Продукція > Транзистори > Біполярні NPN > MJD243T4G

MJD243T4G

mjd243-d.pdf
Код товару: 172041
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні NPN

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції MJD243T4G за ціною від 18.33 грн до 110.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MJD243T4G MJD243T4G onsemi mjd243-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.89 грн
5000+18.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4G MJD243T4G ON Semiconductor mjd243-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4G MJD243T4G ON Semiconductor mjd243-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4G MJD243T4G ON Semiconductor mjd243-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
252+57.64 грн
500+33.02 грн
2500+32.05 грн
5000+28.50 грн
Мінімальне замовлення: 252 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4G MJD243T4G ON Semiconductor mjd243-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
208+69.92 грн
210+69.17 грн
318+45.59 грн
322+43.52 грн
500+32.28 грн
1000+23.85 грн
3000+21.46 грн
Мінімальне замовлення: 208 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4G MJD243T4G onsemi mjd243-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 10531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.51 грн
10+49.19 грн
100+32.26 грн
500+23.45 грн
1000+21.26 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4G MJD243T4G onsemi mjd243-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W NPN
на замовлення 4907 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
4+88.44 грн
10+54.51 грн
100+31.13 грн
500+23.40 грн
1000+21.05 грн
2500+18.33 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4G MJD243T4G ON Semiconductor mjd243-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+110.98 грн
12+69.92 грн
25+69.17 грн
100+43.96 грн
250+40.30 грн
500+30.99 грн
1000+23.85 грн
3000+21.46 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4G MJD243T4G ONSEMI ONSM-S-A0013776962-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJD243T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 12.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4G MJD243T4G ONSEMI ONSM-S-A0013776962-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJD243T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 12.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4G*************
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4G mjd243-d.pdf
MJD243T4G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+20.89 грн
5000+18.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4G mjd243-d.pdf
MJD243T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+23.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4G mjd243-d.pdf
MJD243T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+23.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4G mjd243-d.pdf
MJD243T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
252+57.64 грн
500+33.02 грн
2500+32.05 грн
5000+28.50 грн
Мінімальне замовлення: 252 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4G mjd243-d.pdf
MJD243T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
208+69.92 грн
210+69.17 грн
318+45.59 грн
322+43.52 грн
500+32.28 грн
1000+23.85 грн
3000+21.46 грн
Мінімальне замовлення: 208 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4G mjd243-d.pdf
MJD243T4G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 10531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+81.51 грн
10+49.19 грн
100+32.26 грн
500+23.45 грн
1000+21.26 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4G mjd243-d.pdf
MJD243T4G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W NPN
на замовлення 4907 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+88.44 грн
10+54.51 грн
100+31.13 грн
500+23.40 грн
1000+21.05 грн
2500+18.33 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4G mjd243-d.pdf
MJD243T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+110.98 грн
12+69.92 грн
25+69.17 грн
100+43.96 грн
250+40.30 грн
500+30.99 грн
1000+23.85 грн
3000+21.46 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4G ONSM-S-A0013776962-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJD243T4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD243T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 12.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4G ONSM-S-A0013776962-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJD243T4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD243T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 12.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD243T4G*************
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.