Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MJD243T4G

MJD243T4G ON Semiconductor

Name: MJD243T4G
Brand: ON Semiconductor
SKU: 531618-7
Price: 51450.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	20.58 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис MJD243T4G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJD243T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 12.5W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 4A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 40MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MJD243T4G за ціною від 15.54 грн до 89.70 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

MJD243T4G

Виробник : onsemi

Description: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W

на замовлення 177500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	20.94 грн
5000+	18.59 грн
7500+	17.79 грн
12500+	15.85 грн
17500+	15.54 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

MJD243T4G

Виробник : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1817 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
564+	22.47 грн
597+	21.25 грн
603+	21.03 грн
610+	20.06 грн
1000+	18.37 грн

Мінімальне замовлення: 564

В кошику од. на суму грн.

MJD243T4G

Виробник : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	23.96 грн
5000+	20.82 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

MJD243T4G

Виробник : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	25.91 грн
5000+	22.53 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

MJD243T4G

Виробник : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1817 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
28+	26.25 грн
30+	24.31 грн
31+	24.08 грн
100+	21.95 грн
250+	20.12 грн
500+	19.11 грн
1000+	18.90 грн

Мінімальне замовлення: 28

В кошику од. на суму грн.

MJD243T4G

Виробник : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	27.15 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

MJD243T4G

Виробник : ONSEMI

ONSM-S-A0013776962-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: ONSEMI - MJD243T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 2133 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	35.85 грн
500+	27.19 грн
1000+	22.21 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

MJD243T4G

Виробник : ONSEMI

на замовлення 2133 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
13+	73.30 грн
50+	52.18 грн
100+	35.85 грн
500+	27.19 грн
1000+	22.21 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

MJD243T4G

Виробник : onsemi

Description: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W

на замовлення 177575 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	82.14 грн
10+	49.27 грн
100+	32.34 грн
500+	23.51 грн
1000+	21.31 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

MJD243T4G

Виробник : onsemi

Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W NPN

на замовлення 3001 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	89.70 грн
10+	47.12 грн
100+	28.40 грн
500+	22.70 грн
1000+	20.88 грн
2500+	19.06 грн
5000+	18.51 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

MJD243T4G

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

MJD243T4G*************

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

MJD243T4G

Виробник : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.