Продукція > ONSEMI > MJD243T4G
MJD243T4G

MJD243T4G onsemi

mjd243-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+20.89 грн
5000+18.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD243T4G onsemi

Description: ONSEMI - MJD243T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 12.5W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 4A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 40MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції MJD243T4G за ціною від 18.33 грн до 110.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MJD243T4G MJD243T4G ON Semiconductor mjd243-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4G MJD243T4G ON Semiconductor mjd243-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4G MJD243T4G ON Semiconductor mjd243-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
252+57.64 грн
500+33.02 грн
2500+32.05 грн
5000+28.50 грн
Мінімальне замовлення: 252 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4G MJD243T4G ON Semiconductor mjd243-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
208+69.92 грн
210+69.17 грн
318+45.59 грн
322+43.52 грн
500+32.28 грн
1000+23.85 грн
3000+21.46 грн
Мінімальне замовлення: 208 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4G MJD243T4G onsemi mjd243-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 10531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.51 грн
10+49.19 грн
100+32.26 грн
500+23.45 грн
1000+21.26 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4G MJD243T4G onsemi mjd243-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W NPN
на замовлення 4907 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
4+88.44 грн
10+54.51 грн
100+31.13 грн
500+23.40 грн
1000+21.05 грн
2500+18.33 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4G MJD243T4G ON Semiconductor mjd243-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+110.98 грн
12+69.92 грн
25+69.17 грн
100+43.96 грн
250+40.30 грн
500+30.99 грн
1000+23.85 грн
3000+21.46 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4G MJD243T4G ONSEMI ONSM-S-A0013776962-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJD243T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 12.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4G MJD243T4G ONSEMI ONSM-S-A0013776962-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJD243T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 12.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4G*************
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4G mjd243-d.pdf
MJD243T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+23.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4G mjd243-d.pdf
MJD243T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+23.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4G mjd243-d.pdf
MJD243T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
252+57.64 грн
500+33.02 грн
2500+32.05 грн
5000+28.50 грн
Мінімальне замовлення: 252 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4G mjd243-d.pdf
MJD243T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
208+69.92 грн
210+69.17 грн
318+45.59 грн
322+43.52 грн
500+32.28 грн
1000+23.85 грн
3000+21.46 грн
Мінімальне замовлення: 208 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4G mjd243-d.pdf
MJD243T4G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 10531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+81.51 грн
10+49.19 грн
100+32.26 грн
500+23.45 грн
1000+21.26 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4G mjd243-d.pdf
MJD243T4G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W NPN
на замовлення 4907 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+88.44 грн
10+54.51 грн
100+31.13 грн
500+23.40 грн
1000+21.05 грн
2500+18.33 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4G mjd243-d.pdf
MJD243T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+110.98 грн
12+69.92 грн
25+69.17 грн
100+43.96 грн
250+40.30 грн
500+30.99 грн
1000+23.85 грн
3000+21.46 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4G ONSM-S-A0013776962-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJD243T4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD243T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 12.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4G ONSM-S-A0013776962-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJD243T4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD243T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 12.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4G*************
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.