MJD253T4G onsemi
Виробник: onsemiDescription: TRANS PNP 100V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 14.34 грн |
| 5000+ | 12.66 грн |
| 7500+ | 12.07 грн |
| 12500+ | 10.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD253T4G onsemi
Description: ONSEMI - MJD253T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 12.5W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 4A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 40MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MJD253T4G за ціною від 11.85 грн до 58.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MJD253T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2063 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD253T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD253T4G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD253T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 12.5W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 40MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD253T4G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W PNP |
на замовлення 13556 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD253T4G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD253T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 12.5W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 40MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD253T4G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 100V 4A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: DPAK Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.4 W |
на замовлення 12912 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| MJD253T4G************* |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
|
|
MJD253T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
MJD253T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
MJD253T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| MJD253T4G | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| MJD253T4G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 4A; 12.5W; DPAK Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 4A Power dissipation: 12.5W Case: DPAK Current gain: 40...180 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 40MHz |
товару немає в наявності |