Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MJD243T4G
MJD243T4G

MJD243T4G ON Semiconductor

mjd243-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 172500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+19.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD243T4G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJD243T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 12.5W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 4A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 40MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MJD243T4G за ціною від 14.83 грн до 85.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJD243T4G MJD243T4G Виробник : ON Semiconductor mjd243-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+19.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4G MJD243T4G Виробник : onsemi mjd243-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 177500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+19.97 грн
5000+17.73 грн
7500+16.97 грн
12500+15.12 грн
17500+14.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4G MJD243T4G Виробник : ON Semiconductor mjd243-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+20.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4G MJD243T4G Виробник : ON Semiconductor mjd243-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+21.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4G MJD243T4G Виробник : ON Semiconductor mjd243-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
510+24.02 грн
558+21.95 грн
563+21.73 грн
600+19.67 грн
1000+17.97 грн
3000+17.02 грн
Мінімальне замовлення: 510
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4G MJD243T4G Виробник : ON Semiconductor mjd243-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+27.54 грн
28+25.74 грн
100+22.68 грн
250+20.79 грн
500+18.73 грн
1000+18.49 грн
3000+18.24 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4G MJD243T4G Виробник : ON Semiconductor mjd243-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+31.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4G MJD243T4G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013776962-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJD243T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+34.20 грн
500+25.94 грн
1000+21.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4G MJD243T4G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013776962-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJD243T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+69.92 грн
50+49.77 грн
100+34.20 грн
500+25.94 грн
1000+21.19 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4G MJD243T4G Виробник : onsemi mjd243-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 177575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.36 грн
10+47.01 грн
100+30.85 грн
500+22.43 грн
1000+20.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4G MJD243T4G Виробник : onsemi MJD243_D-1761368.pdf Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W NPN
на замовлення 5632 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+85.57 грн
10+49.29 грн
100+28.75 грн
500+22.56 грн
1000+20.60 грн
2500+18.34 грн
5000+17.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4G mjd243-d.pdf
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4G*************
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4G MJD243T4G Виробник : ON Semiconductor mjd243-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4G Виробник : ONSEMI mjd243-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 4A; 12.5W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 4A
Power dissipation: 12.5W
Case: DPAK
Current gain: 40...180
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 40MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.