MJD243T4G onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Power - Max: 1.4 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 40MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 19.77 грн |
| 5000+ | 17.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD243T4G onsemi
Description: ONSEMI - MJD243T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 12.5W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 4A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 40MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції MJD243T4G за ціною від 20.90 грн до 108.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MJD243T4G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MJD243T4G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MJD243T4G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MJD243T4G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 4740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MJD243T4G | onsemi |
Description: TRANS NPN 100V 4A DPAKPower - Max: 1.4 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Part Status: Active Supplier Device Package: DPAK Frequency - Transition: 40MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 11139 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MJD243T4G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 4740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MJD243T4G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W NPN |
на замовлення 5973 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
MJD243T4G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD243T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 12.5W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 40MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2596 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
MJD243T4G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD243T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 12.5W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 40MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2596 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MJD243T4G |
|
на замовлення 25000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MJD243T4G************* |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| MJD243T4G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 24.38 грн |
| MJD243T4G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 24.64 грн |
| MJD243T4G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 299+ | 47.24 грн |
| 500+ | 32.16 грн |
| 2500+ | 31.22 грн |
| 5000+ | 27.76 грн |
| MJD243T4G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 208+ | 68.10 грн |
| 210+ | 67.41 грн |
| 318+ | 44.40 грн |
| 322+ | 42.38 грн |
| 500+ | 31.44 грн |
| 1000+ | 23.23 грн |
| 3000+ | 20.90 грн |
| MJD243T4G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Power - Max: 1.4 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 40MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Power - Max: 1.4 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 40MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 82.12 грн |
| 10+ | 49.33 грн |
| 100+ | 32.38 грн |
| 500+ | 23.53 грн |
| 1000+ | 21.33 грн |
| MJD243T4G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 108.09 грн |
| 12+ | 68.10 грн |
| 25+ | 67.41 грн |
| 100+ | 42.81 грн |
| 250+ | 39.24 грн |
| 500+ | 30.18 грн |
| 1000+ | 23.23 грн |
| 3000+ | 20.90 грн |
| MJD243T4G |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W NPN
Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W NPN
на замовлення 5973 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| MJD243T4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD243T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 12.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - MJD243T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 12.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MJD243T4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD243T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 12.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - MJD243T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 12.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MJD243T4G************* |
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)





