Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MJD243T4G
MJD243T4G

MJD243T4G ON Semiconductor

mjd243-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+17.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD243T4G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJD243T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 4A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 12.5W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 40MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції MJD243T4G за ціною від 15.77 грн до 57.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MJD243T4G MJD243T4G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013776962-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJD243T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+29.96 грн
500+ 23.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
MJD243T4G MJD243T4G Виробник : ON Semiconductor mjd243-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
247+47.21 грн
324+ 35.94 грн
328+ 35.59 грн
500+ 27.39 грн
1000+ 17.81 грн
3000+ 16.98 грн
Мінімальне замовлення: 247
MJD243T4G MJD243T4G Виробник : onsemi mjd243-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 2906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+48.86 грн
10+ 40.89 грн
100+ 28.28 грн
500+ 22.17 грн
1000+ 18.87 грн
Мінімальне замовлення: 6
MJD243T4G MJD243T4G Виробник : ON Semiconductor mjd243-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+50.64 грн
13+ 44.7 грн
25+ 43.84 грн
100+ 32.18 грн
250+ 29.5 грн
500+ 22.6 грн
1000+ 15.88 грн
3000+ 15.77 грн
Мінімальне замовлення: 12
MJD243T4G MJD243T4G Виробник : onsemi MJD243_D-2315743.pdf Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W NPN
на замовлення 13839 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+51.92 грн
10+ 44.31 грн
100+ 26.7 грн
500+ 22.32 грн
1000+ 18.4 грн
2500+ 16.81 грн
Мінімальне замовлення: 6
MJD243T4G MJD243T4G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013776962-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJD243T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+57.08 грн
16+ 47.47 грн
100+ 29.96 грн
500+ 23.25 грн
Мінімальне замовлення: 14
MJD243T4G mjd243-d.pdf
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD243T4G*************
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD243T4G
Код товару: 172041 		mjd243-d.pdf Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
MJD243T4G MJD243T4G Виробник : ON Semiconductor mjd243-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
MJD243T4G MJD243T4G Виробник : onsemi mjd243-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
товар відсутній