Продукція > ONSEMI > MJD253T4G
MJD253T4G

MJD253T4G onsemi

mjd243-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 4A DPAK
Power - Max: 1.4 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 40MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+13.79 грн
5000+12.18 грн
7500+11.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD253T4G onsemi

Description: TRANS PNP 100V 4A DPAK, Power - Max: 1.4 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Supplier Device Package: DPAK, Frequency - Transition: 40MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції MJD253T4G за ціною від 10.81 грн до 56.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
MJD253T4G MJD253T4G onsemi MJD243-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W PNP
на замовлення 13303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+54.56 грн
10+32.79 грн
100+20.25 грн
500+15.50 грн
1000+13.98 грн
2500+12.26 грн
5000+10.81 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253T4G MJD253T4G onsemi mjd243-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 4A DPAK
Power - Max: 1.4 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Frequency - Transition: 40MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Supplier Device Package: DPAK
на замовлення 10911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.57 грн
10+33.73 грн
100+21.85 грн
500+15.69 грн
1000+14.15 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253T4G*************
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253T4G MJD243-D.PDF
MJD253T4G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W PNP
на замовлення 13303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
6+54.56 грн
10+32.79 грн
100+20.25 грн
500+15.50 грн
1000+13.98 грн
2500+12.26 грн
5000+10.81 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253T4G mjd243-d.pdf
MJD253T4G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 4A DPAK
Power - Max: 1.4 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Frequency - Transition: 40MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Supplier Device Package: DPAK
на замовлення 10911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+56.57 грн
10+33.73 грн
100+21.85 грн
500+15.69 грн
1000+14.15 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253T4G*************
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.