Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MJD243T4G

MJD243T4G ON Semiconductor

Name: MJD243T4G
Brand: ON Semiconductor
SKU: 531618-7
Price: 47725 UAH
Availability: InStock

Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	19.09 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис MJD243T4G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJD243T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 4A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 12.5W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 40MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MJD243T4G за ціною від 15.73 грн до 85.74 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

MJD243T4G

Виробник : onsemi

Description: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W

на замовлення 132500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	21.97 грн
5000+	19.51 грн
7500+	18.67 грн
12500+	16.63 грн
17500+	16.31 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

MJD243T4G

Виробник : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 132500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	22.02 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

MJD243T4G

Виробник : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	27.59 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

MJD243T4G

Виробник : ONSEMI

ONSM-S-A0013776962-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: ONSEMI - MJD243T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 2932 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	35.32 грн
500+	25.92 грн
1000+	21.10 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

MJD243T4G

Виробник : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 4802 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
326+	37.43 грн
413+	29.54 грн
417+	29.24 грн
500+	23.54 грн
1000+	19.72 грн
3000+	16.94 грн

Мінімальне замовлення: 326

В кошику од. на суму грн.

MJD243T4G

Виробник : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 4802 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
14+	44.15 грн
18+	35.14 грн
25+	34.76 грн
100+	26.45 грн
250+	24.24 грн
500+	19.43 грн
1000+	17.58 грн
3000+	15.73 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

MJD243T4G

Виробник : onsemi

Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W NPN

на замовлення 3718 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
6+	57.37 грн
10+	48.95 грн
100+	26.35 грн
500+	24.66 грн
1000+	20.48 грн
2500+	18.64 грн
5000+	18.57 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

MJD243T4G

Виробник : ONSEMI

на замовлення 2932 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
10+	82.33 грн
50+	53.35 грн
100+	35.32 грн
500+	25.92 грн
1000+	21.10 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

MJD243T4G

Виробник : onsemi

Description: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W

на замовлення 134174 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	85.74 грн
10+	51.76 грн
100+	33.94 грн
500+	24.67 грн
1000+	22.36 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

MJD243T4G

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

MJD243T4G*************

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

MJD243T4G

Виробник : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.