Продукція > MJD

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
MJD-104-3960DIP-100KNTCA/N
на замовлення 19000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD1029
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD1029T4
на замовлення 1941 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD1034T4
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD10N05E
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD11
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD1117
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112ONTO-252
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112onsemiDarlington Transistors 2A 100V Bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112LGETransistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1W; TO252 MJD112-LGE MJD112 TMJD112 LGE
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+7.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112FAIRCHILDTO-252
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112STTO-252
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112FAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112 TO252 SMD
Код товару: 202522
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112 TO252 SMDLUGUANG ELECTRONICCategory: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1W; TO252
Kind of transistor: Darlington
Case: TO252
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 1W
Collector current: 2A
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 200...12000
Frequency: 25MHz
Polarisation: bipolar
на замовлення 7913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+16.41 грн
45+9.21 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112 TO252 SMDLUGUANG ELECTRONICCategory: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1W; TO252
Kind of transistor: Darlington
Case: TO252
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 1W
Collector current: 2A
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 200...12000
Frequency: 25MHz
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 7913 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
20+19.69 грн
30+11.47 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-001onsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-001
на замовлення 6325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1GON Semiconductor
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 18450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+56.53 грн
525+43.28 грн
1050+37.85 грн
2475+34.69 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 26950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
637+48.48 грн
1000+44.71 грн
10000+39.87 грн
Мінімальне замовлення: 637
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 18450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
234+52.83 грн
525+40.45 грн
1050+35.37 грн
2475+32.42 грн
Мінімальне замовлення: 234
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 43200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
139+89.35 грн
300+64.55 грн
1050+47.78 грн
2550+43.50 грн
5025+37.29 грн
Мінімальне замовлення: 139
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+34.60 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1GONSEMICategory: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; IPAK
Kind of transistor: Darlington
Case: IPAK
Mounting: THT
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 1.75W
Collector current: 2A
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 100...12000
Polarisation: bipolar
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+94.01 грн
10+45.47 грн
25+41.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
239+51.75 грн
525+39.64 грн
Мінімальне замовлення: 239
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 15444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
637+48.48 грн
1000+44.71 грн
10000+39.87 грн
Мінімальне замовлення: 637
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 2870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.91 грн
75+48.28 грн
150+43.21 грн
525+33.77 грн
1050+30.83 грн
2025+28.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1GONSEMICategory: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; IPAK
Kind of transistor: Darlington
Case: IPAK
Mounting: THT
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 1.75W
Collector current: 2A
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 100...12000
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 129 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+112.81 грн
10+56.67 грн
25+49.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD112-1G - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 12000hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+55.45 грн
525+42.47 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 150169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
637+48.48 грн
1000+44.71 грн
10000+39.87 грн
100000+32.21 грн
Мінімальне замовлення: 637
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1GonsemiDarlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN
на замовлення 617 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+125.33 грн
10+58.79 грн
75+42.44 грн
525+36.34 грн
1050+29.26 грн
2475+28.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 24750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+32.09 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
383+32.29 грн
Мінімальне замовлення: 383
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-1GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 44108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
637+48.48 грн
1000+44.71 грн
10000+39.87 грн
Мінімальне замовлення: 637
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT TRANS NPN 100V 2A DPAK
на замовлення 507 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-TPMicro Commercial ComponentsTrans Darlington NPN 100V 2A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-TPMicro Commercial ComponentsTrans Darlington NPN 100V 2A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112-TR
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112/117
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112GONSEMICategory: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; DPAK
Kind of transistor: Darlington
Case: DPAK
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 1.75W
Collector current: 2A
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 100...12000
Polarisation: bipolar
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+64.95 грн
13+32.93 грн
25+28.17 грн
75+23.73 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112GONSEMICategory: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; DPAK
Kind of transistor: Darlington
Case: DPAK
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 1.75W
Collector current: 2A
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 100...12000
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 126 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+77.94 грн
10+41.04 грн
25+33.81 грн
75+28.47 грн
150+25.71 грн
525+21.81 грн
1050+21.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+17.51 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+89.28 грн
18+39.41 грн
75+33.75 грн
525+22.84 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
534+23.16 грн
654+18.91 грн
Мінімальне замовлення: 534
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD112G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 8764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+77.77 грн
100+29.06 грн
500+26.90 грн
1000+19.49 грн
5000+17.51 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 4157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.35 грн
75+30.23 грн
150+26.86 грн
525+20.68 грн
1050+18.72 грн
2025+17.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
336+36.83 грн
392+31.54 грн
558+22.14 грн
Мінімальне замовлення: 336
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112GNPN 100V, 2A, general purpose transistor DPAK
на замовлення 2429 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
13+36.96 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 3575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
295+41.88 грн
525+27.49 грн
2550+24.61 грн
Мінімальне замовлення: 295
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+24.81 грн
525+20.26 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112GonsemiDarlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN
на замовлення 3994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+79.46 грн
10+38.55 грн
75+24.61 грн
525+18.74 грн
1050+17.52 грн
2475+17.45 грн
4950+15.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112RLonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112RL
на замовлення 7900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112RL (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 20829
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112RLGON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 19800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+31.35 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112RLGonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 11331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.26 грн
10+67.93 грн
100+45.31 грн
500+33.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112RLGON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112RLG
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112RLGonsemiDarlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN
на замовлення 11073 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+119.99 грн
10+75.09 грн
100+43.50 грн
500+34.28 грн
1000+28.65 грн
1800+26.97 грн
3600+25.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112RLGonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+31.40 грн
3600+27.97 грн
5400+26.81 грн
9000+24.16 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112RLGONSEMICategory: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; DPAK
Kind of transistor: Darlington
Case: DPAK
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 1.75W
Collector current: 2A
Collector-emitter voltage: 100V
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112RLGON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112RLGON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+16.70 грн
10000+15.64 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4STMicroelectronicsDarlington Transistors NPN Power Darlington
на замовлення 5661 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.64 грн
10+46.52 грн
100+26.44 грн
500+20.34 грн
1000+18.44 грн
2500+16.23 грн
5000+14.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.42 грн
5000+18.04 грн
10000+16.57 грн
25000+15.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4STMicroelectronicsCategory: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 20W; DPAK
Kind of transistor: Darlington
Case: DPAK
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 20W
Collector current: 2A
Collector-emitter voltage: 100V
Frequency: 25MHz
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
на замовлення 3352 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+59.83 грн
10+40.32 грн
20+34.36 грн
100+23.49 грн
500+17.14 грн
1000+15.40 грн
2500+13.97 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 10123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.05 грн
10+41.98 грн
100+27.38 грн
500+19.79 грн
1000+17.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.86 грн
5000+19.32 грн
10000+17.73 грн
25000+16.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
520+23.77 грн
578+21.38 грн
580+21.31 грн
623+19.12 грн
1000+17.67 грн
3000+16.92 грн
Мінімальне замовлення: 520
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.52 грн
5000+15.51 грн
7500+14.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+17.90 грн
10000+16.76 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+27.97 грн
28+25.47 грн
100+22.09 грн
250+20.39 грн
500+18.21 грн
1000+18.17 грн
3000+18.13 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4STMicroelectronicsCategory: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 20W; DPAK
Kind of transistor: Darlington
Case: DPAK
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 20W
Collector current: 2A
Collector-emitter voltage: 100V
Frequency: 25MHz
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3352 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+71.79 грн
10+50.24 грн
20+41.24 грн
100+28.19 грн
500+20.57 грн
1000+18.48 грн
2500+16.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJD112T4 - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+70.08 грн
18+49.31 грн
100+32.39 грн
500+23.01 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4 (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 26922
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.48 грн
5000+16.38 грн
7500+15.66 грн
12500+13.93 грн
17500+13.48 грн
25000+13.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.86 грн
5000+21.64 грн
7500+20.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4GON09+
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD112T4G - Darlington-Transistor, NPN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 6432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.59 грн
500+24.13 грн
1000+19.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 95000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4GSTTO-252
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 95000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.65 грн
5000+18.47 грн
7500+17.62 грн
12500+16.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+84.65 грн
14+51.84 грн
25+51.32 грн
100+34.18 грн
250+31.34 грн
500+23.32 грн
1000+17.10 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4GON
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD112T4G - Darlington-Transistor, NPN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 6432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+81.96 грн
50+50.85 грн
100+33.59 грн
500+24.13 грн
1000+19.56 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 72019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.35 грн
10+44.05 грн
100+28.77 грн
500+20.84 грн
1000+18.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.00 грн
5000+19.42 грн
7500+18.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4GONTO-252
на замовлення 31000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4GonsemiDarlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN
на замовлення 9590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.44 грн
10+45.65 грн
100+27.43 грн
500+21.41 грн
1000+19.05 грн
2500+16.23 грн
5000+15.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
258+47.90 грн
374+33.08 грн
377+32.76 грн
500+24.48 грн
1000+16.63 грн
Мінімальне замовлення: 258
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4GONSEMICategory: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; DPAK
Kind of transistor: Darlington
Case: DPAK
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 1.75W
Collector current: 2A
Collector-emitter voltage: 100V
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.42 грн
5000+20.22 грн
7500+19.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112T4G*************
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112TFonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112TFON Semiconductor / FairchildDarlington Transistors NPN Si Transistor Darlington
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112TFON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112TFON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD112TFonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117onsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117MJD117 Микросхемы
на замовлення 99 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117
Код товару: 99164
Додати до обраних Обраний товар

ONТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: D-Pak
fT: 25 MHz
Uке, В: 100 V
Uкб, В: 100 V
Iк, А: 2 А
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+5.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117onsemiDarlington Transistors 2A 100V Bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117-001onsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117-1GON
на замовлення 25500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117-1GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) DPAK-3 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117-1GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) DPAK-3 Tube
на замовлення 81991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1144+27.00 грн
10000+24.07 грн
Мінімальне замовлення: 1144
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117-1GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: IPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 148891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1113+21.19 грн
Мінімальне замовлення: 1113
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117-1GON Semiconductor
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117-1GonsemiDarlington Transistors 2A 100V Bipolar Power PNP
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.55 грн
10+65.62 грн
75+44.57 грн
525+34.59 грн
1050+25.07 грн
2400+24.38 грн
4800+23.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117-1GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117-1GON09+ TQFP
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117-1GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD117-1G - Darlington-Transistor, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 153995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+19.14 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117-1GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) DPAK-3 Tube
на замовлення 58038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1144+27.00 грн
10000+24.07 грн
Мінімальне замовлення: 1144
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117-HFComchip TechnologyBipolar Transistors - BJT TRANS PNP GEN PURP 100V 2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117-HFComchip TechnologyDescription: TRANS 100V 2A TO-252-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2mA, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: TO-252-2
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117-TPMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117-TR
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
134+92.20 грн
188+65.94 грн
209+59.11 грн
Мінімальне замовлення: 134
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD117G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+114.52 грн
13+66.49 грн
100+44.78 грн
500+38.09 грн
1000+31.87 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117G
Код товару: 79758
Додати до обраних Обраний товар

ONТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-252
Uке, В: 100 V
Uкб, В: 100 V
Iк, А: 2 A
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+11.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 2309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+26.67 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
246+50.40 грн
Мінімальне замовлення: 246
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117GonsemiDarlington Transistors 2A 100V Bipolar Power PNP
на замовлення 1602 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+93.33 грн
10+61.77 грн
25+44.34 грн
75+39.24 грн
525+32.76 грн
1050+27.50 грн
2400+26.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+66.88 грн
14+54.04 грн
25+50.19 грн
75+39.93 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 6379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.90 грн
75+41.69 грн
150+37.23 грн
525+28.96 грн
1050+26.37 грн
2025+24.29 грн
5025+21.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117RLGON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117RLG
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117RLGonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4STMicroelectronicsTrans Darlington PNP 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4STMicroelectronicsTrans Darlington PNP 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4STMicroelectronicsDarlington Transistors PNP Power Darlington
на замовлення 6030 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+84.88 грн
10+52.48 грн
100+29.86 грн
500+23.16 грн
1000+20.95 грн
2500+18.51 грн
5000+16.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4STMicroelectronicsCategory: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 200...12000
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 25MHz
Kind of transistor: Darlington
на замовлення 5631 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+72.65 грн
10+42.54 грн
59+16.03 грн
161+15.16 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4STMicroelectronicsTrans Darlington PNP 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.55 грн
5000+18.64 грн
7500+18.45 грн
12500+17.61 грн
17500+15.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4STMicroelectronicsTrans Darlington PNP 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.03 грн
5000+17.38 грн
7500+17.20 грн
12500+16.42 грн
17500+14.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 1868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+78.29 грн
10+47.38 грн
100+31.05 грн
500+22.55 грн
1000+20.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4STMicroelectronicsTrans Darlington PNP 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJD117T4 - Bipolartransistor (BJT), Darlington, PNP, -100V, 20W, -2A, 200hFE
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+89.74 грн
16+56.49 грн
100+37.01 грн
500+26.59 грн
1000+22.27 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4STMicroelectronicsTrans Darlington PNP 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4STMicroelectronicsCategory: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 200...12000
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 25MHz
Kind of transistor: Darlington
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5631 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+87.17 грн
10+53.01 грн
59+19.24 грн
161+18.19 грн
10000+18.00 грн
12500+17.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4 PBF
Код товару: 21024
Додати до обраних Обраний товар

ONТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-252
Uке, В: 100 V
Uкб, В: 100 V
Iк, А: 2 A
Примітка: Дарлінгтон
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD117T4G - Darlington-Transistor, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.75W
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+104.04 грн
10+103.05 грн
25+102.07 грн
100+97.47 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 6446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.36 грн
10+52.54 грн
100+34.62 грн
500+25.26 грн
1000+22.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD117T4G - Darlington-Transistor, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+77.35 грн
50+57.60 грн
100+39.66 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4GMJD117T4G Диоды
на замовлення 1036 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4GonsemiDarlington Transistors 2A 100V Bipolar Power PNP
на замовлення 8665 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+89.77 грн
10+58.18 грн
100+33.37 грн
500+25.98 грн
1000+23.54 грн
2500+20.87 грн
5000+20.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.59 грн
5000+20.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117T4G*********
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117TFON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117TFonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117TFFAIRCHILDTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
935+33.02 грн
1014+30.46 грн
10000+27.16 грн
Мінімальне замовлення: 935
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117TFON Semiconductor / FairchildDarlington Transistors PNP Silicon Darl
на замовлення 18518 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117TFonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117TFONSEMIDescription: ONSEMI - MJD117TF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 24317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+26.41 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117TFFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A TO252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117TF
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117TFFAIRCHILDTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
935+33.02 грн
1014+30.46 грн
Мінімальне замовлення: 935
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117TF-FSFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122onsemiDarlington Transistors 8A 100V Bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122YFWTranzystor NPN; 12000; 1,5W; 100V; 8A; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJD122-YFW; MJD122 TO252 YFW TMJD122 YFW
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+7.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122EVVODescription: TRANS NPN DARL 100V 8A TO-252-2L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: TO-252-2L
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 2063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+52.74 грн
10+31.74 грн
100+20.44 грн
500+14.60 грн
1000+13.12 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122EVVODescription: TRANS NPN DARL 100V 8A TO-252-2L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: TO-252-2L
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.75 грн
5000+11.22 грн
7500+10.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122YFWTranzystor NPN; 12000; 1,5W; 100V; 8A; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJD122-LGE; MJD122 TO252 YFW TMJD122 lge
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 123 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+7.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122 (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 23955
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122 TO252 SMDLUGUANG ELECTRONICCategory: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.5W; TO252
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Case: TO252
Type of transistor: NPN
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.5W
Collector current: 8A
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 100...12000
на замовлення 954 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+17.43 грн
35+11.82 грн
100+10.63 грн
105+9.13 грн
285+8.65 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122 TO252 SMDLUGUANG ELECTRONICCategory: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.5W; TO252
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Case: TO252
Type of transistor: NPN
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.5W
Collector current: 8A
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 100...12000
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 954 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
15+20.92 грн
25+14.74 грн
100+12.76 грн
105+10.95 грн
285+10.38 грн
2500+10.19 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122 TO252 SMD
Код товару: 181912
Додати до обраних Обраний товар


товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122-1STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122-1STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A TO251
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.26 грн
75+47.17 грн
150+42.18 грн
525+32.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122-1
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122-1STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122-1STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJD122-1 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 8 A, 20 W
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE
Transistormontage: Durchsteckmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 20W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 8A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+107.69 грн
19+47.09 грн
100+41.96 грн
500+35.87 грн
1000+27.47 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122-1STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122-1STMicroelectronicsCategory: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 5A; 20W; IPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 5A
Power dissipation: 20W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 8A
Current gain: 100...12000
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122-1STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122-1STMicroelectronicsDarlington Transistors NPN PWR Darlington Int Anti Collector
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+111.10 грн
10+55.20 грн
75+37.18 грн
525+30.86 грн
1050+28.42 грн
2550+25.22 грн
5025+23.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122-1GonsemiDarlington Transistors BIP IPAK NPN 8A 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122-1GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122-1GON Semiconductor8.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 22142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.18 грн
10+53.33 грн
100+35.14 грн
500+25.66 грн
1000+23.30 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122-TPMicro Commercial ComponentsTrans Darlington NPN 100V 8A 1500mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122-TPMicro Commercial ComponentsTrans Darlington NPN 100V 8A 1500mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.96 грн
5000+20.43 грн
7500+19.57 грн
12500+17.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT TRANS NPN 100V 8A DPAK
на замовлення 4946 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.99 грн
10+59.40 грн
100+34.06 грн
500+26.51 грн
1000+24.07 грн
2500+20.72 грн
5000+18.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122-TP-HF-B002Micro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122-TR
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122/127
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
376+32.92 грн
525+32.59 грн
Мінімальне замовлення: 376
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 5222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+32.71 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122GonsemiDarlington Transistors 8A 100V Bipolar Power NPN
на замовлення 8483 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+85.60 грн
10+75.26 грн
75+32.30 грн
525+30.32 грн
1050+29.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122G
Код товару: 165785
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
381+32.48 грн
Мінімальне замовлення: 381
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122GONSEMICategory: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.75W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1.75W
Case: DPAK
Current gain: 300
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 4MHz
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+64.95 грн
10+49.04 грн
23+41.98 грн
62+39.68 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+39.37 грн
525+38.98 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 7722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+36.69 грн
75+36.32 грн
525+34.67 грн
1050+31.29 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 4035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.03 грн
75+50.08 грн
150+44.83 грн
525+35.05 грн
1050+32.01 грн
2025+29.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122GONSEMICategory: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.75W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1.75W
Case: DPAK
Current gain: 300
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 4MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 126 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+77.94 грн
10+61.12 грн
23+50.38 грн
62+47.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 7722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
361+34.26 грн
365+33.92 грн
525+33.59 грн
1050+31.55 грн
Мінімальне замовлення: 361
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+58.87 грн
328+37.67 грн
1050+36.07 грн
Мінімальне замовлення: 210
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD122G - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 1.75 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.75W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+109.40 грн
13+70.34 грн
100+43.42 грн
500+38.81 грн
1000+34.36 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122GOn SemiconductorNPN Darl. DPAK
на замовлення 400 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122GT4GON SemiconductorBIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122RLGonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122RLG
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122RLGON Semiconductor8.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122RLGonsemiDarlington Transistors BIP DPAK NPN 8A 100V
на замовлення 1785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+55.73 грн
10+48.01 грн
100+28.49 грн
500+23.85 грн
1000+20.27 грн
1800+18.28 грн
3600+16.99 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122RLGON Semiconductor8.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+94.68 грн
12+60.96 грн
100+40.53 грн
500+30.25 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 4723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+81.59 грн
10+49.12 грн
100+32.30 грн
500+23.50 грн
1000+21.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4STMicroelectronicsDarlington Transistors NPN Power Darlington
на замовлення 7667 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+87.91 грн
10+54.41 грн
100+31.16 грн
500+24.07 грн
1000+21.87 грн
2500+19.43 грн
5000+17.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4STTrans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R MJD122T4 DPAK STMicroelectronics TMJD122t4 STM
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+13.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1415000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.49 грн
5000+17.93 грн
10000+16.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+21.27 грн
10000+20.68 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1415000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.85 грн
5000+19.17 грн
10000+17.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4STMicroelectronicsCategory: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Current gain: 100...1000
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5706 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+76.92 грн
10+47.77 грн
100+30.76 грн
500+24.00 грн
1000+21.81 грн
2500+19.33 грн
5000+17.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+19.85 грн
10000+19.30 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4STMicroelectronicsCategory: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Current gain: 100...1000
на замовлення 5706 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+64.10 грн
11+38.33 грн
100+25.63 грн
500+20.00 грн
1000+18.17 грн
2500+16.11 грн
5000+14.84 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4 (MJD122T4G) (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 30180
Додати до обраних Обраний товар

ONТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: D-Pak
Uceo,V: 100 V
Ucbo,V: 100 V
Ic,A: 8 A
h21: 5000
Примітка: Дарлінгтон
товару немає в наявності
1+20.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD122T4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8A
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 11090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.72 грн
500+35.32 грн
1000+29.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.64 грн
5000+31.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.60 грн
5000+26.10 грн
10000+25.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 47260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.25 грн
10+58.73 грн
100+38.90 грн
500+28.52 грн
1000+25.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4GONSEMICategory: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.75W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1.75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Current gain: 300
Frequency: 4MHz
на замовлення 762 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+89.74 грн
10+61.27 грн
25+50.31 грн
31+30.16 грн
86+28.49 грн
500+28.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD122T4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8A
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 11090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+110.25 грн
50+68.63 грн
100+48.72 грн
500+35.32 грн
1000+29.67 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4GON-Semicoductordarl.NPN 5A 100V 20W MJD122G, MJD122T4G, MJD122T4, MJD122TF, MJE122-TP MJD122T4 DPAK ONS TMJD122t4
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 2280 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+27.44 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.15 грн
5000+28.42 грн
10000+27.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+110.70 грн
11+69.16 грн
25+68.47 грн
100+46.71 грн
250+42.84 грн
500+31.93 грн
1000+26.53 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
192+64.55 грн
194+63.91 грн
274+45.21 грн
276+43.18 грн
500+31.04 грн
1000+24.76 грн
Мінімальне замовлення: 192
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 46500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.63 грн
5000+22.84 грн
7500+21.91 грн
12500+19.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4GonsemiDarlington Transistors 8A 100V Bipolar Power NPN
на замовлення 16951 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+99.55 грн
10+60.72 грн
100+37.48 грн
500+29.26 грн
1000+26.59 грн
2500+23.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4GONSEMICategory: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.75W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1.75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Current gain: 300
Frequency: 4MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 762 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+107.69 грн
10+76.35 грн
25+60.38 грн
31+36.19 грн
86+34.19 грн
500+33.62 грн
1000+32.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.12 грн
5000+26.57 грн
10000+26.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.64 грн
5000+27.96 грн
10000+27.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4G*************
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122T4GOSonsemiDarlington Transistors Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS DARL NPN 8A 100V DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122TFonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122TFON SemiconductorDarlington Transistors NPN Sil Darl Trans
на замовлення 6389 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122TFON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122TF
Код товару: 101877
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122TFonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122TF
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127EVVODescription: TRANS PNP DARL 100V 8A TO-252-2L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: TO-252-2L
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127YFWPNP 8A 100V 20W MJD127G MJD127TF MJD127T4G MJD127T4 MJD127-TP MJD127-LGE MJD127 TMJD127
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 960 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+7.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127onsemiDarlington Transistors 8A 100V Bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127EVVODescription: TRANS PNP DARL 100V 8A TO-252-2L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: TO-252-2L
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.92 грн
11+30.95 грн
100+19.93 грн
500+14.24 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127YFWPNP 8A 100V 20W MJD127G MJD127TF MJD127T4G MJD127T4 MJD127-TP MJD127-LGE MJD127 TMJD127
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+7.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127 TO252 SMDLUGUANG ELECTRONICCategory: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.5W; TO252
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1.5W
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Current gain: 100...12000
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+17.26 грн
40+11.27 грн
100+10.16 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127 TO252 SMDLUGUANG ELECTRONICCategory: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.5W; TO252
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1.5W
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Current gain: 100...12000
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 119 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
15+20.72 грн
25+14.04 грн
100+12.19 грн
500+10.76 грн
2500+10.19 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127-1
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127-LGE
Код товару: 161555
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127-TPMicro Commercial ComponentsTrans Darlington PNP 100V 8A 1500mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT TRANS PNP 100V 8A DPAK
на замовлення 3186 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+98.66 грн
10+60.54 грн
100+34.89 грн
500+27.43 грн
1000+24.76 грн
2500+22.47 грн
5000+19.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PNP 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127-TPMicro Commercial ComponentsTrans Darlington PNP 100V 8A 1500mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PNP 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127-TR
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+39.65 грн
150+39.26 грн
525+36.76 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127GONSEMICategory: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Current gain: 100...12000
Frequency: 4MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 86 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+124.10 грн
10+63.39 грн
25+49.33 грн
75+47.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
385+32.13 грн
Мінімальне замовлення: 385
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+34.84 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
174+71.25 грн
318+38.87 грн
1050+37.27 грн
Мінімальне замовлення: 174
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127G
Код товару: 50655
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.50 грн
75+51.21 грн
150+45.88 грн
525+35.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127GONSEMICategory: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Current gain: 100...12000
Frequency: 4MHz
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+103.41 грн
10+50.87 грн
25+41.11 грн
75+39.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD127G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 1.75 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.75W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+141.02 грн
12+72.30 грн
100+43.59 грн
500+38.49 грн
1000+33.70 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 6444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+103.66 грн
16+44.19 грн
150+43.75 грн
525+38.05 грн
1050+33.62 грн
2550+30.50 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127GonsemiDarlington Transistors 8A 100V Bipolar Power PNP
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+126.21 грн
10+75.09 грн
75+33.52 грн
525+30.40 грн
1050+28.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 6432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
301+41.09 грн
304+40.69 грн
525+36.70 грн
1050+33.77 грн
2550+29.55 грн
Мінімальне замовлення: 301
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127RLGonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127RLGON Semiconductor8.0 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127RLGonsemiDarlington Transistors BIP DPAK PNP 8A 100V
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+65.06 грн
10+56.25 грн
100+33.37 грн
500+27.88 грн
1000+23.77 грн
1800+21.41 грн
3600+19.88 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127RLG
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127RLGON Semiconductor8.0 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127S-TPMicro Commercial Components (MCC)Darlington Transistors PNP -100Vcbo -5V 1.5W -100Vceo -8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127S-TPMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 5V
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4STMicroelectronicsTrans Darlington PNP 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+19.04 грн
7500+17.73 грн
10000+17.55 грн
12500+16.77 грн
17500+15.37 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4
Код товару: 180295
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4STMicroelectronicsTrans Darlington PNP 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4STMicroelectronicsCategory: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1813 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+63.24 грн
11+37.62 грн
100+24.60 грн
500+18.97 грн
1000+17.22 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJD127T4 - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+85.04 грн
16+54.18 грн
100+35.47 грн
500+25.47 грн
1000+21.32 грн
5000+17.07 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4STMicroelectronicsTrans Darlington PNP 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1692500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.17 грн
5000+16.87 грн
7500+15.95 грн
12500+15.26 грн
17500+14.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.07 грн
5000+16.91 грн
7500+16.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4STMicroelectronicsCategory: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1813 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+75.89 грн
10+46.88 грн
100+29.52 грн
500+22.76 грн
1000+20.67 грн
2500+18.48 грн
5000+17.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4STMicroelectronicsTrans Darlington PNP 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1692500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.54 грн
5000+18.14 грн
7500+17.15 грн
12500+16.40 грн
17500+15.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4onsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4STMicroelectronicsTrans Darlington PNP 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 175000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4STMicroelectronicsDarlington Transistors PNP Power Darlington
на замовлення 4278 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+78.75 грн
10+49.94 грн
100+28.42 грн
500+22.02 грн
1000+19.88 грн
2500+17.60 грн
5000+15.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4STMicroelectronicsTrans Darlington PNP 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+20.40 грн
7500+19.00 грн
10000+18.80 грн
12500+17.96 грн
17500+16.47 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4STMicroelectronicsTrans Darlington PNP 100V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 10626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.00 грн
10+45.24 грн
100+29.62 грн
500+21.47 грн
1000+19.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4GONSEMICategory: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1462 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+86.15 грн
10+60.62 грн
20+50.00 грн
50+40.28 грн
100+34.57 грн
200+30.00 грн
500+28.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 140000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.56 грн
5000+19.16 грн
7500+18.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4GonsemiDarlington Transistors 8A 100V Bipolar Power PNP
на замовлення 8815 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+89.77 грн
10+55.55 грн
100+31.85 грн
500+24.84 грн
1000+22.40 грн
2500+18.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.03 грн
5000+24.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD127T4G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+40.51 грн
500+29.36 грн
1000+24.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4GHXY MOSFETTransistor Darlington PNP; 12000; 1,5W; 100V; 8A; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJD127G; MJD127T4G; MJD127-TP; MJD127T4G HXY MOSFET TMJD127 HXY
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+7.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 140000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 10998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.24 грн
10+50.39 грн
100+33.17 грн
500+24.16 грн
1000+21.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4G
Код товару: 180192
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4GONSEMICategory: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
на замовлення 1462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+71.79 грн
10+48.65 грн
20+41.66 грн
50+33.57 грн
100+28.81 грн
200+25.00 грн
500+23.81 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD127T4G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 12hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+98.28 грн
50+61.53 грн
100+40.51 грн
500+29.36 грн
1000+24.47 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4G*************
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4G-JSMJSMicro SemiconductorTransistor Darlington PNP; 12000; 20W; 100V; 8A; 4MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJD127G; MJD127T4G; MJD127-TP; MJD127T4G JSMICRO TMJD127 JSM
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 700 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+7.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127T4GOSonsemiDarlington Transistors Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS DARL PNP 8A 100V DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127TFON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+62.14 грн
14+52.21 грн
25+49.05 грн
50+44.23 грн
100+30.67 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127TFonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127TFON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127TFON Semiconductor / FairchildDarlington Transistors PNP Si Transistor Darlington
на замовлення 7163 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD127Т4
Код товару: 26825
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD128
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD128T4onsemiDescription: TRANS PNP DARL 120V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD128T4
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD128T4GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 120V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 20219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.62 грн
10+75.08 грн
100+50.05 грн
500+36.90 грн
1000+33.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJD128T4GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 120V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.35 грн
5000+29.81 грн
7500+28.63 грн
12500+26.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD128T4G
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD128T4GON SemiconductorTrans Darlington PNP 120V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD128T4GON SemiconductorTrans Darlington PNP 120V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD128T4GonsemiDarlington Transistors BIP PNP 8A 120V TR
на замовлення 3771 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+119.10 грн
10+74.30 грн
100+43.12 грн
500+33.90 грн
1000+30.86 грн
2500+27.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJD13003
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD13003A
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD13003C
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD13005
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD13005T4G
на замовлення 52900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD148
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD148-QJNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD148-QJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 4 A, 1.6 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+45.55 грн
23+37.78 грн
100+24.44 грн
500+17.78 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
MJD148-QJNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 45V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+53.57 грн
10+33.49 грн
100+21.75 грн
500+15.55 грн
1000+13.98 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD148-QJNexperiaTrans GP BJT NPN 45V 4A 1600mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD148-QJNEXPERIATrans GP BJT NPN 45V 4A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD148-QJNexperiaBipolar Transistors - BJT 45 V, 4 A NPN high power bipolar transistor
на замовлення 2097 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+59.11 грн
10+36.80 грн
100+21.56 грн
500+16.46 грн
1000+14.78 грн
2500+14.70 грн
5000+11.81 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD148-QJNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 45V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD148-QJNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD148-QJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 4 A, 1.6 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.44 грн
500+17.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD148JNEXPERIATrans GP BJT NPN 45V 4A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD148JNexperiaBipolar Transistors - BJT MJD148/SOT428/DPAK
на замовлення 2186 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+55.73 грн
10+35.83 грн
100+20.72 грн
500+16.00 грн
1000+14.32 грн
2500+12.57 грн
5000+11.12 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD148JNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD148J - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 4 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 40hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 15W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 4A
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.33 грн
500+16.75 грн
1000+13.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD148JNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 45V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.6 W
на замовлення 6049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.51 грн
10+35.00 грн
100+22.58 грн
500+16.16 грн
1000+14.54 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD148JNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 45V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.6 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD148JNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD148J - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 4 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+43.93 грн
28+31.28 грн
100+21.37 грн
500+15.48 грн
1000+12.82 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
MJD148JNexperiaTrans GP BJT NPN 45V 4A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD148T4onsemiDescription: TRANS POWER NPN 4A 45V DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 20 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD148T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 4A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD148T4GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 278962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.36 грн
10+52.54 грн
100+34.53 грн
500+25.12 грн
1000+22.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD148T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 4A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD148T4GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 277500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.38 грн
5000+19.88 грн
7500+19.03 грн
12500+16.96 грн
17500+16.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD148T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 4A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD148T4G
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD148T4GonsemiBipolar Transistors - BJT 4A 45V 20W NPN
на замовлення 6207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+47.11 грн
10+42.41 грн
100+30.63 грн
500+26.13 грн
1000+22.25 грн
2500+17.90 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJD148T4G*************
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD18002D2
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD18002D2T4
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD18002D2T4G
на замовлення 52900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD18002D2T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 2A 50000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD18002D2T4GonsemiDescription: TRANS NPN 450V 2A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD18002D2T4GonsemiDescription: TRANS NPN 450V 2A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD18004D2T4G
на замовлення 52900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD20
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200ON SemiconductorDescription: TRANS NPN 25V 5A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200onsemiBipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200-001
на замовлення 99 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200-1
на замовлення 1782 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200GonsemiBipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W NPN
на замовлення 7909 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+33.06 грн
12+31.72 грн
75+18.89 грн
525+17.37 грн
1050+15.69 грн
2700+14.78 грн
5400+14.63 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200GonsemiDescription: TRANS NPN 25V 5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 23020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.17 грн
10+44.52 грн
100+29.09 грн
500+21.04 грн
1000+19.02 грн
2000+17.32 грн
5000+15.22 грн
10000+14.10 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200GON07+;
на замовлення 215 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+61.62 грн
13+54.31 грн
100+41.65 грн
500+31.74 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200RLGonsemiBipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W NPN
на замовлення 9486 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+83.28 грн
10+48.71 грн
100+29.48 грн
500+22.78 грн
1000+19.12 грн
1800+17.52 грн
3600+15.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200RLGonsemiDescription: TRANS NPN 25V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+20.61 грн
3600+18.22 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200RLGONTO252
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200RLGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200RLGonsemiDescription: TRANS NPN 25V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 4539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.47 грн
10+46.66 грн
100+30.62 грн
500+22.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200RLGON Semiconductor
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200RLGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200T4ON SemiconductorDescription: TRANS NPN 25V 5A DPAK
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1202+20.57 грн
Мінімальне замовлення: 1202
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200T4ON SemiconductorDescription: TRANS NPN 25V 5A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200T4STMTO-252
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200T4onsemiBipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200T4GON08+ QFP
на замовлення 360 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD200T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 5 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+61.36 грн
50+39.23 грн
100+22.56 грн
500+17.78 грн
1000+15.09 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200T4GonsemiDescription: TRANS NPN 25V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+64.28 грн
10+38.41 грн
100+24.93 грн
500+17.96 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200T4GST
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200T4GonsemiBipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W NPN
на замовлення 4999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+57.33 грн
10+36.10 грн
100+18.06 грн
500+15.31 грн
1000+14.09 грн
2500+12.57 грн
10000+11.89 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD200T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 5 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.56 грн
500+17.78 грн
1000+15.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200T4GonsemiDescription: TRANS NPN 25V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200T4GON Semiconductor
на замовлення 6030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200T4G
Код товару: 132801
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200T4G*************
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200T5GON SemiconductorTRANS PWR NPN 5A 25V DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD200T5GON SemiconductorDescription: TRANS NPN 25V 5A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2055T4
на замовлення 6200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210FAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210FSC0832+ LQFP48
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210onsemiDescription: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210FAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210onsemiBipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210-1
на замовлення 2072 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210-TFSAMSUNGSOT-252
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210GONSEMICategory: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 25V; 5A; 12.5W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 25V
Collector current: 5A
Power dissipation: 12.5W
Case: DPAK
Current gain: 45...180
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 65MHz
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+64.95 грн
12+34.20 грн
25+28.97 грн
46+20.71 грн
125+19.60 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210GonsemiBipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W PNP
на замовлення 858 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.31 грн
10+70.53 грн
75+24.38 грн
525+22.78 грн
1050+16.00 грн
2700+15.01 грн
5400+14.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210G
Код товару: 62981
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD210G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+77.94 грн
12+76.66 грн
100+30.43 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210GonsemiDescription: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 16280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.51 грн
75+27.04 грн
150+24.31 грн
525+19.07 грн
1050+17.42 грн
2025+16.09 грн
5025+14.32 грн
10050+13.46 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210GONSEMICategory: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 25V; 5A; 12.5W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 25V
Collector current: 5A
Power dissipation: 12.5W
Case: DPAK
Current gain: 45...180
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 65MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 189 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+77.94 грн
10+42.62 грн
25+34.76 грн
46+24.86 грн
125+23.52 грн
525+22.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210LT4TO-252
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210LT4
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210LTO-251
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210LTO-252T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210RLonsemiDescription: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 8700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1480+15.32 грн
Мінімальне замовлення: 1480
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210RLAptina ImagingTrans GP BJT PNP 25V 10A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1810+17.06 грн
Мінімальне замовлення: 1810
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210RLONSEMIDescription: ONSEMI - MJD210RL - MJD210RL, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 15400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+18.46 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210RLonsemiDescription: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210RLMOT
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210RLGAptina ImagingTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+16.09 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210RLGonsemiBipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W PNP
на замовлення 1512 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+54.04 грн
10+38.02 грн
100+24.30 грн
500+20.19 грн
1000+18.44 грн
1800+15.47 грн
3600+15.08 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1589+19.44 грн
Мінімальне замовлення: 1589
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210RLGonsemiDescription: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 1769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.88 грн
10+42.38 грн
100+27.66 грн
500+20.00 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 13785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1589+19.44 грн
Мінімальне замовлення: 1589
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210RLGONSEMIDescription: ONSEMI - MJD210RLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+48.72 грн
25+35.38 грн
100+26.07 грн
500+17.22 грн
1000+12.23 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210RLGON Semiconductor
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+17.08 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210RLGonsemiDescription: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1589+19.44 грн
Мінімальне замовлення: 1589
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210RLGONSEMIDescription: ONSEMI - MJD210RLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.65 грн
500+20.55 грн
1000+18.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4Aptina ImagingTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
855+36.12 грн
1000+34.11 грн
Мінімальне замовлення: 855
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4ONSEMIDescription: ONSEMI - MJD210T4 - TRANSISTOR, PNP D-PAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+36.84 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4STM07+ TO-252
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4ON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4Aptina ImagingTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
855+36.12 грн
1000+34.11 грн
Мінімальне замовлення: 855
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4STMTO-252
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4onsemiDescription: TRANS PWR PNP 5A 25V DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
740+31.41 грн
Мінімальне замовлення: 740
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4/J210
на замовлення 13700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1711+18.05 грн
Мінімальне замовлення: 1711
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4G
Код товару: 132802
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4GonsemiDescription: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 28872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.75 грн
10+40.16 грн
100+26.12 грн
500+18.85 грн
1000+17.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 110047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1711+18.05 грн
Мінімальне замовлення: 1711
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+39.83 грн
22+32.29 грн
25+32.18 грн
100+24.12 грн
250+22.11 грн
500+18.08 грн
1000+16.24 грн
3000+14.40 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD210T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.67 грн
500+19.60 грн
1000+16.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1711+18.05 грн
Мінімальне замовлення: 1711
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
412+30.03 грн
529+23.35 грн
535+23.12 грн
628+18.98 грн
1000+15.79 грн
3000+13.44 грн
Мінімальне замовлення: 412
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4GonsemiDescription: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.65 грн
5000+14.73 грн
7500+14.07 грн
12500+12.50 грн
17500+12.09 грн
25000+11.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1711+18.05 грн
Мінімальне замовлення: 1711
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4GonsemiBipolar Transistors - BJT 5A 25V 12.5W PNP
на замовлення 11998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.37 грн
10+41.35 грн
100+24.68 грн
500+19.58 грн
1000+17.37 грн
2500+15.39 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD210T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 5 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+50.34 грн
50+35.90 грн
100+25.64 грн
500+19.52 грн
1000+16.56 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 31500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1711+18.05 грн
Мінімальне замовлення: 1711
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4GON07+;
на замовлення 9675 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210T4G*************
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210TFAptina ImagingTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1254+24.64 грн
Мінімальне замовлення: 1254
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210TF
на замовлення 3014 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210TFON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
на замовлення 1145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210TFonsemiDescription: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1025+22.21 грн
Мінімальне замовлення: 1025
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210TFonsemiDescription: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210TFON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210TFFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1025+22.21 грн
Мінімальне замовлення: 1025
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210TFONSEMIDescription: ONSEMI - MJD210TF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+26.58 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210TFonsemiDescription: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD210TMON SemiconductorMJD210TM^FAIRCHILD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243onsemiDescription: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243
Код товару: 20318
Додати до обраних Обраний товар


8542 39 90 00
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243onsemiBipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243GonsemiBipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W NPN
на замовлення 1332 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.77 грн
10+46.52 грн
75+31.31 грн
525+25.98 грн
1050+25.83 грн
2550+21.56 грн
4950+19.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
311+39.71 грн
525+32.87 грн
Мінімальне замовлення: 311
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243G
Код товару: 133000
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD243G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 100 V, 4 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+102.56 грн
15+58.20 грн
100+35.04 грн
500+30.16 грн
1000+25.57 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+42.55 грн
525+35.22 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 14656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.90 грн
75+41.43 грн
150+36.92 грн
525+28.61 грн
1050+26.00 грн
2025+23.91 грн
5025+21.17 грн
10050+19.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 11850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
311+39.71 грн
Мінімальне замовлення: 311
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4ON
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4onsemiDescription: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 12.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1254+24.64 грн
Мінімальне замовлення: 1254
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD243T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.53 грн
500+26.19 грн
1000+21.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
510+24.25 грн
558+22.16 грн
563+21.94 грн
600+19.86 грн
1000+18.15 грн
3000+17.19 грн
Мінімальне замовлення: 510
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 172500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 177575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+79.12 грн
10+47.46 грн
100+31.15 грн
500+22.64 грн
1000+20.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+27.80 грн
28+25.98 грн
100+22.90 грн
250+20.99 грн
500+18.92 грн
1000+18.67 грн
3000+18.42 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4GonsemiBipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W NPN
на замовлення 5632 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+86.39 грн
10+49.76 грн
100+29.03 грн
500+22.78 грн
1000+20.80 грн
2500+18.51 грн
5000+17.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD243T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+70.59 грн
50+50.25 грн
100+34.53 грн
500+26.19 грн
1000+21.39 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4G
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 177500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.16 грн
5000+17.90 грн
7500+17.13 грн
12500+15.26 грн
17500+14.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4G
Код товару: 172041
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4G*************
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2474T4
на замовлення 3090 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253onsemi BIP DPAK PNP 4A 100V SL F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253
Код товару: 20319
Додати до обраних Обраний товар


8542 39 90 00
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253-001onsemiDescription: TRANS PNP 100V 4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: I-PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253-001
на замовлення 2913 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253-1G
Код товару: 133001
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253-1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 4250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1599+19.31 грн
Мінімальне замовлення: 1599
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253-1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 1983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1599+19.31 грн
Мінімальне замовлення: 1599
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253-1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253-1GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: IPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.24 грн
75+34.61 грн
150+30.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253-1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 1875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1599+19.31 грн
Мінімальне замовлення: 1599
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253-1GonsemiBipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W PNP
на замовлення 1068 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+52.89 грн
10+44.42 грн
75+29.94 грн
1050+23.16 грн
2550+16.15 грн
11550+14.09 грн
26400+13.33 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253-1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1599+19.31 грн
Мінімальне замовлення: 1599
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253T4ON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253T4onsemiDescription: TRANS PWR PNP 4A 100V DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 12.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253T4ON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253T4GDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD253T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.92 грн
500+19.68 грн
1000+16.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253T4GonsemiBipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W PNP
на замовлення 13556 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+57.33 грн
11+34.26 грн
100+22.40 грн
500+17.14 грн
1000+15.47 грн
2500+13.56 грн
5000+11.96 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253T4GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 10911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.16 грн
10+35.87 грн
100+23.24 грн
500+16.69 грн
1000+15.04 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253T4G
Код товару: 172039
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
552+22.39 грн
600+20.58 грн
1000+14.49 грн
Мінімальне замовлення: 552
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD253T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+58.12 грн
50+36.32 грн
100+26.92 грн
500+19.68 грн
1000+16.19 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253T4GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.67 грн
5000+12.95 грн
7500+12.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253T4G*************
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2873-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 50V 2A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.45 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2873-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2873-QJNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD2873-QJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 1.6 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+38.37 грн
31+28.12 грн
100+19.49 грн
500+14.21 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2873-QJNexperiaBipolar Transistors - BJT SOT428 50V 2A NPN HI PWR BJT
на замовлення 4780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+51.20 грн
12+31.54 грн
100+17.60 грн
500+13.41 грн
1000+12.04 грн
2500+10.51 грн
5000+9.14 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2873-QJNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 50V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 9540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.80 грн
12+28.33 грн
100+18.20 грн
500+12.96 грн
1000+11.63 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2873-QJNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD2873-QJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 1.6 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.49 грн
500+14.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2873-QJNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 50V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.27 грн
5000+9.91 грн
7500+9.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2873JNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD2873J - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 40hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 15W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2A
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.64 грн
500+13.89 грн
1000+12.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2873JNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 50V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.6 W
на замовлення 1124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.79 грн
12+27.78 грн
100+20.75 грн
500+15.30 грн
1000+11.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2873JNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD2873J - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+39.14 грн
33+26.24 грн
100+15.64 грн
500+13.89 грн
1000+12.23 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2873JNexperiaBipolar Transistors - BJT SOT428 50V 2A NPN HI PWR BJT
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+49.69 грн
12+30.49 грн
100+16.61 грн
500+13.56 грн
1000+11.89 грн
2500+10.44 грн
5000+8.69 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2873JNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 50V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.6 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2873Q-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 50V 2A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.45 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.62 грн
5000+11.99 грн
7500+11.41 грн
12500+10.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2873Q-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
на замовлення 5804 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+55.82 грн
11+33.21 грн
100+18.97 грн
500+14.48 грн
1000+12.80 грн
2500+11.66 грн
5000+10.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2873Q-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 50V 2A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.45 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.69 грн
10+33.97 грн
100+21.86 грн
500+15.61 грн
1000+14.03 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955onsemiBipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955FAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955onsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955FAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955STMicroelectronicsBipolar Transistors - Pre-Biased
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955ON
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955ON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955-001onsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: I-PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 6300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2219+10.63 грн
Мінімальне замовлення: 2219
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955-001onsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: I-PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955-001ONSEMIDescription: ONSEMI - MJD2955-001 - MJD2955-001, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2700+11.28 грн
Мінімальне замовлення: 2700
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955-1G
на замовлення 4080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955-1GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD2955-1G - MJD2955-1G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 42025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1125+28.12 грн
Мінімальне замовлення: 1125
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955-1GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: I-PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 42025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
888+25.81 грн
Мінімальне замовлення: 888
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955-1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955-1GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: I-PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955-T4ON09+
на замовлення 2477 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
289+42.73 грн
306+40.42 грн
500+33.50 грн
1000+28.62 грн
Мінімальне замовлення: 289
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.25 грн
75+40.89 грн
150+36.49 грн
525+28.37 грн
1050+25.82 грн
2025+23.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 1725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1725+30.84 грн
Мінімальне замовлення: 1725
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 10A; 20W; DPAK
Kind of package: tube
Case: DPAK
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 20W
Current gain: 20...100
Collector current: 10A
Collector-emitter voltage: 60V
Frequency: 2MHz
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+90.25 грн
5+82.08 грн
25+63.04 грн
75+45.62 грн
150+36.47 грн
300+35.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+40.76 грн
22+33.15 грн
100+32.17 грн
500+27.89 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 1725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
303+40.81 грн
375+37.28 грн
750+34.69 грн
1125+31.55 грн
Мінімальне замовлення: 303
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955GonsemiBipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W PNP
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+66.13 грн
10+63.61 грн
75+37.48 грн
525+26.06 грн
1050+23.69 грн
1950+23.54 грн
5850+23.01 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+70.54 грн
16+45.78 грн
100+43.31 грн
500+34.61 грн
1000+28.39 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 10A; 20W; DPAK
Kind of package: tube
Case: DPAK
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 20W
Current gain: 20...100
Collector current: 10A
Collector-emitter voltage: 60V
Frequency: 2MHz
Polarisation: bipolar
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+75.21 грн
7+65.87 грн
25+52.54 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955RLGON Semiconductor10 A, 60 V PNP Bipolar Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955RLGonsemiBipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 10A60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955RLGonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955RLGON Semiconductor10 A, 60 V PNP Bipolar Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4onsemiDescription: TRANS PWR PNP 10A 60V DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 20 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 10A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 20 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4onsemiBipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 20 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur Switch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4GON Semiconductor
на замовлення 109930 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD2955T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 10 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+67.69 грн
50+49.66 грн
100+33.84 грн
500+26.27 грн
1000+20.66 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1389+22.23 грн
Мінімальне замовлення: 1389
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 66631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1389+22.23 грн
Мінімальне замовлення: 1389
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 10A; 20W; DPAK
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 20W
Current gain: 20...100
Collector current: 10A
Collector-emitter voltage: 60V
Frequency: 2MHz
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4GONSSOP8
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1389+22.23 грн
Мінімальне замовлення: 1389
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD2955T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 10 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+35.98 грн
500+25.95 грн
1000+21.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.47 грн
10+46.82 грн
100+30.66 грн
500+22.27 грн
1000+20.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4GonsemiBipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W PNP
на замовлення 4863 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.20 грн
10+52.31 грн
100+31.01 грн
500+25.14 грн
1000+22.02 грн
2500+17.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 104019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1389+22.23 грн
Мінімальне замовлення: 1389
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955TFonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955TFON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955TFONSEMIDescription: ONSEMI - MJD2955TF - MJD2955TF, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+26.58 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955TFonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1025+21.84 грн
Мінімальне замовлення: 1025
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955TFON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
на замовлення 5535 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955TFonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955TFON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955TFFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 60V 10A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 460746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1025+21.84 грн
Мінімальне замовлення: 1025
В кошику  од. на суму  грн.
MJD2955VT4
на замовлення 6210 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD29CFAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD29CFAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD29CTFFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 100V 1A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD29CTF
на замовлення 980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055FAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055onsemiDescription: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055FAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055STMICROELECTRONICSN/A
на замовлення 1721 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055onsemiBipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055GonsemiBipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055GON
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+292.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055RLGonsemiDescription: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 1768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.88 грн
10+45.63 грн
100+31.48 грн
500+23.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055RLGONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 10A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 10A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 20...100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 2MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055RLGonsemiDescription: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055RLGON SemiconductorBIP DPAK NPN 10A 60V TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055RLGonsemiBipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 10A 60V
на замовлення 7319 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.55 грн
10+56.69 грн
100+32.46 грн
500+25.14 грн
1000+21.18 грн
1800+18.44 грн
3600+17.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055RLGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 10A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 10A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 9248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+105.49 грн
10+68.73 грн
100+48.13 грн
500+36.52 грн
1000+33.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch
на замовлення 2258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+109.33 грн
10+67.46 грн
100+39.62 грн
500+31.62 грн
1000+29.56 грн
2500+27.20 грн
5000+26.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 10A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.83 грн
5000+20.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 10A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.86 грн
5000+31.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 10A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4STMicroelectronicsCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 10A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 10A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 5...100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 2MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 10A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.20 грн
5000+21.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4 (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 171011
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4(G) (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 24067
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 10A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 10A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 20...100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 2MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD3055T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.29 грн
500+29.13 грн
1000+23.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 18131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.95 грн
10+56.98 грн
100+37.47 грн
500+27.30 грн
1000+24.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
508+24.32 грн
Мінімальне замовлення: 508
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD3055T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+74.95 грн
50+56.15 грн
100+38.29 грн
500+29.13 грн
1000+23.37 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.38 грн
5000+21.68 грн
7500+20.76 грн
12500+18.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4GonsemiBipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W NPN
на замовлення 2196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+87.91 грн
10+53.88 грн
100+32.46 грн
500+25.22 грн
1000+22.86 грн
2500+19.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4GON Semiconductor
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.22 грн
5000+22.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4G*************
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055TFonsemiDescription: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055TF
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055TFON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055TFON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
на замовлення 9881 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055TFonsemiDescription: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055TFON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055TFON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD30CTF
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31onsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 3A 40V TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31B
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31BT4STMTO-252
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31BT4STM07+ TO-252
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CSTMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CFAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31Consemi / FairchildBipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CYZPSTTransistor NPN; 50; 15W; 100V; 3A; 3MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJD31CG; MJD31CRLG; MJD31CT4G; MJD31CT4-STM; MJD31CJ; MJD31C-13; MJD31C-TP; MJD31C YZPST TMJD31c YZP
кількість в упаковці: 75 шт
на замовлення 105 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
75+11.17 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CFairchild SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CFAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CSTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CJSMicro SemiconductorTransistor NPN; 50; 15W; 100V; 3A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: MJD31CG; MJD31CRLG; MJD31CT4G; MJD31CT4-STM; MJD31CJ; MJD31C-13; MJD31C-TP; MJD31C JSMICRO TMJD31c JSM
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 260 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+10.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C-13Diodes IncTrans GP BJT NPN 100V 3A 1500mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+7.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+7.64 грн
5000+7.41 грн
7500+7.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 9276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.92 грн
11+31.11 грн
100+20.05 грн
500+14.33 грн
1000+12.88 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+8.18 грн
5000+7.94 грн
7500+7.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - MJD31C-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.52 грн
5000+11.03 грн
7500+10.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 100V 5A NPN SMT
на замовлення 4244 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+57.33 грн
11+34.61 грн
100+19.58 грн
500+14.93 грн
1000+13.33 грн
2500+11.35 грн
5000+9.98 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C-13DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK,TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK; TO252
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
Pulsed collector current: 5A
Quantity in set/package: 2500pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - MJD31C-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+61.53 грн
23+37.60 грн
100+24.53 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C-ITU
на замовлення 20150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C-TPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT NPN 100V 3A 1250mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C1onsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C1GonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C1GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31C1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 11325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1151+26.84 грн
10000+23.92 грн
Мінімальне замовлення: 1151
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CAJNEXPERIA100 V, 3 A NPN high power bipolar transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CAJNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD31CAJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+56.83 грн
50+34.96 грн
100+22.48 грн
500+15.87 грн
1000+13.11 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CAJNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CAJNexperiaTrans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 152500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2507+12.32 грн
10000+10.98 грн
100000+9.20 грн
Мінімальне замовлення: 2507
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CAJNEXPERIACategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+10.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CAJNexperiaBipolar Transistors - BJT The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+65.77 грн
10+40.13 грн
100+22.40 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CAJNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD31CAJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.48 грн
500+15.87 грн
1000+13.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CAJNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CEITUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 2857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
902+34.25 грн
1000+31.58 грн
Мінімальне замовлення: 902
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CEITUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 5040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
902+34.25 грн
1000+31.58 грн
Мінімальне замовлення: 902
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CEITUONSEMIDescription: ONSEMI - MJD31CEITU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CEITUonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A TO251
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CEITUON SemiconductorNPN GP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CEITUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 5040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
902+34.25 грн
1000+31.58 грн
Мінімальне замовлення: 902
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CEITUFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 2857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
649+32.50 грн
Мінімальне замовлення: 649
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CETFonsemiDescription: TRANS NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CETFON SemiconductorNPN GP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CETFonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CETF_SN00207onsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
329+37.61 грн
332+37.23 грн
525+32.44 грн
1050+27.93 грн
2550+24.66 грн
Мінімальне замовлення: 329
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CGONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+79.48 грн
10+43.65 грн
25+38.25 грн
75+32.93 грн
150+30.16 грн
525+29.92 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CG
Код товару: 117657
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
на замовлення 1575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
220+56.36 грн
525+41.94 грн
1050+36.75 грн
Мінімальне замовлення: 220
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CGonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W NPN
на замовлення 3681 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+99.55 грн
10+68.95 грн
75+34.66 грн
525+28.19 грн
1050+25.37 грн
2550+25.07 грн
3375+24.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
на замовлення 2889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+71.33 грн
18+40.44 грн
150+40.03 грн
525+33.64 грн
1050+27.81 грн
2550+25.46 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CGONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+95.38 грн
10+54.39 грн
25+45.90 грн
75+39.52 грн
150+36.19 грн
525+35.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CGonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 3463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.54 грн
75+42.40 грн
150+37.87 грн
525+29.47 грн
1050+26.85 грн
2025+24.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 6374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+27.29 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CGONSEMIDescription: ONSEMI - MJD31CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+107.69 грн
14+64.44 грн
100+44.95 грн
500+38.33 грн
1000+32.23 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CH-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CH-13Diodes ZetexNPN Medium Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CH-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 60V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.45 W
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+9.76 грн
5000+9.11 грн
7500+8.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CH-13Diodes ZetexNPN Medium Power Transistor
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CH-QJNexperiaTrans GP BJT NPN 100V 3A 1600mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 45100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
958+32.25 грн
1039+29.74 грн
10000+26.52 грн
Мінімальне замовлення: 958
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CH-QJNEXPERIATrans GP BJT NPN 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CH-QJNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 6V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.88 грн
10+42.22 грн
50+30.89 грн
100+25.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CH-QJNexperiaBipolar Transistors - BJT SOT428 100V 3A NPN HI PWR BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CH-QJNEXPERIACategory: Transistors - Unclassified
Description: MJD31CH-QJ
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2000+15.90 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CH-QJNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 6V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CHE3-TPMicro Commercial ComponentsSilicon NPN Epitaxial Planer Transistors Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CHE3-TPMicro Commercial ComponentsMJD31CHE3-TP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CHE3-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CHE3-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CHE3-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CHQ-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 500µA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.45 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CHQ-13Diodes Zetex100V NPN Medium Power Transistor In To252 Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CHQ-13Diodes Inc100V NPN Medium Power Transistor In To252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CHQ-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
на замовлення 1107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+61.95 грн
10+37.94 грн
100+21.41 грн
500+16.38 грн
1000+14.78 грн
2500+12.88 грн
5000+11.28 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CHQ-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 500µA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.45 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.86 грн
10+34.28 грн
100+22.19 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CITUonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: IPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CITUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 4760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1521+20.30 грн
Мінімальне замовлення: 1521
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CITUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CITUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 19620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1521+20.30 грн
10000+18.10 грн
Мінімальне замовлення: 1521
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CITUFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 100V 3A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 30954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1010+21.20 грн
Мінімальне замовлення: 1010
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CITUONSEMIDescription: ONSEMI - MJD31CITU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CITUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 5050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1521+20.30 грн
Мінімальне замовлення: 1521
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CJNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD31CJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+74.10 грн
50+45.72 грн
100+29.40 грн
500+20.79 грн
1000+15.90 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CJNXPBipolar (BJT) Transistor NPN 100V 3A 3MHz 1.6W Surface Mount DPAK MJD31CJ DPAK(SOT428C) NEXPERIA TMJD31CJ
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
40+15.27 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CJNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
на замовлення 369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.34 грн
10+35.32 грн
50+25.74 грн
100+21.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CJNexperiaBipolar Transistors - BJT The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+51.20 грн
12+31.10 грн
100+17.45 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CJNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CJNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD31CJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.40 грн
500+20.79 грн
1000+15.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CJNEXPERIA100 V, 3 A NPN high power bipolar transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CJNexperiaTrans GP BJT NPN 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+20.58 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CQ-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor
на замовлення 3663 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.24 грн
10+47.40 грн
100+26.89 грн
500+20.80 грн
1000+18.74 грн
2500+16.61 грн
5000+15.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CQ-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - MJD31CQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+84.44 грн
12+77.60 грн
100+50.60 грн
500+36.19 грн
1000+30.18 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK,TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK; TO252
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
Application: automotive industry
Pulsed collector current: 5A
Quantity in set/package: 2500pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CQ-13Diodes IncTrans GP BJT NPN 100V 3A 1500mW Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CQ-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 3A TO-252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.70 грн
10+42.78 грн
100+27.91 грн
500+20.19 грн
1000+18.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CQ-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CQ-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 3A TO-252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - MJD31CQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+50.60 грн
500+36.19 грн
1000+30.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CRLonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CRLONSOT252/2.5
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CRLGONSEMIDescription: ONSEMI - MJD31CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.66 грн
500+35.32 грн
1000+27.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CRLGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
119+104.55 грн
187+66.35 грн
200+65.20 грн
500+42.39 грн
Мінімальне замовлення: 119
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CRLGonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 5046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.54 грн
10+60.95 грн
100+40.42 грн
500+29.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CRLGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CRLGONSEMIDescription: ONSEMI - MJD31CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+116.23 грн
50+68.54 грн
100+46.66 грн
500+35.32 грн
1000+27.54 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CRLGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
751+41.12 грн
1000+37.92 грн
Мінімальне замовлення: 751
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CRLGonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W NPN
на замовлення 5849 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+108.44 грн
10+61.59 грн
100+36.72 грн
500+30.47 грн
1000+25.75 грн
1800+24.53 грн
3600+22.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CRLGonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+27.77 грн
3600+24.68 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CRLGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CRLGONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CRLGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
751+41.12 грн
1000+37.92 грн
Мінімальне замовлення: 751
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CRLGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CS-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT TRANSISTOR NPN DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CS-TPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT NPN 100V 3A 1250mW 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CS-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.27 грн
11+29.76 грн
100+19.17 грн
500+13.68 грн
1000+12.28 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CS-TPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT NPN 100V 3A 1250mW 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CS-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CS-TPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT NPN 100V 3A 1250mW 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4ON-SemicoductorDarl. NPN 3A 100V 15W MJD31CT4 STM TMJD31c STM
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4STMicroelectronicsCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 949 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+99.48 грн
5+74.96 грн
10+62.19 грн
100+37.52 грн
500+28.76 грн
1000+26.38 грн
2500+24.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4STMicroelectronicsCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+82.90 грн
7+60.16 грн
10+51.82 грн
100+31.27 грн
500+23.97 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.60 грн
10+57.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJD31CT4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+110.25 грн
13+68.29 грн
100+44.95 грн
500+32.70 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 85000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.63 грн
5000+11.52 грн
7500+11.07 грн
12500+10.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch
на замовлення 4307 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+103.11 грн
10+63.96 грн
100+36.80 грн
500+28.80 грн
1000+26.13 грн
2500+22.47 грн
5000+20.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 85000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.82 грн
5000+10.72 грн
7500+10.29 грн
12500+9.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+37.22 грн
20+36.61 грн
25+35.99 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4-ASTMicroelectronicsCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4-ASTMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.66 грн
5000+12.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 52500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+11.26 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4-ASTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJD31CT4-A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+65.38 грн
22+40.42 грн
100+26.15 грн
500+18.57 грн
1000+15.38 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4-ASTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT LO VLT NPN PWR TRANS
на замовлення 3785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+58.84 грн
10+36.54 грн
100+20.95 грн
500+16.08 грн
1000+14.40 грн
2500+12.27 грн
5000+10.97 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 52500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+12.50 грн
7500+12.37 грн
10000+12.07 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4-ASTMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 5295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.86 грн
10+33.65 грн
100+21.75 грн
500+15.59 грн
1000+14.03 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 100V 3A 15000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 136564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+62.63 грн
10+37.54 грн
100+24.36 грн
500+17.53 грн
1000+15.81 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+31.34 грн
28+25.37 грн
100+20.58 грн
250+18.87 грн
500+16.23 грн
1000+14.91 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD31CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 147500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.95 грн
5000+15.69 грн
7500+15.59 грн
10000+14.85 грн
25000+13.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 136564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.44 грн
5000+13.64 грн
7500+13.01 грн
12500+11.55 грн
17500+11.16 грн
25000+10.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD31CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.95 грн
500+20.95 грн
1000+16.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 82500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.07 грн
5000+14.77 грн
7500+14.28 грн
12500+13.64 грн
17500+11.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 82500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.22 грн
5000+15.82 грн
7500+15.30 грн
12500+14.61 грн
17500+12.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4GON-SemicoductorTransistor NPN; 50; 1,56W; 100V; 3A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Replacement: MJD31CRLG(T&R); MJD31CT4G(T&R); MJD31CG(Tube); MJD31CTF; MJD31T4G; MJD31CT4G; MJD31CG; MJD31CT4G TMJD31c ONS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+15.52 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD31CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+69.31 грн
50+39.40 грн
100+27.95 грн
500+20.95 грн
1000+16.63 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
522+23.68 грн
620+19.92 грн
627+19.72 грн
699+17.04 грн
1000+14.49 грн
Мінімальне замовлення: 522
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4GonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W NPN
на замовлення 15363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+61.15 грн
11+34.96 грн
100+21.56 грн
500+17.75 грн
1000+15.24 грн
2500+12.88 грн
5000+11.81 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4GMJD32CG
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4GNonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4GNonsemiBipolar Transistors - BJT 3.0 A, 100 V NPN Bipolar Power Transistor
на замовлення 1912 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+82.57 грн
10+50.29 грн
100+28.65 грн
500+22.17 грн
1000+20.72 грн
2500+17.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4GNonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CT4GOSonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS PWR NPN 3A 100V DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CTFON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CTFON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CTFonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CTF
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CTF-FSFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 100V 3A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CTF_NBDD001onsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CTF_SBDD001AonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CUQ-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 100V 3A 2600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CUQ-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CUQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 16W; DPAK,TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 16W
Case: DPAK; TO252
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
Application: automotive industry
Pulsed collector current: 5A
Quantity in set/package: 2500pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CUQ-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor TO252 T&R 2.5K
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+81.06 грн
10+49.94 грн
100+28.42 грн
500+22.02 грн
1000+19.88 грн
2500+17.60 грн
5000+16.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CUQ-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.00 грн
10+45.24 грн
100+29.62 грн
500+21.47 грн
1000+19.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CUQ-13Diodes IncTrans GP BJT NPN 100V 3A 3900mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31Gonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31T4onsemiDescription: TRANS POWER NPN 3A 40V DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1402+15.82 грн
Мінімальне замовлення: 1402
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31T4
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31T4ONSEMIDescription: ONSEMI - MJD31T4 - MJD31T4, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+18.63 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31T4/J31ON
на замовлення 33050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+51.03 грн
25+50.53 грн
100+48.24 грн
250+44.22 грн
500+42.02 грн
1000+41.59 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
260+47.63 грн
262+47.16 грн
265+46.69 грн
268+44.57 грн
500+40.85 грн
1000+38.82 грн
Мінімальне замовлення: 260
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31T4GonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 40V 15W NPN
на замовлення 2911 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.64 грн
10+51.78 грн
100+34.59 грн
500+28.95 грн
1000+26.82 грн
2500+26.36 грн
5000+26.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31T4GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 3274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.13 грн
10+60.47 грн
100+42.14 грн
500+31.82 грн
1000+29.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31T4GON Semiconductor
на замовлення 3784 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+48.04 грн
17+43.05 грн
100+35.76 грн
500+30.45 грн
1000+26.47 грн
2500+23.88 грн
5000+23.06 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
308+40.18 грн
371+33.37 грн
500+29.47 грн
1000+26.68 грн
2500+23.22 грн
5000+21.52 грн
Мінімальне замовлення: 308
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31T4GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32onsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 3A 40V TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32BSTTO-252
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32BT4STM07+ TO-252
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32BT4STMTO-252
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32C
Код товару: 191777
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CSTMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CFAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CSTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT PNP TRANS 100V 3A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CFAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32ConsemiBipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CMOTSOT252/2.5
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32C-13Diodes IncTrans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32C-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 100V 3A TO-252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.75 грн
10+40.24 грн
100+26.11 грн
500+18.79 грн
1000+16.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32C-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32C-13Diodes IncTrans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32C-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 100V 3A TO-252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32C-13DIODES INCORPORATEDCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; DPAK,TO252
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Case: DPAK; TO252
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
Quantity in set/package: 2500pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32C-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32C-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 100V 3A PNP SMT
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+67.28 грн
10+41.44 грн
100+23.39 грн
500+17.98 грн
1000+16.15 грн
2500+12.65 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32C-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT TRANS PNP 100V 3A DPAK
на замовлення 1596 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+89.77 грн
10+56.42 грн
100+32.30 грн
500+25.07 грн
1000+22.70 грн
2500+19.43 грн
5000+17.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32C-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32C-TPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT PNP 100V 3A 1250mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32C-TPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT PNP 100V 3A 1250mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32C-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32C/J32CMOTO
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32C1onsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A TO-252-3
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 7900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
956+21.90 грн
Мінімальне замовлення: 956
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32C1ON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 7900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1441+21.44 грн
Мінімальне замовлення: 1441
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32C1ONSEMIDescription: ONSEMI - MJD32C1 - TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+18.63 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32C1
на замовлення 17070 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CANexperiaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CANEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD32CA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+60.59 грн
50+37.60 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CANEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD32CA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CAJNexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.88 грн
10+42.38 грн
50+31.08 грн
100+25.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CAJNEXPERIA100 V, 3 A PNP high power bipolar transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CAJ
Код товару: 191470
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CAJNexperiaBipolar Transistors - BJT The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 4971 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+52.71 грн
11+32.24 грн
100+18.06 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CAJNexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CAJNexperiaTrans GP BJT PNP 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 64775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1286+24.00 грн
10000+21.40 грн
Мінімальне замовлення: 1286
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CGONSEMIDescription: ONSEMI - MJD32CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+83.50 грн
24+36.07 грн
100+31.96 грн
500+27.14 грн
1000+22.64 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
416+29.73 грн
427+28.96 грн
525+25.22 грн
1050+22.37 грн
Мінімальне замовлення: 416
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 3253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+20.80 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CG
Код товару: 117659
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CGonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W PNP
на замовлення 6546 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+68.80 грн
10+38.55 грн
75+23.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
на замовлення 2020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+31.86 грн
150+31.03 грн
525+27.02 грн
1050+23.97 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CGONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+60.68 грн
15+27.62 грн
25+25.24 грн
75+22.78 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
на замовлення 1752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
353+35.04 грн
445+27.79 грн
458+27.01 грн
525+23.50 грн
1050+20.15 грн
Мінімальне замовлення: 353
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CGONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 477 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+72.82 грн
10+34.42 грн
25+30.28 грн
75+27.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CGonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 13186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.88 грн
75+29.34 грн
150+26.12 грн
525+20.20 грн
1050+18.33 грн
2025+16.83 грн
5025+15.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
на замовлення 1773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+37.68 грн
75+29.88 грн
150+29.04 грн
525+25.27 грн
1050+21.66 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CHE3-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PNP 100V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CHE3-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CJNexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.12 грн
5000+11.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CJNXPBipolar (BJT) Transistor PNP 100V 3A 3MHz 1.6W Surface Mount DPAK MJD32CJ DPAK(SOT428C) NEXPERIA TMJD32CJ
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
40+14.37 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CJNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD32CJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+69.65 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CJNexperiaBipolar Transistors - BJT The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 1599 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+48.17 грн
12+29.44 грн
100+16.46 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CJNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD32CJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CJNexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
на замовлення 6683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.04 грн
10+33.25 грн
50+24.24 грн
100+19.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CJNexperiaTrans GP BJT PNP 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1347+21.76 грн
Мінімальне замовлення: 1347
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CJNEXPERIA100 V, 3 A PNP high power bipolar transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CQ-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CQ-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor
на замовлення 1968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.24 грн
10+47.40 грн
100+26.89 грн
500+20.80 грн
1000+18.74 грн
2500+15.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK,TO252
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK; TO252
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Quantity in set/package: 2500pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CQ-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.67 грн
5000+18.53 грн
7500+17.97 грн
12500+16.50 грн
17500+14.82 грн
25000+14.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CQ-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 100V 3A TO-252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CQ-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CQ-13Diodes IncTrans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CQ-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CQ-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.07 грн
5000+19.92 грн
7500+19.32 грн
12500+17.75 грн
17500+15.94 грн
25000+15.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CQ-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 100V 3A TO-252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.70 грн
10+42.78 грн
100+27.91 грн
500+20.19 грн
1000+18.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CQ-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
479+21.67 грн
500+19.17 грн
Мінімальне замовлення: 479
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CQ-13Diodes IncTrans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+11.73 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CR
на замовлення 180 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CRLMOTOROLA
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CRLonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CRLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
389+31.78 грн
395+31.29 грн
401+30.80 грн
408+29.23 грн
500+26.63 грн
1000+25.14 грн
3000+24.72 грн
Мінімальне замовлення: 389
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CRLGonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 55800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+27.72 грн
3600+24.64 грн
5400+23.59 грн
9000+21.04 грн
12600+20.83 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CRLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
427+28.98 грн
433+28.57 грн
439+28.15 грн
500+26.67 грн
Мінімальне замовлення: 427
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CRLGONSEMIDescription: ONSEMI - MJD32CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD32
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.19 грн
500+33.81 грн
1000+29.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CRLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CRLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CRLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+27.03 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CRLGonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 57461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.54 грн
10+60.79 грн
100+40.36 грн
500+29.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CRLGonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W PNP
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+108.44 грн
10+57.39 грн
100+35.35 грн
500+29.10 грн
1000+27.88 грн
1800+24.46 грн
3600+22.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CRLGONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CRLGONSEMIDescription: ONSEMI - MJD32CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD32
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+116.23 грн
14+62.48 грн
100+44.19 грн
500+33.81 грн
1000+29.89 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CRLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+34.05 грн
25+33.52 грн
100+31.83 грн
250+29.00 грн
500+27.39 грн
1000+26.94 грн
3000+26.49 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CRLG
на замовлення 340 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJD32CT4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+81.96 грн
17+51.36 грн
100+33.42 грн
500+23.97 грн
1000+20.00 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 130010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+9.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 237500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+9.60 грн
5000+9.34 грн
7500+9.25 грн
10000+8.83 грн
12500+7.82 грн
17500+7.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur Switch
на замовлення 5952 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.44 грн
10+47.14 грн
100+26.74 грн
500+20.65 грн
1000+18.67 грн
2500+13.71 грн
10000+13.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4STMicroelectronicsCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+60.68 грн
11+38.49 грн
100+23.57 грн
250+19.68 грн
500+17.38 грн
1000+15.48 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4STMicroelectronicsCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2275 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+72.82 грн
10+47.96 грн
100+28.28 грн
250+23.62 грн
500+20.86 грн
1000+18.57 грн
2500+16.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+16.27 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CT4STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+17.44 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.