V NPN Medium Power Transistor In To252 Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CHQ-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 500µA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.45 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CHQ-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
на замовлення 1107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+56.29 грн
10+34.47 грн
100+19.45 грн
500+14.88 грн
1000+13.43 грн
2500+11.70 грн
5000+10.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CHQ-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 500µA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.45 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.52 грн
10+32.62 грн
100+21.13 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CITUonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: IPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CITUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 5050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1521+21.32 грн
Мінімальне замовлення: 1521
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CITUFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 100V 3A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 30954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1010+20.18 грн
Мінімальне замовлення: 1010
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CITUONSEMIDescription: ONSEMI - MJD31CITU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CITUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 4760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1521+21.32 грн
Мінімальне замовлення: 1521
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CITUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 19620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1521+21.32 грн
10000+19.01 грн
Мінімальне замовлення: 1521
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CJNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
на замовлення 2869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.76 грн
10+40.35 грн
50+29.41 грн
100+24.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CJNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD31CJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+88.03 грн
15+54.27 грн
100+34.89 грн
500+24.60 грн
1000+18.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CJNexperiaBipolar Transistors - BJT The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.31 грн
10+35.51 грн
50+22.57 грн
100+19.80 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CJNexperiaTrans GP BJT NPN 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1347+24.07 грн
Мінімальне замовлення: 1347
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CJNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CJNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD31CJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.89 грн
500+24.60 грн
1000+18.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CJNXPBipolar (BJT) Transistor NPN 100V 3A 3MHz 1.6W Surface Mount DPAK MJD31CJ DPAK(SOT428C) NEXPERIA TMJD31CJ
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
40+16.59 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - MJD31CQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.81 грн
500+34.20 грн
1000+28.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CQ-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CQ-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 3A TO-252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 34875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.22 грн
10+48.15 грн
100+31.67 грн
500+23.07 грн
1000+20.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - MJD31CQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+79.80 грн
12+73.33 грн
100+47.81 грн
500+34.20 грн
1000+28.52 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CQ-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CQ-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 3A TO-252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.59 грн
5000+18.30 грн
7500+17.52 грн
12500+15.62 грн
17500+15.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CQ-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor
на замовлення 3153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+70.18 грн
10+43.07 грн
100+24.44 грн
500+18.90 грн
1000+17.03 грн
2500+15.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CRLONSOT252/2.5
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CRLonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CRLGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
119+109.77 грн
187+69.67 грн
200+68.46 грн
500+44.51 грн
Мінімальне замовлення: 119
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CRLGONN
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CRLGonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 5046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.79 грн
10+58.05 грн
100+38.48 грн
500+28.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CRLGONSEMIDescription: ONSEMI - MJD31CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.10 грн
500+33.37 грн
1000+26.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CRLGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CRLGonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W NPN
на замовлення 5092 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+98.53 грн
10+55.97 грн
100+33.37 грн
500+27.69 грн
1000+23.40 грн
1800+21.67 грн
3600+20.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CRLGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
751+43.17 грн
1000+39.81 грн
Мінімальне замовлення: 751
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CRLGonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+26.44 грн
3600+23.50 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CRLGONSEMIDescription: ONSEMI - MJD31CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+109.84 грн
50+64.77 грн
100+44.10 грн
500+33.37 грн
1000+26.03 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CRLGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
751+43.17 грн
1000+39.81 грн
Мінімальне замовлення: 751
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CS-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT TRANSISTOR NPN DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CS-TPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT NPN 100V 3A 1250mW 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CS-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.51 грн
11+28.35 грн
100+18.25 грн
500+13.02 грн
1000+11.69 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CS-TPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT NPN 100V 3A 1250mW 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CS-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4ON-SemiconductorDarl. NPN 3A 100V 15W MJD31CT4 STM TMJD31c STM
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+21.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 85000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.21 грн
5000+12.08 грн
7500+11.60 грн
12500+10.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.12 грн
10+54.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch
на замовлення 4297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+93.69 грн
10+58.12 грн
100+33.44 грн
500+26.17 грн
1000+23.74 грн
2500+20.42 грн
5000+18.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 85000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.38 грн
5000+11.26 грн
7500+10.82 грн
12500+10.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4STMicroelectronicsMJD31CT4 NPN SMD transistors
на замовлення 2129 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+117.27 грн
69+17.30 грн
189+16.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJD31CT4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+104.19 грн
13+64.53 грн
100+42.48 грн
500+30.90 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 52500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+11.79 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4-ASTMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4-ASTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT LO VLT NPN PWR TRANS
на замовлення 3779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+53.47 грн
10+33.20 грн
100+19.04 грн
500+14.61 грн
1000+13.08 грн
2500+11.15 грн
5000+9.97 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 52500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+13.10 грн
7500+12.97 грн
10000+12.63 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4-ASTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJD31CT4-A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+56.54 грн
22+36.91 грн
100+24.79 грн
500+17.62 грн
1000+14.61 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4-ASTMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 4965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.74 грн
10+32.10 грн
100+20.71 грн
500+14.84 грн
1000+13.36 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+39.08 грн
20+38.44 грн
25+37.79 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD31CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.22 грн
5000+15.14 грн
7500+14.74 грн
12500+14.07 грн
17500+12.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.36 грн
5000+12.69 грн
7500+12.11 грн
12500+10.75 грн
17500+10.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.08 грн
5000+16.61 грн
7500+16.07 грн
12500+15.34 грн
17500+13.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4GON-SemiconductorTransistor NPN; 50; 1,56W; 100V; 3A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Replacement: MJD31CRLG(T&R); MJD31CT4G(T&R); MJD31CG(Tube); MJD31CTF; MJD31T4G; MJD31CT4G; MJD31CG; MJD31CT4G TMJD31c ONS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+17.57 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD31CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.93 грн
500+19.87 грн
1000+15.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.87 грн
5000+15.51 грн
7500+15.00 грн
12500+14.32 грн
17500+12.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.37 грн
5000+16.23 грн
7500+15.80 грн
12500+15.08 грн
17500+13.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+20.19 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4GonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W NPN
на замовлення 14962 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+55.57 грн
11+31.76 грн
100+19.59 грн
500+16.13 грн
1000+13.85 грн
2500+11.70 грн
5000+10.73 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 24710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.41 грн
10+34.95 грн
100+22.66 грн
500+16.31 грн
1000+14.71 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4GONSEMIMJD31CT4G NPN SMD transistors
на замовлення 1875 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+71.61 грн
56+21.30 грн
154+20.10 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD31CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+63.16 грн
50+36.67 грн
100+25.93 грн
500+19.87 грн
1000+15.71 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.75 грн
5000+16.47 грн
7500+16.37 грн
10000+15.59 грн
25000+14.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4GMJD32CG
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4GNonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.16 грн
12+25.87 грн
25+23.22 грн
100+18.97 грн
250+17.63 грн
500+16.83 грн
1000+15.90 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4GNonsemiBipolar Transistors - BJT 3.0 A, 100 V NPN Bipolar Power Transistor
на замовлення 2389 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.03 грн
10+45.70 грн
100+26.03 грн
500+20.14 грн
1000+18.83 грн
2500+15.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4GNonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4GOSonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS PWR NPN 3A 100V DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CTFON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CTFonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CTF
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CTF-FSFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 100V 3A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CTF_NBDD001onsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CTF_SBDD001AonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CUQ-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CUQ-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor TO252 T&R 2.5K
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+73.66 грн
10+45.38 грн
100+25.82 грн
500+20.01 грн
1000+18.07 грн
2500+15.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CUQ-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 100V 3A 2600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CUQ-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.65 грн
10+43.05 грн
100+28.20 грн
500+20.45 грн
1000+18.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31Gonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31T4onsemiDescription: TRANS POWER NPN 3A 40V DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1402+14.95 грн
Мінімальне замовлення: 1402
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31T4
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31T4ONSEMIDescription: ONSEMI - MJD31T4 - MJD31T4, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+17.61 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31T4/J31ON
на замовлення 33050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
308+42.19 грн
371+35.04 грн
500+30.94 грн
1000+28.01 грн
2500+24.38 грн
5000+22.60 грн
Мінімальне замовлення: 308
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31T4GonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 40V 15W NPN
на замовлення 2299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+61.78 грн
10+51.27 грн
100+29.49 грн
500+22.57 грн
1000+21.53 грн
2500+21.46 грн
5000+20.28 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31T4GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 3274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.00 грн
10+57.15 грн
100+39.82 грн
500+30.07 грн
1000+27.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31T4GON Semiconductor
на замовлення 3784 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+53.58 грн
25+53.06 грн
100+50.65 грн
250+46.43 грн
500+44.12 грн
1000+43.67 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
260+50.01 грн
262+49.52 грн
265+49.03 грн
268+46.80 грн
500+42.89 грн
1000+40.76 грн
Мінімальне замовлення: 260
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31T4GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+50.44 грн
17+45.20 грн
100+37.54 грн
500+31.97 грн
1000+27.79 грн
2500+25.08 грн
5000+24.21 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32onsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 3A 40V TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32BSTTO-252
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32BT4STM07+ TO-252
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32BT4STMTO-252
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CSTMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CFAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CSTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT PNP TRANS 100V 3A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CFAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32ConsemiBipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CMOTSOT252/2.5
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32C
Код товару: 191777
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32C-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 100V 3A TO-252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.08 грн
10+38.02 грн
100+24.67 грн
500+17.76 грн
1000+16.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32C-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32C-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 100V 3A TO-252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32C-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 100V 3A PNP SMT
на замовлення 1145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.24 грн
10+38.29 грн
100+22.78 грн
500+17.86 грн
1000+14.88 грн
2500+12.88 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32C-TPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT PNP 100V 3A 1250mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32C-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT TRANS PNP 100V 3A DPAK
на замовлення 1596 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+81.57 грн
10+51.27 грн
100+29.35 грн
500+22.78 грн
1000+20.63 грн
2500+17.65 грн
5000+15.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32C-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32C-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32C/J32CMOTO
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32C1onsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A TO-252-3
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 7900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
956+20.48 грн
Мінімальне замовлення: 956
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32C1ONSEMIDescription: ONSEMI - MJD32C1 - TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+17.61 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32C1
на замовлення 17070 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32C1ON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 7900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1441+22.51 грн
Мінімальне замовлення: 1441
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CANEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD32CA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+72.28 грн
19+44.82 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CANEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD32CA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CANexperiaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CAJNexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.98 грн
10+40.05 грн
50+29.37 грн
100+24.30 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CAJ
Код товару: 191470
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CAJNexperiaTrans GP BJT PNP 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1154+28.09 грн
Мінімальне замовлення: 1154
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CAJNexperiaBipolar Transistors - BJT SOT428 100V 3A PNP HI PWR BJT
на замовлення 1836 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+83.19 грн
10+51.19 грн
100+28.80 грн
500+24.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CAJNexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
на замовлення 2020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+36.24 грн
150+33.98 грн
525+33.64 грн
1050+28.79 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CGONSEMIDescription: ONSEMI - MJD32CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 4276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+71.23 грн
20+41.76 грн
100+28.83 грн
500+26.25 грн
1000+23.74 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CGonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W PNP
на замовлення 6019 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.88 грн
10+41.64 грн
75+23.54 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
384+33.82 грн
409+31.71 грн
525+31.39 грн
1050+26.87 грн
Мінімальне замовлення: 384
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
270+48.17 грн
525+37.50 грн
1050+32.28 грн
2550+29.66 грн
Мінімальне замовлення: 270
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CGONSEMIMJD32CG PNP SMD transistors
на замовлення 148 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+81.63 грн
38+31.50 грн
104+29.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
на замовлення 543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+125.95 грн
75+54.61 грн
150+48.61 грн
525+38.63 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CGonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 11224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.10 грн
75+32.27 грн
150+28.72 грн
525+22.21 грн
1050+20.16 грн
2025+18.51 грн
5025+16.36 грн
10050+15.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
на замовлення 543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
111+117.52 грн
255+50.96 грн
286+45.36 грн
525+36.04 грн
Мінімальне замовлення: 111
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CG
Код товару: 117659
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CHE3-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PNP 100V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CHE3-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CJNexperiaTrans GP BJT PNP 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1221+26.56 грн
Мінімальне замовлення: 1221
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CJNXPBipolar (BJT) Transistor PNP 100V 3A 3MHz 1.6W Surface Mount DPAK MJD32CJ DPAK(SOT428C) NEXPERIA TMJD32CJ
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
40+15.60 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CJNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD32CJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.38 грн
16+51.29 грн
100+32.79 грн
500+29.85 грн
1000+27.00 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CJNexperiaBipolar Transistors - BJT SOT428 100V 3A PNP HI PWR BJT
на замовлення 1388 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+54.84 грн
10+33.52 грн
50+23.26 грн
100+18.62 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CJNexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
на замовлення 6683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.96 грн
10+31.42 грн
50+22.90 грн
100+18.88 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CJNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD32CJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.79 грн
500+29.85 грн
1000+27.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CJNexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.40 грн
5000+10.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CQ-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 100V 3A TO-252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CQ-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.47 грн
5000+24.83 грн
7500+23.93 грн
12500+22.11 грн
17500+20.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CQ-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
479+28.57 грн
500+25.27 грн
Мінімальне замовлення: 479
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CQ-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 100V 3A TO-252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.66 грн
10+47.25 грн
100+31.09 грн
500+22.65 грн
1000+20.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CQ-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.76 грн
5000+23.16 грн
7500+22.34 грн
12500+20.64 грн
17500+18.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CQ-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor
на замовлення 1968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+82.38 грн
10+50.63 грн
100+28.94 грн
500+22.64 грн
1000+20.42 грн
2500+17.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CR
на замовлення 180 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CRLMOTOROLA
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CRLonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CRLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 48600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+28.38 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CRLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+35.76 грн
25+35.20 грн
100+33.42 грн
250+30.45 грн
500+28.76 грн
1000+28.28 грн
3000+27.81 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CRLGONSEMIDescription: ONSEMI - MJD32CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD32
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 4228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.77 грн
500+32.62 грн
1000+29.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CRLGonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W PNP
на замовлення 2499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+98.53 грн
10+59.71 грн
100+34.82 грн
500+27.28 грн
1800+22.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CRLGonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 51560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.46 грн
10+56.85 грн
100+37.74 грн
500+27.70 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CRLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
389+33.37 грн
395+32.85 грн
401+32.34 грн
408+30.69 грн
500+27.96 грн
1000+26.40 грн
3000+25.96 грн
Мінімальне замовлення: 389
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CRLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
427+30.43 грн
433+29.99 грн
439+29.56 грн
500+28.01 грн
Мінімальне замовлення: 427
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CRLG
на замовлення 340 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CRLGONSEMIDescription: ONSEMI - MJD32CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD32
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 4228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+109.84 грн
13+63.72 грн
100+43.77 грн
500+32.62 грн
1000+29.49 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CRLGonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 50400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+25.92 грн
3600+23.04 грн
5400+22.06 грн
9000+19.67 грн
12600+19.47 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CRLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJD32CT4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+77.45 грн
17+48.54 грн
100+31.58 грн
500+22.65 грн
1000+18.90 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur Switch
на замовлення 5942 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.46 грн
10+42.83 грн
100+24.30 грн
500+18.76 грн
1000+16.96 грн
2500+12.46 грн
10000+12.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 230000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.87 грн
5000+12.74 грн
7500+12.62 грн
10000+12.05 грн
12500+11.05 грн
17500+10.51 грн
25000+7.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+17.37 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4STMicroelectronicsMJD32CT4 PNP SMD transistors
на замовлення 2055 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+86.26 грн
78+15.30 грн
214+14.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4
Код товару: 113107
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+16.22 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 3573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.42 грн
10+39.60 грн
100+25.84 грн
500+18.69 грн
1000+16.90 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 230000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.80 грн
5000+13.65 грн
7500+13.53 грн
10000+12.92 грн
12500+11.85 грн
17500+11.26 грн
25000+8.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4-A
Код товару: 132425
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4-ASTMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4-ASTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJD32CT4-A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+70.27 грн
19+43.53 грн
100+28.35 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4-ASTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT LO PWR PNP PW TRANS
на замовлення 5993 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+54.84 грн
10+33.75 грн
100+19.38 грн
500+15.16 грн
1000+12.95 грн
2500+11.70 грн
5000+10.45 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4-ASTMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 3189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.18 грн
10+31.12 грн
100+20.08 грн
500+14.38 грн
1000+12.95 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.15 грн
5000+16.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+34.23 грн
25+29.75 грн
26+29.45 грн
100+24.33 грн
250+22.31 грн
500+18.93 грн
1000+17.93 грн
3000+16.92 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 9275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.42 грн
10+39.37 грн
100+25.69 грн
500+18.58 грн
1000+16.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.83 грн
5000+20.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD32CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 6045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+65.02 грн
50+42.56 грн
100+28.91 грн
500+21.37 грн
1000+17.93 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4GonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W PNP
на замовлення 5418 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.31 грн
10+37.66 грн
100+22.29 грн
500+17.65 грн
1000+16.06 грн
2500+13.50 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.29 грн
5000+17.73 грн
7500+17.18 грн
12500+16.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.45 грн
5000+17.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.45 грн
5000+14.56 грн
7500+13.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
472+27.49 грн
551+23.55 грн
556+23.32 грн
629+19.88 грн
1000+17.43 грн
3000+15.80 грн
Мінімальне замовлення: 472
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.87 грн
5000+16.54 грн
7500+16.03 грн
12500+15.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD32CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 6045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.91 грн
500+21.37 грн
1000+17.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4GNonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: DPAK
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4GNonsemiBipolar Transistors - BJT 3.0 A, 100 V PNP Bipolar Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4GOSonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS PWR PNP 3A 100V DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CTFON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
на замовлення 1297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CTFonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CTFONSEMIDescription: ONSEMI - MJD32CTF - TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -100V, TO-252-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CTFFAIRCHILDTrans GP BJT PNP 100V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
909+35.68 грн
Мінімальне замовлення: 909
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CTFFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 100V 3A TO252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CTF-ONonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CTF_NBDD002onsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CTF_SBDD002ON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CTF_SBDD002Aonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Silicon Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CTMON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP 100V 1A Epitaxial
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CTMonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CUQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - MJD32CUQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.23 грн
500+15.90 грн
1000+13.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CUQ-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 100V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CUQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - MJD32CUQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+60.09 грн
22+37.39 грн
100+24.23 грн
500+15.90 грн
1000+13.22 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CUQ-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 100V 3A 16000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CUQ-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor TO252 T&R 2.5K
на замовлення 2587 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.77 грн
10+36.62 грн
100+20.63 грн
500+15.85 грн
1000+14.61 грн
2500+12.95 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CUQ-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 100V 3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.85 грн
10+34.05 грн
100+22.05 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32Gonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32RL
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
640+20.27 грн
Мінімальне замовлення: 640
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32RLGonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 40V 15W PNP
на замовлення 1085 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+67.36 грн
10+44.58 грн
100+26.44 грн
500+21.11 грн
1000+19.73 грн
1800+17.24 грн
3600+16.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32RLGonsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+77.88 грн
10+47.25 грн
100+31.09 грн
500+22.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+33.40 грн
25+30.36 грн
100+26.69 грн
500+23.75 грн
1000+21.38 грн
1800+19.32 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
980+33.09 грн
1063+30.51 грн
Мінімальне замовлення: 980
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32RLGonsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+21.03 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 23400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
980+33.09 грн
1063+30.51 грн
10000+27.19 грн
Мінімальне замовлення: 980
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32T4ON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1441+22.51 грн
Мінімальне замовлення: 1441
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32T4ONSEMIDescription: ONSEMI - MJD32T4 - MJD32T4, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+17.61 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32T4
на замовлення 1661 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32T4ON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1441+22.51 грн
Мінімальне замовлення: 1441
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32T4onsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 9791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1150+17.37 грн
Мінімальне замовлення: 1150
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 11474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
777+41.76 грн
1000+38.51 грн
10000+34.34 грн
Мінімальне замовлення: 777
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32T4GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.55 грн
5000+21.89 грн
7500+21.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
777+41.76 грн
1000+38.51 грн
Мінімальне замовлення: 777
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32T4GonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 40V 15W PNP
на замовлення 3426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.92 грн
10+40.68 грн
100+26.31 грн
500+22.43 грн
1000+21.18 грн
2500+19.73 грн
5000+19.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32T4GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 11924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.68 грн
10+56.25 грн
100+37.24 грн
500+27.31 грн
1000+24.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD32T4G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 11474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340FAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340onsemiBipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 15W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340ON
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340onsemiDescription: TRANS NPN 300V 0.5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340FAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340STTO-252
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340 (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 51390
Додати до обраних Обраний товар

FairchildТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: D-Pak
Uceo,V: 300 V
Ucbo,V: 300 V
Ic,A: 0,5 A
h21: 240
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+14.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 300V 0.5A TO-252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-252-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.90 грн
5000+13.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - MJD340-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+67.52 грн
20+42.16 грн
100+27.38 грн
500+19.50 грн
1000+16.27 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - MJD340-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.38 грн
500+19.50 грн
1000+16.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340-13
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 300V 0.5A TO-252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-252-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 5045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.97 грн
10+36.30 грн
100+23.52 грн
500+16.93 грн
1000+15.27 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT HIGH VOLTAGE NPN SMT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340D4
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340GonsemiDescription: TRANS NPN 300V 0.5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 9994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.76 грн
75+31.02 грн
150+27.59 грн
525+21.30 грн
1050+19.30 грн
2025+17.71 грн
5025+15.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+99.38 грн
13+58.06 грн
75+37.24 грн
525+28.87 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340GON-SemiconductorNPN 0.5A 300V 15W MJD340 TMJD340
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 125 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+15.31 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340GonsemiBipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 15W NPN
на замовлення 30338 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.13 грн
10+41.32 грн
75+21.04 грн
525+16.41 грн
1050+14.47 грн
2700+14.40 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
238+54.50 грн
371+34.95 грн
525+28.10 грн
Мінімальне замовлення: 238
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+11.68 грн
Мінімальне замовлення: 64
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD340G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 300 V, 500 mA, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 240hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+87.23 грн
19+43.61 грн
100+32.14 грн
500+26.77 грн
1000+21.81 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340GONSEMIMJD340G NPN SMD transistors
на замовлення 57 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+93.47 грн
41+29.10 грн
112+27.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
274+47.43 грн
525+30.18 грн
2550+26.68 грн
Мінімальне замовлення: 274
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+22.13 грн
48+15.68 грн
49+15.16 грн
75+13.99 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340RL
на замовлення 933 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340RLGonsemiBipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 15W NPN
на замовлення 5360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.13 грн
10+47.61 грн
100+27.14 грн
500+21.04 грн
1000+20.63 грн
1800+17.24 грн
3600+15.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340RLGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340RLGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+20.18 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340RLGonsemiDescription: TRANS NPN 300V 0.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 19312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.32 грн
10+45.82 грн
100+30.04 грн
500+21.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340RLG
на замовлення 4080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340RLGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340RLGonsemiDescription: TRANS NPN 300V 0.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 19100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+20.23 грн
3600+17.89 грн
5400+17.08 грн
9000+15.18 грн
12600+14.67 грн
18000+14.36 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340T4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 407500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.77 грн
5000+13.63 грн
7500+13.50 грн
10000+12.57 грн
12500+11.54 грн
17500+10.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340T4STMicroelectronicsMJD340T4 NPN SMD transistors
на замовлення 1754 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+91.75 грн
88+13.60 грн
240+12.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340T4onsemiDescription: TRANS NPN 300V 0.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJD340T4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+86.42 грн
50+54.19 грн
100+35.62 грн
500+25.57 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340T4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+69.99 грн
16+48.74 грн
100+35.27 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340T4
Код товару: 108310
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340T4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 412500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.97 грн
5000+12.83 грн
7500+12.71 грн
10000+11.84 грн
12500+10.86 грн
17500+10.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340T4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+32.34 грн
27+28.00 грн
100+23.85 грн
250+21.86 грн
500+18.69 грн
1000+17.65 грн
3000+16.61 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340T4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 300V 0.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 7455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.77 грн
10+49.05 грн
100+32.27 грн
500+23.51 грн
1000+21.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340T4STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch
на замовлення 2757 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.64 грн
100+22.01 грн
500+18.07 грн
1000+16.55 грн
2500+14.61 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340T4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
481+26.99 грн
548+23.69 грн
553+23.45 грн
624+20.05 грн
1000+17.36 грн
3000+15.50 грн
Мінімальне замовлення: 481
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340T4STTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R MJD340T4 STMicroelectronics TMJD340T4
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 109 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+11.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJD340T4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+35.62 грн
500+25.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340T4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+17.90 грн
7500+17.72 грн
10000+17.18 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340T4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+19.18 грн
7500+18.99 грн
10000+18.41 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340T4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 300V 0.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.98 грн
5000+18.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD340T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 8245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.51 грн
500+19.72 грн
1000+16.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+32.77 грн
27+27.71 грн
100+22.86 грн
250+21.06 грн
500+17.25 грн
1000+15.80 грн
3000+14.36 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340T4GonsemiBipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 15W NPN
на замовлення 45498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+54.19 грн
10+34.47 грн
100+21.04 грн
500+16.06 грн
1000+14.54 грн
2500+12.05 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340T4GON SemiconductorТранзистор NPN; Ptot, Вт = 1,56; Uceo, В = 300; Ic = 500 мА; Тип монт. = smd; hFE = 30 @ 50 мA, 10 В; Icutoff-max = 100 мкА; Тексп, °С = -65...+150; D-PAK
на замовлення 2 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340T4GonsemiDescription: TRANS NPN 300V 0.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 2336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.97 грн
10+35.92 грн
100+23.36 грн
500+16.83 грн
1000+15.19 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD340T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 8245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+61.87 грн
50+39.66 грн
100+28.51 грн
500+19.72 грн
1000+16.41 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340T4GonsemiDescription: TRANS NPN 300V 0.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
502+25.86 грн
586+22.13 грн
589+22.02 грн
691+18.11 грн
1000+15.37 грн
3000+13.40 грн
Мінімальне замовлення: 502
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340T4GNonsemiBipolar Transistors - BJT High Voltage NPN Bipolar Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340T4GNonsemiDescription: TRANS NPN 300V 0.5A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1.56 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340TFonsemiDescription: TRANS NPN 300V 0.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340TFonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340TFonsemiDescription: TRANS NPN 300V 0.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340TFON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340TF_NLonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Silicon Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340TF_NLDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350ST
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350onsemiBipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 15W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350FAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350Fairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 300V 0.5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350
Код товару: 102244
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350FAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.