Продукція > MJD

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
MJD-104-3960DIP-100KNTCA/N
на замовлення 19000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD1029
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD1029T4
на замовлення 1941 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD1034T4
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD10N05E
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD11
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD1117
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112FAIRCHILDTO-252
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112onsemiDarlington Transistors 2A 100V Bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112STTO-252
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112FAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112ONTO-252
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112LGETransistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1W; TO252 MJD112-LGE MJD112 TMJD112 LGE
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+7.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112 TO252 SMD
Код товару: 202522
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112 TO252 SMDLUGUANG ELECTRONICCategory: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1W; TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1W
Case: TO252
Mounting: SMD
Frequency: 25MHz
Current gain: 200...12000
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 8258 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
15+20.55 грн
25+12.00 грн
100+10.55 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112 TO252 SMDLUGUANG ELECTRONICCategory: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1W; TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1W
Case: TO252
Mounting: SMD
Frequency: 25MHz
Current gain: 200...12000
на замовлення 8258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+17.12 грн
40+9.63 грн
100+8.79 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-001
на замовлення 6325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-001onsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 150169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
637+47.79 грн
1000+44.07 грн
10000+39.30 грн
100000+31.75 грн
Мінімальне замовлення: 637
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+45.00 грн
150+44.55 грн
525+35.85 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1GONSEMICategory: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; IPAK
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 100...12000
Collector current: 2A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 1.75W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Mounting: THT
Case: IPAK
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+64.22 грн
8+53.67 грн
21+43.58 грн
57+41.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 51758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
637+47.79 грн
1000+44.07 грн
10000+39.30 грн
Мінімальне замовлення: 637
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1GONSEMICategory: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; IPAK
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 100...12000
Collector current: 2A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 1.75W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Mounting: THT
Case: IPAK
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 129 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+77.06 грн
5+66.88 грн
21+52.29 грн
57+49.45 грн
300+47.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 26950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
637+47.79 грн
1000+44.07 грн
10000+39.30 грн
Мінімальне замовлення: 637
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 24750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+30.91 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
186+65.57 грн
300+60.61 грн
1050+45.42 грн
Мінімальне замовлення: 186
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+39.75 грн
75+32.57 грн
150+32.24 грн
525+28.95 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1GON Semiconductor
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: IPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 244753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
552+37.69 грн
Мінімальне замовлення: 552
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD112-1G - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 12000hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 15444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
637+47.79 грн
1000+44.07 грн
10000+39.30 грн
Мінімальне замовлення: 637
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1GonsemiDarlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN
на замовлення 1190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+107.88 грн
75+44.82 грн
525+36.62 грн
1050+31.78 грн
2475+29.14 грн
4950+28.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-TPMicro Commercial ComponentsTrans Darlington NPN 100V 2A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT TRANS NPN 100V 2A DPAK
на замовлення 507 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-TPMicro Commercial ComponentsTrans Darlington NPN 100V 2A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-TR
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112/117
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112GONSEMICategory: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; DPAK
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 100...12000
Collector current: 2A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 1.75W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Mounting: SMD
Case: DPAK
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+75.08 грн
10+49.44 грн
25+35.78 грн
47+23.21 грн
127+21.93 грн
525+21.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112GonsemiDarlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN
на замовлення 6718 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+82.20 грн
10+68.70 грн
25+41.47 грн
75+21.36 грн
525+19.16 грн
4950+17.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
253+48.14 грн
525+26.24 грн
Мінімальне замовлення: 253
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD112G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 8933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+77.55 грн
14+59.61 грн
100+26.35 грн
500+22.40 грн
1000+18.77 грн
5000+16.87 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+18.67 грн
525+17.96 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.24 грн
75+29.87 грн
150+26.54 грн
525+20.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 2075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+84.92 грн
10+72.06 грн
25+50.02 грн
75+24.81 грн
525+21.47 грн
1050+19.82 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112GNPN 100V, 2A, general purpose transistor DPAK
на замовлення 2429 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
8+36.43 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112GONSEMICategory: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; DPAK
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 100...12000
Collector current: 2A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 1.75W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Mounting: SMD
Case: DPAK
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+62.57 грн
10+39.68 грн
25+29.82 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 2052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
539+22.62 грн
560+21.75 грн
1050+19.56 грн
Мінімальне замовлення: 539
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+16.87 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112RLonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112RL
на замовлення 7900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112RL (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 20829
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112RLGON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112RLGonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 79506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.35 грн
10+67.12 грн
100+44.77 грн
500+33.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112RLGON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112RLGON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112RLGON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 75600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+30.90 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112RLGonsemiDarlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN
на замовлення 12597 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+98.47 грн
10+68.11 грн
100+45.50 грн
500+36.55 грн
1000+31.85 грн
1800+29.94 грн
3600+28.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112RLGonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 79200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+31.02 грн
3600+27.63 грн
5400+26.49 грн
9000+23.87 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112RLG
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJD112T4 - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+63.64 грн
18+47.59 грн
100+31.29 грн
500+22.17 грн
1000+18.63 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.54 грн
5000+17.26 грн
10000+16.23 грн
25000+15.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4STMБіполярний транзистор ММ NPN TO-252-3 (DPAK) Uceo=100V; Ic=2A; Pdmax=20W
на замовлення 40 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
4+86.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
377+32.29 грн
484+25.18 грн
489+24.94 грн
586+20.06 грн
1000+15.59 грн
3000+14.64 грн
Мінімальне замовлення: 377
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.70 грн
5000+15.48 грн
10000+14.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4STMicroelectronicsDarlington Transistors NPN Power Darlington
на замовлення 6031 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.95 грн
10+48.53 грн
100+27.74 грн
500+21.21 грн
1000+19.30 грн
2500+17.17 грн
5000+15.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4STMicroelectronicsCategory: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 25MHz
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+45.28 грн
17+23.39 грн
61+14.68 грн
167+13.91 грн
1000+13.38 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.46 грн
5000+16.18 грн
10000+15.21 грн
25000+14.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4STMicroelectronicsCategory: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 25MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+54.34 грн
10+29.15 грн
61+17.61 грн
167+16.70 грн
1000+16.05 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 4532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.07 грн
10+41.28 грн
100+26.94 грн
500+19.48 грн
1000+17.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.91 грн
5000+16.67 грн
10000+15.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+23.06 грн
29+21.18 грн
100+18.03 грн
250+16.60 грн
500+14.36 грн
1000+13.98 грн
3000+13.59 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4 (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 26922
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4GONSТранз. Бипол. ММ NPN TO-252-3 (DPAK) Uceo=100V; Ic=2A; Pdmax=20W
на замовлення 8 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+347.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 190000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.26 грн
5000+16.18 грн
7500+15.47 грн
12500+13.77 грн
17500+13.32 грн
25000+13.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD112T4G - Darlington-Transistor, NPN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 6882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.45 грн
500+23.32 грн
1000+18.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4GON09+
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+71.63 грн
14+45.14 грн
25+44.60 грн
100+28.86 грн
250+26.14 грн
500+19.90 грн
1000+14.61 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4GSTTO-252
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD112T4G - Darlington-Transistor, NPN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 6882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+69.98 грн
50+46.60 грн
100+31.45 грн
500+23.32 грн
1000+18.91 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4GON
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 190594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.24 грн
10+43.50 грн
100+28.42 грн
500+20.58 грн
1000+18.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 87500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.06 грн
5000+15.44 грн
7500+15.29 грн
12500+14.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4GONTO-252
на замовлення 31000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4GonsemiDarlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN
на замовлення 10370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+80.57 грн
10+49.71 грн
25+43.08 грн
100+28.84 грн
250+28.55 грн
500+22.31 грн
1000+19.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4G*************
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112TFON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112TFonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112TFON Semiconductor / FairchildDarlington Transistors NPN Si Transistor Darlington
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112TFON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112TFonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117onsemiDarlington Transistors 2A 100V Bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117MJD117 Микросхемы
на замовлення 99 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117
Код товару: 99164
Додати до обраних Обраний товар

ONТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: D-Pak
fT: 25 MHz
Uке, В: 100 V
Uкб, В: 100 V
Iк, А: 2 А
товару немає в наявності
1+10.00 грн
10+5.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117onsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117-001onsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117-1GON Semiconductor
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117-1GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: IPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 148891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1113+20.41 грн
Мінімальне замовлення: 1113
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117-1GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) DPAK-3 Tube
на замовлення 88091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1362+22.36 грн
Мінімальне замовлення: 1362
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117-1GON09+ TQFP
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117-1GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117-1GonsemiDarlington Transistors 2A 100V Bipolar Power PNP
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.78 грн
10+63.22 грн
75+42.93 грн
525+33.32 грн
1050+24.15 грн
2400+23.49 грн
4800+22.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117-1GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD117-1G - Darlington-Transistor, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 153995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+18.44 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117-1GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) DPAK-3 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117-1GON
на замовлення 25500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117-1GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) DPAK-3 Tube
на замовлення 59864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1362+22.36 грн
Мінімальне замовлення: 1362
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117-HFComchip TechnologyBipolar Transistors - BJT TRANS PNP GEN PURP 100V 2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117-HFComchip TechnologyDescription: TRANS 100V 2A TO-252-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2mA, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: TO-252-2
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117-TPMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117-TR
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 22457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.38 грн
75+44.92 грн
150+40.11 грн
525+31.20 грн
1050+28.41 грн
2025+26.18 грн
5025+23.24 грн
10050+21.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 2099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+52.84 грн
75+31.64 грн
525+27.45 грн
1050+22.83 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 1125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
318+38.31 грн
525+33.00 грн
1050+28.86 грн
Мінімальне замовлення: 318
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD117G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+109.50 грн
11+75.17 грн
100+40.84 грн
500+34.86 грн
1000+29.36 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 2309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+25.69 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+35.57 грн
525+30.64 грн
1050+26.80 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 2091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+57.39 грн
355+34.36 грн
525+30.92 грн
1050+26.78 грн
Мінімальне замовлення: 213
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117G
Код товару: 79758
Додати до обраних Обраний товар

ONТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-252
Uке, В: 100 V
Uкб, В: 100 V
Iк, А: 2 A
товару немає в наявності
1+13.50 грн
10+11.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117GonsemiDarlington Transistors 2A 100V Bipolar Power PNP
на замовлення 1607 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.04 грн
10+91.15 грн
75+35.15 грн
525+30.02 грн
1050+27.08 грн
2400+25.76 грн
4800+23.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117RLGON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117RLG
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117RLGonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4STMicroelectronicsCategory: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Frequency: 25MHz
Current gain: 200...12000
на замовлення 6815 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+54.34 грн
10+40.82 грн
49+18.35 грн
134+17.35 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4STMicroelectronicsTrans Darlington PNP 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.03 грн
5000+12.79 грн
10000+12.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.74 грн
5000+17.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4STMicroelectronicsDarlington Transistors PNP Power Darlington
на замовлення 4222 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.44 грн
10+52.92 грн
100+30.60 грн
500+23.85 грн
1000+21.72 грн
2500+18.64 грн
5000+16.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4STMicroelectronicsTrans Darlington PNP 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4STMicroelectronicsTrans Darlington PNP 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4STMicroelectronicsTrans Darlington PNP 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.67 грн
5000+13.89 грн
10000+13.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4STMicroelectronicsCategory: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Frequency: 25MHz
Current gain: 200...12000
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6815 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+65.20 грн
10+50.87 грн
49+22.02 грн
134+20.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 6995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.01 грн
10+46.63 грн
100+30.53 грн
500+22.18 грн
1000+20.10 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4STMicroelectronicsTrans Darlington PNP 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJD117T4 - Bipolartransistor (BJT), Darlington, PNP, -100V, 20W, -2A, 200hFE
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+60.51 грн
17+49.56 грн
100+33.43 грн
500+24.31 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4 PBF
Код товару: 21024
Додати до обраних Обраний товар

ONТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-252
Uке, В: 100 V
Uкб, В: 100 V
Iк, А: 2 A
Примітка: Дарлінгтон
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 67500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.30 грн
5000+19.83 грн
7500+19.00 грн
12500+16.95 грн
17500+16.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4GonsemiDarlington Transistors 2A 100V Bipolar Power PNP
на замовлення 10440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+88.19 грн
10+56.29 грн
100+33.03 грн
250+32.81 грн
500+26.05 грн
1000+23.85 грн
2500+21.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD117T4G - Darlington-Transistor, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.75W
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+37.21 грн
500+27.29 грн
1000+23.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4GMJD117T4G Диоды
на замовлення 1036 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 68062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.74 грн
10+51.91 грн
100+34.19 грн
500+24.94 грн
1000+22.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD117T4G - Darlington-Transistor, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+84.80 грн
50+55.16 грн
100+37.21 грн
500+27.29 грн
1000+23.01 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4G*********
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117TFON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+43.20 грн
17+36.05 грн
25+35.72 грн
50+34.13 грн
100+20.98 грн
250+19.95 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117TFonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117TF
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117TFonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117TFON Semiconductor / FairchildDarlington Transistors PNP Silicon Darl
на замовлення 18518 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117TFONSEMIDescription: ONSEMI - MJD117TF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 24317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+25.44 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117TFFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A TO252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117TFON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117TF-FSFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122YFWdarl.NPN 5A 100V 20W MJD122 TO252 LGE TMJD122 lge
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 123 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+8.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122onsemiDarlington Transistors 8A 100V Bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122EVVODescription: TRANS NPN DARL 100V 8A TO-252-2L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: TO-252-2L
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 2063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.81 грн
10+30.58 грн
100+19.69 грн
500+14.06 грн
1000+12.64 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122YFWdarl.NPN 5A 100V 20W MJD122 TO252 LGE TMJD122 lge
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122EVVODescription: TRANS NPN DARL 100V 8A TO-252-2L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: TO-252-2L
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.28 грн
5000+10.81 грн
7500+10.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122 (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 23955
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122 TO252 SMDLUGUANG ELECTRONICCategory: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.5W; TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1.5W
Case: TO252
Mounting: SMD
Current gain: 100...12000
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2795 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
20+17.98 грн
25+12.86 грн
100+11.19 грн
105+10.46 грн
285+9.82 грн
2500+9.54 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122 TO252 SMDLUGUANG ELECTRONICCategory: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.5W; TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1.5W
Case: TO252
Mounting: SMD
Current gain: 100...12000
на замовлення 2795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+14.98 грн
40+10.32 грн
100+9.33 грн
105+8.72 грн
285+8.18 грн
2500+7.95 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122 TO252 SMD
Код товару: 181912
Додати до обраних Обраний товар


товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122-1STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A TO251
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.18 грн
75+45.44 грн
150+40.63 грн
525+31.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122-1STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122-1STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJD122-1 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 8 A, 20 W
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE
Transistormontage: Durchsteckmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 20W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 8A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+80.93 грн
100+38.53 грн
500+34.25 грн
1000+30.20 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122-1STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122-1STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122-1STMicroelectronicsDarlington Transistors NPN PWR Darlington Int Anti Collector
на замовлення 3840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.73 грн
10+100.44 грн
25+62.38 грн
75+41.61 грн
300+41.54 грн
525+34.57 грн
1050+30.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122-1
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122-1STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122-1GonsemiDarlington Transistors BIP IPAK NPN 8A 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122-1GON Semiconductor8.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122-1GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT TRANS NPN 100V 8A DPAK
на замовлення 7511 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+78.94 грн
10+58.66 грн
100+34.79 грн
500+29.06 грн
1000+24.73 грн
2500+22.46 грн
5000+20.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122-TPMicro Commercial ComponentsTrans Darlington NPN 100V 8A 1500mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 24689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.33 грн
10+52.98 грн
100+34.91 грн
500+25.50 грн
1000+23.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122-TPMicro Commercial ComponentsTrans Darlington NPN 100V 8A 1500mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.22 грн
15000+19.39 грн
22500+18.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122-TPMicro Commercial ComponentsTrans Darlington NPN 100V 8A 1500mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.81 грн
5000+20.30 грн
7500+19.45 грн
12500+17.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122-TP-HF-B002Micro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122-TR
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122/127
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+43.92 грн
387+31.52 грн
525+31.22 грн
Мінімальне замовлення: 278
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+40.79 грн
300+29.27 грн
525+28.99 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122GONSEMICategory: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.75W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1.75W
Case: DPAK
Current gain: 300
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 4MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 3722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+33.54 грн
19+33.21 грн
25+32.89 грн
75+31.40 грн
300+26.90 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122GonsemiDarlington Transistors 8A 100V Bipolar Power NPN
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+107.88 грн
10+98.75 грн
25+77.06 грн
75+39.04 грн
300+35.59 грн
525+32.73 грн
1050+28.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122G
Код товару: 165785
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122GOn SemiconductorNPN Darl. DPAK
на замовлення 500 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 4650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
223+54.79 грн
2400+50.07 грн
3600+46.58 грн
Мінімальне замовлення: 223
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 4035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.73 грн
75+48.24 грн
150+43.19 грн
525+33.77 грн
1050+30.84 грн
2025+28.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
197+62.10 грн
300+43.92 грн
1050+41.89 грн
Мінімальне замовлення: 197
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122GONSEMICategory: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.75W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1.75W
Case: DPAK
Current gain: 300
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 4MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 5222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.51 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 3720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
341+35.76 грн
344+35.41 грн
348+35.05 грн
376+31.28 грн
Мінімальне замовлення: 341
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122GONSТранз. Бипол. ММ NPN TO-252-3 (DPAK) Uceo=100V; Ic=8A; Pdmax=20W;
на замовлення 494 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
6+56.80 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD122G - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 1.75 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.75W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 7420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+114.44 грн
10+101.27 грн
100+42.81 грн
500+38.68 грн
1000+34.65 грн
5000+29.29 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122GT4GON SemiconductorBIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122RLGonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122RLG
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122RLGON Semiconductor8.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122RLGonsemiDarlington Transistors BIP DPAK NPN 8A 100V
на замовлення 1785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+53.69 грн
10+46.25 грн
100+27.45 грн
500+22.97 грн
1000+19.52 грн
1800+17.61 грн
3600+16.37 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122RLGON Semiconductor8.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4STMicroelectronicsCategory: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Current gain: 100...1000
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2705 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+99.78 грн
10+61.83 грн
56+19.17 грн
154+18.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1467500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.40 грн
5000+18.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.98 грн
5000+19.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4STTrans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R MJD122T4 DPAK STMicroelectronics TMJD122t4 STM
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+13.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 21617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.95 грн
10+51.45 грн
100+33.93 грн
500+24.75 грн
1000+22.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1467500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.87 грн
5000+16.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4STMicroelectronicsDarlington Transistors NPN Power Darlington
на замовлення 7071 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.90 грн
10+60.68 грн
25+52.69 грн
100+34.79 грн
250+34.71 грн
500+27.37 грн
1000+24.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.67 грн
5000+20.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4STMicroelectronics NVNPN Darl. DPAK TO-252-3
на замовлення 201 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.12 грн
5000+19.67 грн
7500+18.84 грн
12500+16.80 грн
17500+16.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4STMicroelectronicsCategory: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Current gain: 100...1000
на замовлення 2705 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+83.15 грн
10+49.62 грн
56+15.98 грн
154+15.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4onsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 15mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+85.05 грн
11+55.86 грн
25+54.95 грн
100+35.41 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4 (MJD122T4G) (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 30180
Додати до обраних Обраний товар

ONТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: D-Pak
Uceo,V: 100 V
Ucbo,V: 100 V
Ic,A: 8 A
h21: 5000
Примітка: Дарлінгтон
товару немає в наявності
1+14.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4GonsemiDarlington Transistors 8A 100V Bipolar Power NPN
на замовлення 8846 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.04 грн
10+66.51 грн
25+54.97 грн
100+39.48 грн
250+39.26 грн
500+31.19 грн
1000+28.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4GON-Semicoductordarl.NPN 5A 100V 20W MJD122G, MJD122T4G, MJD122T4, MJD122TF, MJE122-TP MJD122T4 DPAK ONS TMJD122t4
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+26.32 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 13864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.27 грн
10+58.02 грн
100+38.42 грн
500+28.16 грн
1000+25.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.78 грн
5000+24.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD122T4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8A
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 14096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.27 грн
500+35.93 грн
1000+28.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.14 грн
5000+24.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+79.15 грн
10+60.71 грн
25+58.35 грн
100+39.71 грн
250+36.04 грн
500+27.27 грн
1000+22.62 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4GONSEMICategory: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.75W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1.75W
Case: DPAK
Current gain: 300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 4MHz
на замовлення 1117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+82.33 грн
10+55.35 грн
31+29.82 грн
83+28.21 грн
1000+27.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4GONSТранз. Бипол. ММ NPN TO-252-3 (DPAK) Uceo=100V; Ic=8A; Pdmax=20W;
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
2+144.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.30 грн
5000+22.55 грн
7500+21.63 грн
12500+19.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.73 грн
5000+23.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD122T4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8A
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 14041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+93.03 грн
50+64.30 грн
100+46.19 грн
500+33.87 грн
1000+28.09 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
187+65.38 грн
194+62.84 грн
275+44.35 грн
281+41.92 грн
500+30.60 грн
1000+24.36 грн
Мінімальне замовлення: 187
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.13 грн
5000+22.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4GONSEMICategory: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.75W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1.75W
Case: DPAK
Current gain: 300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 4MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1117 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+98.80 грн
10+68.97 грн
31+35.78 грн
83+33.85 грн
1000+32.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.36 грн
5000+29.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4G*************
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4GOSonsemiDarlington Transistors Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS DARL NPN 8A 100V DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122TFON SemiconductorDarlington Transistors NPN Sil Darl Trans
на замовлення 6389 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122TF
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122TFonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122TF
Код товару: 101877
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122TFonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122TFON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127YFWPNP 8A 100V 20W MJD127G MJD127TF MJD127T4G MJD127T4 MJD127-TP MJD127-LGE MJD127 TMJD127
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 290 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+7.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127YFWPNP 8A 100V 20W MJD127G MJD127TF MJD127T4G MJD127T4 MJD127-TP MJD127-LGE MJD127 TMJD127
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 110 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+7.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127EVVODescription: TRANS PNP DARL 100V 8A TO-252-2L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: TO-252-2L
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.11 грн
13+24.92 грн
100+16.95 грн
500+12.46 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127onsemiDarlington Transistors 8A 100V Bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127YFWPNP 8A 100V 20W MJD127G MJD127TF MJD127T4G MJD127T4 MJD127-TP MJD127-LGE MJD127 TMJD127
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2210 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+7.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127EVVODescription: TRANS PNP DARL 100V 8A TO-252-2L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: TO-252-2L
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127 TO252 SMDLUGUANG ELECTRONICCategory: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.5W; TO252
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1.5W
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Current gain: 100...12000
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1454 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
20+19.17 грн
25+12.86 грн
100+11.19 грн
105+10.63 грн
280+10.05 грн
500+9.91 грн
2500+9.63 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127 TO252 SMDLUGUANG ELECTRONICCategory: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.5W; TO252
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1.5W
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Current gain: 100...12000
на замовлення 1454 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+15.97 грн
40+10.32 грн
100+9.33 грн
105+8.86 грн
280+8.38 грн
500+8.26 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127-1
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127-LGE
Код товару: 161555
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PNP 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT TRANS PNP 100V 8A DPAK
на замовлення 3251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.62 грн
10+63.30 грн
25+54.97 грн
100+36.99 грн
500+29.21 грн
1000+26.20 грн
2500+23.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127-TPMicro Commercial ComponentsTrans Darlington PNP 100V 8A 1500mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PNP 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127-TPMicro Commercial ComponentsTrans Darlington PNP 100V 8A 1500mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127-TR
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127GONSТранз. Бипол. ММ PNP TO-252-3 (DPAK) Uceo=100V; Ic=8A; Pdmax=20W;
на замовлення 400 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
6+56.80 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+33.56 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 4779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+97.29 грн
13+48.40 грн
150+41.89 грн
525+34.40 грн
1050+31.24 грн
2550+27.55 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.29 грн
75+50.60 грн
150+45.33 грн
525+35.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 4774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
235+51.96 грн
271+44.97 грн
525+38.30 грн
1050+36.21 грн
2550+30.81 грн
Мінімальне замовлення: 235
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127GONSEMICategory: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Frequency: 4MHz
Current gain: 100...12000
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 163 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+111.64 грн
10+88.79 грн
22+50.46 грн
59+47.70 грн
150+46.14 грн
300+45.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
241+50.69 грн
278+43.87 грн
525+37.75 грн
1050+35.70 грн
Мінімальне замовлення: 241
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 1091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+47.07 грн
150+40.74 грн
525+35.05 грн
1050+33.15 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127GONSEMICategory: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Frequency: 4MHz
Current gain: 100...12000
Kind of package: tube
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+93.03 грн
10+71.25 грн
22+42.05 грн
59+39.75 грн
150+38.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127G
Код товару: 50655
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
167+73.06 грн
300+44.69 грн
1050+42.41 грн
Мінімальне замовлення: 167
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD127G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 1.75 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.75W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 5702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+105.38 грн
10+94.68 грн
100+51.70 грн
500+40.52 грн
1000+33.87 грн
5000+30.13 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127GonsemiDarlington Transistors 8A 100V Bipolar Power PNP
на замовлення 828 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+105.32 грн
10+84.23 грн
25+64.00 грн
75+43.37 грн
300+36.99 грн
525+34.20 грн
1050+33.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127RLGON Semiconductor8.0 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127RLGonsemiDarlington Transistors BIP DPAK PNP 8A 100V
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.68 грн
10+54.18 грн
100+32.15 грн
500+26.86 грн
1000+22.90 грн
1800+20.62 грн
3600+19.16 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127RLG
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127RLGON Semiconductor8.0 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127RLGonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127S-TPMicro Commercial Components (MCC)Darlington Transistors PNP -100Vcbo -5V 1.5W -100Vceo -8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127S-TPMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 5V
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.05 грн
5000+18.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4STMicroelectronicsTrans Darlington PNP 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4STMicroelectronicsCategory: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 4428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+67.51 грн
10+47.09 грн
57+15.75 грн
156+14.91 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4STMicroelectronicsCategory: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4428 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+81.01 грн
10+58.68 грн
57+18.90 грн
156+17.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4
Код товару: 180295
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4onsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4STMicroelectronicsTrans Darlington PNP 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4STMicroelectronicsTrans Darlington PNP 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 175000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJD127T4 - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+75.33 грн
16+53.35 грн
100+36.39 грн
500+27.90 грн
1000+22.09 грн
5000+17.78 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4onsemiDarlington Transistors 8A 100V Bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4STMicroelectronicsTrans Darlington PNP 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1747500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.14 грн
5000+16.19 грн
7500+16.04 грн
12500+15.34 грн
17500+14.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 6478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.77 грн
10+49.31 грн
100+32.41 грн
500+23.60 грн
1000+21.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4STMicroelectronicsTrans Darlington PNP 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.94 грн
5000+16.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4STMicroelectronicsDarlington Transistors PNP Power Darlington
на замовлення 5759 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.46 грн
10+54.94 грн
100+32.66 грн
500+26.13 грн
1000+23.12 грн
2500+20.33 грн
5000+18.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4STMicroelectronicsTrans Darlington PNP 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1747500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.01 грн
5000+15.22 грн
7500+15.08 грн
12500+14.42 грн
17500+13.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4STMicroelectronicsTrans Darlington PNP 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.01 грн
5000+20.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 165000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.27 грн
5000+18.78 грн
7500+18.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4GHXY MOSFETTransistor Darlington PNP; 12000; 1,5W; 100V; 8A; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJD127G; MJD127T4G; MJD127-TP; MJD127T4G HXY MOSFET TMJD127 HXY
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+8.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 14067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.56 грн
10+49.77 грн
100+32.77 грн
500+23.87 грн
1000+21.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.33 грн
5000+21.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD127T4G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.45 грн
500+28.21 грн
1000+23.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4GONSEMICategory: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
на замовлення 2075 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+75.74 грн
10+47.02 грн
36+25.23 грн
98+23.85 грн
1000+22.93 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4GONSEMICategory: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2075 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+90.89 грн
10+58.59 грн
36+30.27 грн
98+28.62 грн
1000+27.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4G
Код товару: 180192
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.30 грн
5000+18.93 грн
7500+18.12 грн
12500+16.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD127T4G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+72.04 грн
50+54.09 грн
100+36.88 грн
500+28.13 грн
1000+22.51 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4GonsemiDarlington Transistors 8A 100V Bipolar Power PNP
на замовлення 4553 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+83.82 грн
10+56.55 грн
100+32.95 грн
500+26.42 грн
1000+23.34 грн
2500+18.93 грн
5000+18.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4G*************
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4G-JSMJSMicro SemiconductorTransistor Darlington PNP; 12000; 20W; 100V; 8A; 4MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJD127G; MJD127T4G; MJD127-TP; MJD127T4G JSMICRO TMJD127 JSM
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+7.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4GOSonsemiDarlington Transistors Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS DARL PNP 8A 100V DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127TFonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127TFON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127TFON Semiconductor / FairchildDarlington Transistors PNP Si Transistor Darlington
на замовлення 7163 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127TFonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127TFON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+53.08 грн
14+44.60 грн
25+41.90 грн
50+37.78 грн
100+26.20 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127Т4
Код товару: 26825
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD128
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD128T4onsemiDescription: TRANS PNP DARL 120V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD128T4
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD128T4GON SemiconductorTrans Darlington PNP 120V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD128T4G
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD128T4GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 120V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 20219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.08 грн
10+72.32 грн
100+48.22 грн
500+35.54 грн
1000+32.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJD128T4GON SemiconductorTrans Darlington PNP 120V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD128T4GonsemiDarlington Transistors BIP PNP 8A 120V TR
на замовлення 5756 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.75 грн
10+65.92 грн
100+40.51 грн
500+32.66 грн
1000+30.02 грн
2500+27.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD128T4GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 120V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.13 грн
5000+28.71 грн
7500+27.58 грн
12500+25.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD13003
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD13003A
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD13003C
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD13005
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD13005T4G
на замовлення 52900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD148
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD148-QJNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD148-QJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 4 A, 1.6 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+43.88 грн
23+36.39 грн
100+23.55 грн
500+17.12 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
MJD148-QJNEXPERIATrans GP BJT NPN 45V 4A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD148-QJNexperiaBipolar Transistors - BJT 45 V, 4 A NPN high power bipolar transistor
на замовлення 2097 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+56.94 грн
10+35.45 грн
100+20.77 грн
500+15.85 грн
1000+14.24 грн
2500+14.16 грн
5000+11.38 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD148-QJNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 45V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.60 грн
10+32.26 грн
100+20.95 грн
500+14.98 грн
1000+13.47 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD148-QJNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD148-QJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 4 A, 1.6 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.55 грн
500+17.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD148-QJNexperiaTrans GP BJT NPN 45V 4A 1600mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD148-QJNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 45V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD148JNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 45V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.6 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD148JNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD148J - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 4 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 40hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 15W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 4A
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.48 грн
500+16.13 грн
1000+13.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD148JNexperiaTrans GP BJT NPN 45V 4A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD148JNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 45V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.6 W
на замовлення 6049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.37 грн
10+33.71 грн
100+21.75 грн
500+15.57 грн
1000+14.00 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD148JNEXPERIATrans GP BJT NPN 45V 4A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD148JNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD148J - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 4 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+42.32 грн
28+30.13 грн
100+20.58 грн
500+14.91 грн
1000+12.35 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
MJD148JNexperiaBipolar Transistors - BJT MJD148/SOT428/DPAK
на замовлення 2186 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+53.69 грн
10+34.52 грн
100+19.96 грн
500+15.41 грн
1000+13.80 грн
2500+12.11 грн
5000+10.72 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD148T4onsemiDescription: TRANS POWER NPN 4A 45V DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 20 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD148T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 4A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD148T4G
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD148T4GonsemiBipolar Transistors - BJT 4A 45V 20W NPN
на замовлення 6207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.38 грн
10+40.85 грн
100+29.50 грн
500+25.17 грн
1000+21.43 грн
2500+17.25 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJD148T4GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 278962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.15 грн
10+50.61 грн
100+33.26 грн
500+24.19 грн
1000+21.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD148T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 4A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD148T4GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 277500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.56 грн
5000+19.15 грн
7500+18.33 грн
12500+16.33 грн
17500+16.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD148T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 4A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD148T4G*************
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD18002D2
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD18002D2T4
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD18002D2T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 2A 50000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD18002D2T4GonsemiDescription: TRANS NPN 450V 2A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD18002D2T4GonsemiDescription: TRANS NPN 450V 2A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD18002D2T4G
на замовлення 52900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD18004D2T4G
на замовлення 52900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD20
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200onsemiBipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200ON SemiconductorDescription: TRANS NPN 25V 5A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200-001
на замовлення 99 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200-1
на замовлення 1782 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+52.64 грн
13+46.40 грн
100+35.58 грн
500+27.12 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200GonsemiBipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W NPN
на замовлення 7909 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+31.85 грн
12+30.55 грн
75+18.20 грн
525+16.73 грн
1050+15.12 грн
2700+14.24 грн
5400+14.09 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200GON07+;
на замовлення 215 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200GonsemiDescription: TRANS NPN 25V 5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 23020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.45 грн
10+42.89 грн
100+28.03 грн
500+20.26 грн
1000+18.32 грн
2000+16.68 грн
5000+14.66 грн
10000+13.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200RLGONTO252
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200RLGonsemiDescription: TRANS NPN 25V 5A DPAK
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.37 грн
10+48.01 грн
100+36.79 грн
500+27.29 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200RLGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200RLGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200RLGonsemiDescription: TRANS NPN 25V 5A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200RLGON Semiconductor
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200RLGonsemiBipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W NPN
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+57.11 грн
10+49.63 грн
100+33.03 грн
500+26.13 грн
1000+20.92 грн
1800+18.93 грн
3600+17.83 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200T4STMTO-252
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200T4ON SemiconductorDescription: TRANS NPN 25V 5A DPAK
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1202+19.81 грн
Мінімальне замовлення: 1202
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200T4onsemiBipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200T4ON SemiconductorDescription: TRANS NPN 25V 5A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200T4G
Код товару: 132801
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200T4GST
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200T4GonsemiBipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W NPN
на замовлення 6168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+40.59 грн
11+32.58 грн
100+22.97 грн
500+19.60 грн
1000+15.27 грн
2500+13.28 грн
10000+12.48 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD200T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 5 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 4631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+33.51 грн
50+28.32 грн
100+23.05 грн
500+17.89 грн
1000+14.18 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200T4GON Semiconductor
на замовлення 6030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200T4GonsemiDescription: TRANS NPN 25V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 3775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+45.25 грн
10+37.15 грн
100+25.80 грн
500+18.90 грн
1000+15.37 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD200T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 5 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 4631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+17.89 грн
1000+14.18 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200T4GON08+ QFP
на замовлення 360 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200T4GonsemiDescription: TRANS NPN 25V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200T4G*************
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200T5GON SemiconductorDescription: TRANS NPN 25V 5A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200T5GON SemiconductorTRANS PWR NPN 5A 25V DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2055T4
на замовлення 6200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210FAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210onsemiDescription: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210onsemiBipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210FAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210FSC0832+ LQFP48
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210-1
на замовлення 2072 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210-TFSAMSUNGSOT-252
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210GonsemiDescription: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 16280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.37 грн
75+26.04 грн
150+23.41 грн
525+18.37 грн
1050+16.79 грн
2025+15.50 грн
5025+13.79 грн
10050+12.96 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210GonsemiBipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W PNP
на замовлення 858 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+71.58 грн
10+67.94 грн
75+23.49 грн
525+21.94 грн
1050+15.41 грн
2700+14.46 грн
5400+14.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210G
Код товару: 62981
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD210G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+58.54 грн
35+24.04 грн
100+22.64 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210GONSEMIMJD210G PNP SMD Darlington transistors
на замовлення 82 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+60.07 грн
45+23.94 грн
124+22.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210LT4
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210LT4TO-252
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210LTO-251
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210LTO-252T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210RLONSEMIDescription: ONSEMI - MJD210RL - MJD210RL, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 15400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+17.78 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210RLonsemiDescription: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 8700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1480+14.76 грн
Мінімальне замовлення: 1480
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210RLMOT
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210RLAptina ImagingTrans GP BJT PNP 25V 10A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1810+16.82 грн
Мінімальне замовлення: 1810
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210RLonsemiDescription: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210RLGonsemiDescription: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+17.57 грн
3600+15.64 грн
5400+14.98 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+14.59 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1589+19.16 грн
Мінімальне замовлення: 1589
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210RLGON Semiconductor
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210RLGONSEMIDescription: ONSEMI - MJD210RLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+46.93 грн
25+34.08 грн
100+25.11 грн
500+16.59 грн
1000+11.78 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210RLGAptina ImagingTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+15.86 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210RLGonsemiDescription: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 7841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.16 грн
10+36.70 грн
100+25.14 грн
500+18.68 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1589+19.16 грн
Мінімальне замовлення: 1589
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210RLGonsemiBipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W PNP
на замовлення 1512 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+52.06 грн
10+36.63 грн
100+23.41 грн
500+19.45 грн
1000+17.76 грн
1800+14.90 грн
3600+14.53 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210RLGONSEMIDescription: ONSEMI - MJD210RLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.11 грн
500+16.59 грн
1000+11.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 13785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1589+19.16 грн
Мінімальне замовлення: 1589
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4ONSEMIDescription: ONSEMI - MJD210T4 - TRANSISTOR, PNP D-PAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+35.48 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4Aptina ImagingTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
855+35.61 грн
1000+33.63 грн
Мінімальне замовлення: 855
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4ON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4onsemiDescription: TRANS PWR PNP 5A 25V DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
740+30.25 грн
Мінімальне замовлення: 740
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4Aptina ImagingTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
855+35.61 грн
1000+33.63 грн
Мінімальне замовлення: 855
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4STMTO-252
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4STM07+ TO-252
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4/J210
на замовлення 13700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1711+17.79 грн
Мінімальне замовлення: 1711
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4G
Код товару: 132802
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD210T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.69 грн
500+18.88 грн
1000+15.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 31500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1711+17.79 грн
Мінімальне замовлення: 1711
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4GonsemiDescription: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 47548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.45 грн
10+42.96 грн
100+27.93 грн
500+20.16 грн
1000+18.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4GonsemiBipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W PNP
на замовлення 11998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+61.05 грн
10+39.84 грн
100+23.78 грн
500+18.86 грн
1000+16.73 грн
2500+14.82 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1711+17.79 грн
Мінімальне замовлення: 1711
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD210T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+37.46 грн
50+31.61 грн
100+25.69 грн
500+18.88 грн
1000+15.81 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 110047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1711+17.79 грн
Мінімальне замовлення: 1711
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+34.03 грн
22+27.58 грн
25+27.49 грн
100+20.61 грн
250+18.89 грн
500+15.44 грн
1000+13.87 грн
3000+12.30 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4GON07+;
на замовлення 9675 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1711+17.79 грн
Мінімальне замовлення: 1711
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4GonsemiDescription: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.80 грн
5000+15.75 грн
7500+15.04 грн
12500+13.37 грн
17500+12.92 грн
25000+12.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
412+29.60 грн
529+23.01 грн
535+22.79 грн
628+18.71 грн
1000+15.56 грн
3000+13.25 грн
Мінімальне замовлення: 412
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4G*************
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210TFFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1025+21.40 грн
Мінімальне замовлення: 1025
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210TFON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
на замовлення 1145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210TFonsemiDescription: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210TFON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210TFAptina ImagingTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1254+24.29 грн
Мінімальне замовлення: 1254
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210TFonsemiDescription: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1025+21.40 грн
Мінімальне замовлення: 1025
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210TFonsemiDescription: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210TFONSEMIDescription: ONSEMI - MJD210TF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+25.60 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210TF
на замовлення 3014 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210TMON SemiconductorMJD210TM^FAIRCHILD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243onsemiDescription: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243onsemiBipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243
Код товару: 20318
Додати до обраних Обраний товар


8542 39 90 00
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+36.35 грн
525+30.09 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 11850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
311+39.14 грн
Мінімальне замовлення: 311
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243G
Код товару: 133000
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD243G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 100 V, 4 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+102.09 грн
10+93.86 грн
100+41.41 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
311+39.14 грн
525+32.40 грн
Мінімальне замовлення: 311
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243GonsemiBipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W NPN
на замовлення 3004 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.27 грн
10+64.14 грн
75+37.58 грн
525+32.44 грн
1050+26.35 грн
4950+24.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 14656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.27 грн
75+39.91 грн
150+35.57 грн
525+27.56 грн
1050+25.05 грн
2025+23.03 грн
5025+20.39 грн
10050+18.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4ON
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4onsemiDescription: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 12.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1254+24.29 грн
Мінімальне замовлення: 1254
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD243T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+35.32 грн
500+25.92 грн
1000+21.10 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 132500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.97 грн
5000+19.51 грн
7500+18.67 грн
12500+16.63 грн
17500+16.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4GonsemiBipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W NPN
на замовлення 3718 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+57.37 грн
10+48.95 грн
100+26.35 грн
500+24.66 грн
1000+20.48 грн
2500+18.64 грн
5000+18.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
326+37.43 грн
413+29.54 грн
417+29.24 грн
500+23.54 грн
1000+19.72 грн
3000+16.94 грн
Мінімальне замовлення: 326
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD243T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.33 грн
50+53.35 грн
100+35.32 грн
500+25.92 грн
1000+21.10 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4G
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 134174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.74 грн
10+51.76 грн
100+33.94 грн
500+24.67 грн
1000+22.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 132500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4G
Код товару: 172041
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+44.15 грн
18+35.14 грн
25+34.76 грн
100+26.45 грн
250+24.24 грн
500+19.43 грн
1000+17.58 грн
3000+15.73 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4G*************
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2474T4
на замовлення 3090 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253onsemionsemi BIP DPAK PNP 4A 100V SL F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253
Код товару: 20319
Додати до обраних Обраний товар


8542 39 90 00
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253-001
на замовлення 2913 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253-001onsemiDescription: TRANS PNP 100V 4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: I-PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253-1G
Код товару: 133001
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253-1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253-1GonsemiBipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W PNP
на замовлення 1068 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.95 грн
10+42.79 грн
75+28.84 грн
1050+22.31 грн
2550+15.56 грн
11550+13.58 грн
26400+12.84 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253-1GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: IPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.18 грн
75+33.34 грн
150+29.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253T4onsemiDescription: TRANS PWR PNP 4A 100V DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 12.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253T4ON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253T4ON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253T4GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.86 грн
5000+12.67 грн
12500+11.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 110000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.94 грн
5000+12.19 грн
12500+12.18 грн
25000+11.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253T4GonsemiBipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W PNP
на замовлення 42213 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+31.08 грн
13+27.18 грн
100+18.05 грн
500+14.90 грн
1000+13.36 грн
2500+11.67 грн
10000+11.23 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD253T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 3715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.25 грн
500+15.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
612+19.90 грн
693+17.58 грн
700+17.41 грн
750+15.66 грн
1000+13.01 грн
Мінімальне замовлення: 612
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253T4GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 16496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.28 грн
10+33.87 грн
100+23.53 грн
500+17.24 грн
1000+14.01 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253T4G
Код товару: 172039
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD253T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 3715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+34.41 грн
28+29.80 грн
100+20.25 грн
500+15.52 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+18.94 грн
33+18.48 грн
100+15.74 грн
250+14.43 грн
500+12.93 грн
1000+11.60 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253T4G*************
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2873-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 50V 2A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.45 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2873-QJNEXPERIAMJD2873-QJ NPN SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2873-QJNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD2873-QJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 1.6 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.77 грн
500+13.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2873-QJNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 50V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 7370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.98 грн
10+32.03 грн
100+20.62 грн
500+14.71 грн
1000+13.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2873-QJNexperiaBipolar Transistors - BJT 50 V, 2 A NPN high power bipolar transistor
на замовлення 4134 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.66 грн
11+32.75 грн
100+19.38 грн
500+14.68 грн
1000+12.92 грн
2500+11.23 грн
5000+10.05 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2873-QJNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 50V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.83 грн
5000+11.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2873-QJNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD2873-QJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 1.6 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+36.97 грн
31+27.09 грн
100+18.77 грн
500+13.68 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2873JNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 50V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.6 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2873JNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD2873J - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 40hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 15W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2A
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.07 грн
500+13.38 грн
1000+11.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2873JNexperiaBipolar Transistors - BJT MJD2873/SOT428/DPAK
на замовлення 2668 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+46.41 грн
12+29.12 грн
100+14.02 грн
1000+12.62 грн
2500+9.61 грн
10000+8.44 грн
25000+8.07 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2873JNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD2873J - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+37.71 грн
33+25.28 грн
100+15.07 грн
500+13.38 грн
1000+11.78 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2873JNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 50V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.6 W
на замовлення 1124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.55 грн
12+26.76 грн
100+19.99 грн
500+14.74 грн
1000+11.39 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2873Q-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 50V 2A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.45 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.12 грн
5000+11.55 грн
7500+10.99 грн
12500+9.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2873Q-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 50V 2A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.45 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.57 грн
10+32.72 грн
100+21.06 грн
500+15.04 грн
1000+13.51 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2873Q-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
на замовлення 5940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+47.18 грн
11+32.41 грн
100+18.64 грн
500+14.46 грн
1000+13.06 грн
2500+10.79 грн
10000+9.39 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955ON
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955STMicroelectronicsBipolar Transistors - Pre-Biased
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955FAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955onsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955onsemiBipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955ON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955FAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955-001onsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: I-PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955-001onsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: I-PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 6300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2219+10.24 грн
Мінімальне замовлення: 2219
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955-001ONSEMIDescription: ONSEMI - MJD2955-001 - MJD2955-001, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2700+10.87 грн
Мінімальне замовлення: 2700
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955-1GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: I-PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955-1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955-1GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD2955-1G - MJD2955-1G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 42025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1125+27.09 грн
Мінімальне замовлення: 1125
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955-1G
на замовлення 4080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955-1GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: I-PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 42025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
888+24.86 грн
Мінімальне замовлення: 888
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955-T4ON09+
на замовлення 2477 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 1725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1725+26.35 грн
Мінімальне замовлення: 1725
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+34.82 грн
22+28.32 грн
100+27.48 грн
500+23.82 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955GonsemiBipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W PNP
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.70 грн
10+61.27 грн
75+36.11 грн
525+25.10 грн
1050+22.82 грн
1950+22.68 грн
5850+22.16 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 10A; 20W; DPAK
Case: DPAK
Frequency: 2MHz
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 20...100
Collector current: 10A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 20W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Mounting: SMD
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+102.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.77 грн
75+38.26 грн
150+34.56 грн
525+27.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 1725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
303+40.22 грн
375+36.75 грн
750+34.19 грн
1125+31.10 грн
Мінімальне замовлення: 303
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+60.26 грн
16+39.11 грн
100+37.00 грн
500+29.56 грн
1000+24.25 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 10A; 20W; DPAK
Case: DPAK
Frequency: 2MHz
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 20...100
Collector current: 10A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 20W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+74.10 грн
5+57.16 грн
25+49.72 грн
29+38.16 грн
78+36.15 грн
2025+34.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
289+42.12 грн
306+39.84 грн
500+33.02 грн
1000+28.21 грн
Мінімальне замовлення: 289
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955RLGonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955RLGON Semiconductor10 A, 60 V PNP Bipolar Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955RLGON Semiconductor10 A, 60 V PNP Bipolar Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955RLGonsemiBipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 10A60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 10A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4onsemiBipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 20 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur Switch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4onsemiDescription: TRANS PWR PNP 10A 60V DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 20 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 20 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 2449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.18 грн
10+48.55 грн
100+31.76 грн
500+23.07 грн
1000+20.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1389+21.92 грн
Мінімальне замовлення: 1389
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 66631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1389+21.92 грн
Мінімальне замовлення: 1389
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4GonsemiBipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W PNP
на замовлення 4863 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.44 грн
10+50.39 грн
100+29.87 грн
500+24.22 грн
1000+21.21 грн
2500+16.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4GON Semiconductor
на замовлення 109930 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1389+21.92 грн
Мінімальне замовлення: 1389
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD2955T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 10 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.66 грн
500+25.00 грн
1000+20.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 104019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1389+21.92 грн
Мінімальне замовлення: 1389
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD2955T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 10 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+73.11 грн
50+49.07 грн
100+34.66 грн
500+25.00 грн
1000+20.54 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4GONSSOP8
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955TFONSEMIDescription: ONSEMI - MJD2955TF - MJD2955TF, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+25.60 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955TFFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 60V 10A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 460746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1025+21.04 грн
Мінімальне замовлення: 1025
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955TFonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955TFonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1025+21.04 грн
Мінімальне замовлення: 1025
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955TFON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955TFonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955TFON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955TFON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
на замовлення 5535 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955VT4
на замовлення 6210 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD29CFAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD29CFAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD29CTF
на замовлення 980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD29CTFFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 100V 1A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055STMICROELECTRONICSN/A
на замовлення 1721 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055onsemiBipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055FAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055onsemiDescription: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055FAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+250.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055GonsemiBipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055GON
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055RLGON SemiconductorBIP DPAK NPN 10A 60V TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055RLGonsemiBipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 10A 60V
на замовлення 7923 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+61.31 грн
10+49.37 грн
100+29.65 грн
500+23.63 грн
1000+23.56 грн
1800+18.35 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055RLGonsemiDescription: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 1768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.27 грн
10+43.96 грн
100+30.33 грн
500+22.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055RLGonsemiDescription: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055RLGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 10A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 10A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4STMicroelectronicsMJD3055T4 NPN SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 10A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 10A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 9248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.62 грн
10+66.20 грн
100+46.37 грн
500+35.18 грн
1000+32.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 10A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 10A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 10A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch
на замовлення 3968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+98.47 грн
10+64.48 грн
100+40.44 грн
500+32.59 грн
1000+31.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.62 грн
5000+30.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4 (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 171011
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4(G) (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 24067
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.49 грн
5000+20.88 грн
7500+20.00 грн
12500+17.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
245+49.82 грн
255+47.83 грн
500+46.10 грн
1000+43.00 грн
Мінімальне замовлення: 245
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD3055T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4GAptina ImagingTrans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.05 грн
5000+21.47 грн
7500+20.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.33 грн
5000+22.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4GonsemiBipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W NPN
на замовлення 3436 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+68.50 грн
10+49.37 грн
100+29.65 грн
500+23.63 грн
1000+21.65 грн
2500+20.26 грн
5000+20.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD3055T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+55.49 грн
50+45.78 грн
100+36.06 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 18131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.50 грн
10+54.89 грн
100+36.09 грн
500+26.30 грн
1000+23.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4GAptina ImagingTrans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
508+23.97 грн
Мінімальне замовлення: 508
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4GON Semiconductor
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4G*************
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055TFON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
на замовлення 9881 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055TF
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055TFON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055TFonsemiDescription: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055TFON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055TFonsemiDescription: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055TFON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD30CTF
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31onsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 3A 40V TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31B
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31BT4STMTO-252
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31BT4STM07+ TO-252
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CSTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CFAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CFairchild SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CYZPSTTransistor NPN; 50; 15W; 100V; 3A; 3MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJD31CG; MJD31CRLG; MJD31CT4G; MJD31CT4-STM; MJD31CJ; MJD31C-13; MJD31C-TP; MJD31C YZPST TMJD31c YZP
кількість в упаковці: 75 шт
на замовлення 105 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
75+10.72 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CSTMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CFAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31Consemi / FairchildBipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CJSMicro SemiconductorTransistor NPN; 50; 15W; 100V; 3A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: MJD31CG; MJD31CRLG; MJD31CT4G; MJD31CT4-STM; MJD31CJ; MJD31C-13; MJD31C-TP; MJD31C JSMICRO TMJD31c JSM
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 260 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+9.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C-13Diodes IncTrans GP BJT NPN 100V 3A 1500mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+7.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C-13DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK,TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK; TO252
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
Quantity in set/package: 2500pcs.
Pulsed collector current: 5A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 4350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 100V 3A 1500mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 52500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+7.85 грн
5000+7.63 грн
7500+7.39 грн
12500+6.89 грн
17500+6.32 грн
25000+6.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 100V 3A 1500mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 100V 5A NPN SMT
на замовлення 7010 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+53.69 грн
10+37.22 грн
100+18.27 грн
250+18.13 грн
500+15.93 грн
1000+14.31 грн
2500+12.18 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - MJD31C-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.57 грн
500+16.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 100V 3A 1500mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 5296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+52.40 грн
10+31.19 грн
100+20.08 грн
500+14.35 грн
1000+12.90 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 100V 3A 1500mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 52500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+7.29 грн
5000+7.08 грн
7500+6.86 грн
12500+6.40 грн
17500+5.87 грн
25000+5.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - MJD31C-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+51.87 грн
23+36.47 грн
100+21.57 грн
500+16.67 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C-13DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK,TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK; TO252
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
Quantity in set/package: 2500pcs.
Pulsed collector current: 5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C-ITU
на замовлення 20150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C-TPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT NPN 100V 3A 1250mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C1onsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C1GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C1GonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1151+26.45 грн
Мінімальне замовлення: 1151
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CAJNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CAJNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD31CAJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+49.48 грн
50+32.03 грн
100+22.31 грн
500+16.05 грн
1000+12.56 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CAJNexperiaTrans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CAJNexperiaBipolar Transistors - BJT 100 V, 3 A NPN high power bipolar transistor
на замовлення 14178 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.57 грн
10+35.87 грн
100+20.11 грн
250+20.04 грн
500+15.34 грн
1000+13.65 грн
2500+11.67 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CAJNexperiaTrans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CAJNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.81 грн
11+30.43 грн
100+19.62 грн
500+14.01 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CAJNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD31CAJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.31 грн
500+16.05 грн
1000+12.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CAJNEXPERIA100 V, 3 A NPN high power bipolar transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CEITUFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 2857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
781+26.52 грн
Мінімальне замовлення: 781
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CEITUONSEMIDescription: ONSEMI - MJD31CEITU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CEITUFAIRCHILDMJD31CEITU
на замовлення 5040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
902+33.76 грн
1000+31.13 грн
Мінімальне замовлення: 902
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CEITUON SemiconductorNPN GP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CEITUFAIRCHILDMJD31CEITU
на замовлення 2857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
902+33.76 грн
1000+31.13 грн
Мінімальне замовлення: 902
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CEITUonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A TO251
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CEITUFAIRCHILDMJD31CEITU
на замовлення 5040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
902+33.76 грн
1000+31.13 грн
Мінімальне замовлення: 902
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CETFonsemiDescription: TRANS NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CETFonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CETFON SemiconductorNPN GP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CETF_SN00207onsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CGonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W NPN
на замовлення 3054 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+93.33 грн
10+90.31 грн
25+68.84 грн
75+35.96 грн
300+35.67 грн
525+31.19 грн
1050+27.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CGonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 12549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.24 грн
75+41.88 грн
150+37.41 грн
525+29.12 грн
1050+26.52 грн
2025+24.44 грн
5025+21.71 грн
10050+20.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
на замовлення 11586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+53.53 грн
75+35.38 грн
150+33.94 грн
525+29.27 грн
1050+23.17 грн
2025+21.70 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CGONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 584 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+90.89 грн
10+70.97 грн
25+56.05 грн
29+38.07 грн
78+35.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
на замовлення 11586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
214+57.03 грн
323+37.69 грн
337+36.17 грн
525+31.19 грн
1050+24.68 грн
2025+23.12 грн
Мінімальне замовлення: 214
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CG
Код товару: 117657
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CGONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
на замовлення 584 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+75.74 грн
10+56.95 грн
25+46.71 грн
29+31.73 грн
78+29.97 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 6374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+26.29 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
на замовлення 1575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+60.45 грн
525+44.96 грн
1050+39.72 грн
Мінімальне замовлення: 202
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
на замовлення 9975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
457+26.69 грн
Мінімальне замовлення: 457
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CGONSEMIDescription: ONSEMI - MJD31CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 3607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+95.50 грн
11+80.11 грн
100+41.99 грн
500+38.84 грн
1000+29.50 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CH-13Diodes ZetexNPN Medium Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CH-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CH-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 60V
Frequency - Transition: 3MHz
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.45 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CH-QJNEXPERIATrans GP BJT NPN 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CH-QJNexperiaBipolar Transistors - BJT 100 V, 3 A NPN high power bipolar transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CH-QJNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 6V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CH-QJNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 6V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.57 грн
10+33.33 грн
100+21.53 грн
500+15.43 грн
1000+13.89 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CHE3-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CHE3-TPMicro Commercial ComponentsSilicon NPN Epitaxial Planer Transistors Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CHE3-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CHE3-TPMicro Commercial ComponentsMJD31CHE3-TP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CHE3-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CHQ-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.45 W
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 500µA, 50mA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.37 грн
10+33.87 грн
100+21.92 грн
500+15.72 грн
1000+14.16 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CHQ-13Diodes Inc100V NPN Medium Power Transistor In To252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CHQ-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
на замовлення 1607 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.42 грн
10+38.23 грн
100+23.19 грн
500+17.76 грн
1000+16.00 грн
2500+11.74 грн
10000+10.94 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CHQ-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.45 W
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 500µA, 50mA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.79 грн
5000+12.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CHQ-13Diodes Zetex100V NPN Medium Power Transistor In To252 Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CITUFAIRCHILDMJD31CITU
на замовлення 4760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1521+20.01 грн
Мінімальне замовлення: 1521
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CITUonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: IPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CITUFAIRCHILDMJD31CITU
на замовлення 19620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1521+20.01 грн
10000+17.84 грн
Мінімальне замовлення: 1521
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CITUONSEMIDescription: ONSEMI - MJD31CITU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CITUFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 100V 3A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 34518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1214+17.45 грн
Мінімальне замовлення: 1214
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CITUFAIRCHILDMJD31CITU
на замовлення 5050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1521+20.01 грн
Мінімальне замовлення: 1521
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CITUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CJNexperiaTrans GP BJT NPN 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
548+13.80 грн
1000+11.71 грн
Мінімальне замовлення: 548
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CJNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD31CJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+41.66 грн
50+24.29 грн
100+13.75 грн
500+12.31 грн
1000+10.94 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CJNEXPERIA100 V, 3 A NPN high power bipolar transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CJNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
на замовлення 6940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.84 грн
11+27.90 грн
100+17.90 грн
500+12.74 грн
1000+11.43 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CJNexperiaTrans GP BJT NPN 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
161+46.68 грн
250+46.55 грн
500+46.43 грн
1000+44.65 грн
Мінімальне замовлення: 161
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CJNexperiaTrans GP BJT NPN 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
819+14.87 грн
Мінімальне замовлення: 819
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CJNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD31CJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.75 грн
500+12.31 грн
1000+10.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CJNXPBipolar (BJT) Transistor NPN 100V 3A 3MHz 1.6W Surface Mount DPAK MJD31CJ DPAK(SOT428C) NEXPERIA TMJD31CJ
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
40+14.64 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CJNexperiaBipolar Transistors - BJT 100 V, 3 A PNP high power bipolar transistor
на замовлення 9827 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+51.29 грн
12+30.38 грн
100+12.92 грн
1000+11.60 грн
2500+8.44 грн
10000+8.22 грн
50000+7.71 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CJNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK,TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK; TO252
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
Application: automotive industry
Quantity in set/package: 2500pcs.
Pulsed collector current: 5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CQ-13Diodes IncTrans GP BJT NPN 100V 3A 1500mW Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CQ-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 3A TO-252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CQ-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - MJD31CQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+71.54 грн
18+47.01 грн
100+31.29 грн
500+22.78 грн
1000+18.77 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK,TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK; TO252
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
Application: automotive industry
Quantity in set/package: 2500pcs.
Pulsed collector current: 5A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CQ-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor
на замовлення 3663 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+80.57 грн
10+71.91 грн
25+62.46 грн
500+48.95 грн
1000+43.89 грн
2500+18.05 грн
5000+14.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CQ-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 3A TO-252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CQ-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - MJD31CQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.29 грн
500+22.78 грн
1000+18.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CRLONSOT252/2.5
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CRLonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CRLGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CRLGONSEMIDescription: ONSEMI - MJD31CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.86 грн
500+33.94 грн
1000+29.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CRLGonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W NPN
на замовлення 5899 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+115.59 грн
10+70.73 грн
25+61.43 грн
100+40.66 грн
500+32.44 грн
1000+31.85 грн
1800+26.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CRLGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+104.68 грн
185+65.81 грн
200+65.73 грн
500+41.94 грн
Мінімальне замовлення: 117
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CRLGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CRLGONSEMIDescription: ONSEMI - MJD31CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+107.03 грн
50+68.33 грн
100+45.86 грн
500+33.94 грн
1000+29.36 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CRLGonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 7687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.24 грн
10+60.24 грн
100+39.93 грн
500+29.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CRLGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
753+40.43 грн
1000+37.29 грн
Мінімальне замовлення: 753
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CRLGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CRLGonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+27.43 грн
3600+24.38 грн
5400+23.35 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CS-TPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT NPN 100V 3A 1250mW 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CS-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CS-TPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT NPN 100V 3A 1250mW 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+15.19 грн
50+14.62 грн
100+13.52 грн
250+12.96 грн
500+12.93 грн
1000+12.91 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CS-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.22 грн
11+29.43 грн
100+18.94 грн
500+13.51 грн
1000+12.13 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CS-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT TRANSISTOR NPN DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CS-TPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT NPN 100V 3A 1250mW 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4ON-SemicoductorDarl. NPN 3A 100V 15W MJD31CT4 STM TMJD31c STM
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.83 грн
5000+22.12 грн
7500+21.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch
на замовлення 2735 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+109.60 грн
10+67.10 грн
100+38.38 грн
500+30.09 грн
1000+27.37 грн
2500+23.56 грн
5000+22.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.69 грн
5000+11.41 грн
7500+11.21 грн
10000+10.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4onsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4STMicroelectronicsCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+113.61 грн
5+77.74 грн
10+67.34 грн
50+51.83 грн
68+15.87 грн
186+15.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJD31CT4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+106.21 грн
13+65.78 грн
100+43.31 грн
500+31.50 грн
1000+26.46 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4STMicroelectronicsCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+94.68 грн
7+62.38 грн
10+56.11 грн
50+43.19 грн
68+13.23 грн
186+12.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.98 грн
5000+10.71 грн
7500+10.53 грн
10000+10.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 8294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.47 грн
10+57.03 грн
100+37.75 грн
500+27.65 грн
1000+25.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4-ASTMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+31.80 грн
20+31.28 грн
25+30.75 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4-ASTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJD31CT4-A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+55.00 грн
23+36.47 грн
100+26.76 грн
500+18.96 грн
1000+15.81 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4-ASTMicroelectronicsCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 52500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+12.62 грн
7500+12.50 грн
12500+12.37 грн
17500+11.87 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 52500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+11.72 грн
7500+11.60 грн
12500+11.48 грн
17500+11.02 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4-ASTMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 3705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.75 грн
10+35.32 грн
100+22.84 грн
500+16.40 грн
1000+14.78 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4-ASTMicroelectronicsCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4-ASTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT LO VLT NPN PWR TRANS
на замовлення 3785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+55.31 грн
10+38.57 грн
100+23.71 грн
500+18.13 грн
1000+16.37 грн
2500+14.38 грн
5000+12.92 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD31CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+59.24 грн
18+34.91 грн
25+34.55 грн
100+24.92 грн
250+22.36 грн
500+16.75 грн
1000+11.95 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 77500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.25 грн
5000+13.47 грн
7500+12.86 грн
12500+11.41 грн
17500+11.03 грн
25000+10.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.87 грн
5000+14.32 грн
7500+14.24 грн
12500+13.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD31CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 5971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.73 грн
500+20.49 грн
1000+16.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
328+37.21 грн
438+27.83 грн
452+26.96 грн
579+20.30 грн
1000+13.41 грн
Мінімальне замовлення: 328
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4GonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W NPN
на замовлення 27044 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.95 грн
10+41.27 грн
100+24.29 грн
500+18.86 грн
1000+16.51 грн
2500+13.28 грн
5000+12.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.81 грн
5000+13.30 грн
7500+13.22 грн
12500+12.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD31CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 5971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+64.13 грн
50+38.20 грн
100+28.73 грн
500+20.49 грн
1000+16.02 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 147500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 78643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.92 грн
10+37.08 грн
100+24.07 грн
500+17.32 грн
1000+15.62 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.53 грн
5000+15.27 грн
7500+15.18 грн
10000+14.46 грн
25000+13.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4GON-SemicoductorTransistor NPN; 50; 1,56W; 100V; 3A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Replacement: MJD31CRLG(T&R); MJD31CT4G(T&R); MJD31CG(Tube); MJD31CTF; MJD31T4G; MJD31CT4G; MJD31CG; MJD31CT4G TMJD31c ONS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 6820 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+14.89 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4GMJD32CG
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4GNonsemiBipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 3A 100V TR
на замовлення 1749 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+65.07 грн
10+43.30 грн
100+25.91 грн
500+22.09 грн
1000+18.86 грн
2500+17.39 грн
5000+16.44 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4GNonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4GOSonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS PWR NPN 3A 100V DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CTFON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CTFonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CTF
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CTFON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CTFonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CTF-FSFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 100V 3A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CTF_NBDD001onsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CTF_SBDD001AonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CUQ-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CUQ-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 100V 3A 2600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CUQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 16W; DPAK,TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 16W
Case: DPAK; TO252
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
Application: automotive industry
Quantity in set/package: 2500pcs.
Pulsed collector current: 5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CUQ-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CUQ-13Diodes IncTrans GP BJT NPN 100V 3A 3900mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CUQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 16W; DPAK,TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 16W
Case: DPAK; TO252
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
Application: automotive industry
Quantity in set/package: 2500pcs.
Pulsed collector current: 5A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CUQ-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor TO252 T&R 2.5K
на замовлення 2544 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+89.05 грн
10+54.44 грн
100+28.92 грн
500+23.19 грн
1000+20.40 грн
2500+18.71 грн
5000+17.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31Gonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31T4onsemiDescription: TRANS POWER NPN 3A 40V DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1402+15.24 грн
Мінімальне замовлення: 1402
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31T4
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31T4ONSEMIDescription: ONSEMI - MJD31T4 - MJD31T4, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+17.95 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31T4/J31ON
на замовлення 33050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31T4GonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 40V 15W NPN
на замовлення 2911 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+61.31 грн
10+49.88 грн
100+33.32 грн
500+27.89 грн
1000+25.83 грн
2500+25.39 грн
5000+25.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+43.60 грн
25+43.17 грн
100+41.21 грн
250+37.77 грн
500+35.90 грн
1000+35.53 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31T4GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 3274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.71 грн
10+58.25 грн
100+40.59 грн
500+30.66 грн
1000+28.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
260+46.95 грн
262+46.49 грн
265+46.02 грн
268+43.94 грн
500+40.27 грн
1000+38.26 грн
Мінімальне замовлення: 260
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31T4GON Semiconductor
на замовлення 3784 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+41.04 грн
17+36.78 грн
100+30.55 грн
500+26.01 грн
1000+22.61 грн
2500+20.40 грн
5000+19.70 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31T4GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
308+39.61 грн
371+32.90 грн
500+29.05 грн
1000+26.30 грн
2500+22.89 грн
5000+21.21 грн
Мінімальне замовлення: 308
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32onsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 3A 40V TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32BSTTO-252
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32BT4STM07+ TO-252
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32BT4STMTO-252
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CSTMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CFAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32C
Код товару: 191777
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32ConsemiBipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CFAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CMOTSOT252/2.5
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CSTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT PNP TRANS 100V 3A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32C-13Diodes IncTrans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32C-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 100V 3A TO-252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.31 грн
10+38.76 грн
100+25.15 грн
500+18.10 грн
1000+16.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32C-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32C-13DIODES INCORPORATEDMJD32C-13 PNP SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32C-13Diodes IncTrans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32C-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 100V 3A PNP SMT
на замовлення 2297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.95 грн
10+43.21 грн
100+24.51 грн
500+18.79 грн
1000+16.95 грн
2500+12.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32C-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 100V 3A TO-252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32C-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32C-TPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT PNP 100V 3A 1250mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32C-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT TRANS PNP 100V 3A DPAK
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+80.57 грн
10+55.20 грн
100+32.37 грн
500+25.39 грн
1000+23.04 грн
2500+20.33 грн
5000+18.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32C-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32C-TPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT PNP 100V 3A 1250mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32C-TPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT PNP 100V 3A 1250mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32C-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32C/J32CMOTO
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32C1ONSEMIDescription: ONSEMI - MJD32C1 - TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+17.95 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32C1
на замовлення 17070 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32C1ON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 7900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1196+25.46 грн
Мінімальне замовлення: 1196
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32C1onsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A TO-252-3
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 7900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1402+15.38 грн
Мінімальне замовлення: 1402
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CANEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD32CA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+47.17 грн
50+32.36 грн
100+22.97 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CANexperiaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CANEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD32CA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CAJNexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.57 грн
10+33.56 грн
100+21.66 грн
500+15.52 грн
1000+13.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CAJNEXPERIA100 V, 3 A PNP high power bipolar transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CAJNexperiaTrans GP BJT PNP 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CAJNexperiaBipolar Transistors - BJT MJD32CA/SOT428/DPAK
на замовлення 3648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.66 грн
10+35.19 грн
100+20.40 грн
500+15.85 грн
1000+14.16 грн
2500+12.11 грн
5000+10.13 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CAJNexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.61 грн
5000+12.00 грн
7500+11.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CAJ
Код товару: 191470
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CAJNexperiaTrans GP BJT PNP 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 72475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2081+14.63 грн
Мінімальне замовлення: 2081
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
на замовлення 1933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+45.81 грн
25+25.06 грн
150+23.15 грн
525+20.46 грн
1050+17.58 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CGONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Mounting: SMD
Frequency: 3MHz
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 10...50
Collector current: 3A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 15W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Case: DPAK
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 230 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+47.42 грн
25+41.25 грн
36+30.41 грн
98+28.75 грн
1200+27.71 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CGONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Mounting: SMD
Frequency: 3MHz
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 10...50
Collector current: 3A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 15W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Case: DPAK
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+39.52 грн
25+33.10 грн
36+25.34 грн
98+23.96 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
на замовлення 4575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
512+23.79 грн
Мінімальне замовлення: 512
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CG
Код товару: 117659
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+22.09 грн
150+21.26 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CGonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 16863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.07 грн
75+28.62 грн
150+25.47 грн
525+19.70 грн
1050+17.88 грн
2025+16.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
на замовлення 1914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
326+37.40 грн
Мінімальне замовлення: 326
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 3253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+20.04 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CGonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W PNP
на замовлення 3590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.44 грн
10+70.47 грн
75+22.60 грн
525+20.04 грн
1050+18.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CGONSEMIDescription: ONSEMI - MJD32CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+66.52 грн
100+25.93 грн
500+22.63 грн
1000+19.48 грн
5000+17.22 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CHE3-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PNP 100V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CHE3-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CJNexperiaBipolar Transistors - BJT MJD32C/SOT428/DPAK
на замовлення 4752 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+42.30 грн
12+30.38 грн
100+13.43 грн
1000+11.74 грн
2500+9.17 грн
10000+7.93 грн
25000+7.71 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CJNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD32CJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+38.53 грн
50+31.12 грн
100+20.99 грн
500+14.22 грн
1000+10.23 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CJNexperiaTrans GP BJT PNP 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CJNEXPERIA100 V, 3 A PNP high power bipolar transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CJNexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
на замовлення 4508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.02 грн
11+29.74 грн
100+19.10 грн
500+13.61 грн
1000+12.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CJNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD32CJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.99 грн
500+14.22 грн
1000+10.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CJNexperiaTrans GP BJT PNP 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 46900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2430+12.53 грн
Мінімальне замовлення: 2430
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CJNXPBipolar (BJT) Transistor PNP 100V 3A 3MHz 1.6W Surface Mount DPAK MJD32CJ DPAK(SOT428C) NEXPERIA TMJD32CJ
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+13.78 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CJNexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CJNexperiaTrans GP BJT PNP 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 667400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2430+12.53 грн
Мінімальне замовлення: 2430
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CQ-13Diodes IncTrans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CQ-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 100V 3A TO-252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CQ-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CQ-13DIODES INCORPORATEDMJD32CQ-13 PNP SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CQ-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CQ-13Diodes IncTrans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+11.30 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CQ-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor
на замовлення 2108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+67.56 грн
10+48.95 грн
100+28.11 грн
500+19.30 грн
1000+19.16 грн
2500+14.68 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CQ-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 100V 3A TO-252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.83 грн
10+44.34 грн
100+28.93 грн
500+20.93 грн
1000+18.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CQ-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
461+17.80 грн
500+15.08 грн
Мінімальне замовлення: 461
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CQ-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CR
на замовлення 180 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CRLonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CRLMOTOROLA
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CRLG
на замовлення 340 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CRLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CRLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CRLGonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W PNP
на замовлення 949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+55.31 грн
10+53.93 грн
100+36.11 грн
500+29.87 грн
1000+29.80 грн
1800+25.03 грн
3600+23.63 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CRLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 70200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+30.26 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CRLGONSEMIDescription: ONSEMI - MJD32CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD32
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+40.67 грн
500+31.27 грн
1000+28.79 грн
5000+21.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CRLGonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 76025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+104.00 грн
10+63.07 грн
100+41.84 грн
500+30.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CRLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+29.09 грн
25+28.64 грн
100+27.19 грн
250+24.77 грн
500+23.40 грн
1000+23.01 грн
3000+22.63 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CRLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
389+31.33 грн
395+30.84 грн
401+30.36 грн
408+28.81 грн
500+26.25 грн
1000+24.78 грн
3000+24.37 грн
Мінімальне замовлення: 389
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CRLGONSEMIDescription: ONSEMI - MJD32CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD32
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+52.86 грн
100+40.67 грн
500+31.27 грн
1000+28.79 грн
5000+21.95 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CRLGonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 75600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+28.73 грн
3600+25.54 грн
5400+24.45 грн
9000+21.81 грн
12600+21.59 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CRLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
413+29.54 грн
418+29.13 грн
442+27.59 грн
500+24.88 грн
Мінімальне замовлення: 413
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.34 грн
5000+18.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 207500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.12 грн
5000+9.92 грн
7500+9.64 грн
12500+9.05 грн
17500+8.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4STMicroelectronicsCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 15W
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 941 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+79.04 грн
10+48.78 грн
77+13.94 грн
211+13.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 5173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.18 грн
10+48.09 грн
100+31.51 грн
500+22.88 грн
1000+20.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4STMicroelectronicsCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 15W
Polarisation: bipolar
на замовлення 941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+65.86 грн
10+39.14 грн
77+11.62 грн
211+11.01 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 207500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+9.43 грн
5000+9.25 грн
7500+8.99 грн
12500+8.44 грн
17500+7.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 130010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+8.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur Switch
на замовлення 6523 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+82.20 грн
10+51.65 грн
100+29.80 грн
500+23.71 грн
1000+21.21 грн
2500+17.83 грн
5000+16.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4
Код товару: 113107
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJD32CT4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+73.85 грн
18+48.08 грн
100+32.27 грн
500+24.46 грн
1000+19.90 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4-ASTMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 1811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.66 грн
10+42.20 грн
100+27.48 грн
500+19.84 грн
1000+17.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.