Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MJD243T4G
MJD243T4G

MJD243T4G ON Semiconductor

mjd243-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 172500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+19.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD243T4G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJD243T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 12.5W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 4A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 40MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MJD243T4G за ціною від 15.03 грн до 86.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJD243T4G MJD243T4G Виробник : ON Semiconductor mjd243-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+19.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4G MJD243T4G Виробник : ON Semiconductor mjd243-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+21.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4G MJD243T4G Виробник : ON Semiconductor mjd243-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+27.27 грн
28+25.49 грн
100+22.46 грн
250+20.59 грн
500+18.55 грн
1000+18.31 грн
3000+18.07 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4G MJD243T4G Виробник : ON Semiconductor mjd243-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+31.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4G MJD243T4G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013776962-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJD243T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+34.68 грн
500+26.30 грн
1000+21.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4G MJD243T4G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013776962-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJD243T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+70.90 грн
50+50.47 грн
100+34.68 грн
500+26.30 грн
1000+21.48 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4G
Код товару: 172041
Додати до обраних Обраний товар

mjd243-d.pdf Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4G MJD243T4G Виробник : onsemi mjd243-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 177500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+20.25 грн
5000+17.98 грн
7500+17.21 грн
12500+15.33 грн
17500+15.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4G MJD243T4G Виробник : ON Semiconductor mjd243-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+20.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4G MJD243T4G Виробник : ON Semiconductor mjd243-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
510+23.79 грн
558+21.74 грн
563+21.52 грн
600+19.48 грн
1000+17.80 грн
3000+16.86 грн
Мінімальне замовлення: 510
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4G MJD243T4G Виробник : onsemi mjd243-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 177575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+79.46 грн
10+47.66 грн
100+31.28 грн
500+22.74 грн
1000+20.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4G MJD243T4G Виробник : onsemi MJD243_D-1761368.pdf Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W NPN
на замовлення 5632 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+86.77 грн
10+49.98 грн
100+29.15 грн
500+22.88 грн
1000+20.89 грн
2500+18.59 грн
5000+17.90 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4G mjd243-d.pdf
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4G*************
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4G MJD243T4G Виробник : ON Semiconductor mjd243-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4G Виробник : ONSEMI mjd243-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 4A; 12.5W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 4A
Power dissipation: 12.5W
Case: DPAK
Current gain: 40...180
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 40MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.