Продукція > ONSEMI > MJD253T4G
MJD253T4G

MJD253T4G onsemi

mjd243-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+14.64 грн
5000+12.92 грн
7500+12.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD253T4G onsemi

Description: ONSEMI - MJD253T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 12.5W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 4A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 40MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MJD253T4G за ціною від 11.93 грн до 60.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJD253T4G MJD253T4G Виробник : ON Semiconductor mjd243-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
552+22.34 грн
600+20.53 грн
1000+14.45 грн
Мінімальне замовлення: 552
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253T4G MJD253T4G Виробник : ON Semiconductor mjd243-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+22.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253T4G MJD253T4G Виробник : ONSEMI 2353897.pdf Description: ONSEMI - MJD253T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+26.86 грн
500+19.63 грн
1000+16.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253T4G MJD253T4G Виробник : onsemi MJD243_D-1761368.pdf Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W PNP
на замовлення 13556 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+57.19 грн
11+34.18 грн
100+22.35 грн
500+17.10 грн
1000+15.43 грн
2500+13.53 грн
5000+11.93 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253T4G MJD253T4G Виробник : ONSEMI 2353897.pdf Description: ONSEMI - MJD253T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+57.98 грн
50+36.24 грн
100+26.86 грн
500+19.63 грн
1000+16.15 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253T4G MJD253T4G Виробник : onsemi mjd243-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 10911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.02 грн
10+35.79 грн
100+23.18 грн
500+16.65 грн
1000+15.01 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253T4G*************
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253T4G
Код товару: 172039
Додати до обраних Обраний товар

mjd243-d.pdf Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253T4G MJD253T4G Виробник : ON Semiconductor mjd243-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253T4G MJD253T4G Виробник : ON Semiconductor mjd243-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253T4G MJD253T4G Виробник : ON Semiconductor mjd243-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253T4G Виробник : Diodes Incorporated mjd243-d.pdf Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.