Продукція > Транзистори > Біполярні PNP > MJD253T4G

MJD253T4G

mjd243-d.pdf
Код товару: 172039
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні PNP

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції MJD253T4G за ціною від 10.97 грн до 57.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJD253T4G MJD253T4G Виробник : onsemi mjd243-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+14.00 грн
5000+12.35 грн
7500+11.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253T4G MJD253T4G Виробник : ON Semiconductor mjd243d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
542+23.89 грн
589+21.99 грн
1000+16.64 грн
Мінімальне замовлення: 542
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253T4G MJD253T4G Виробник : ONSEMI 2353897.pdf Description: ONSEMI - MJD253T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+25.68 грн
500+18.78 грн
1000+15.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253T4G MJD253T4G Виробник : onsemi MJD243-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W PNP
на замовлення 13303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.36 грн
10+33.27 грн
100+20.55 грн
500+15.72 грн
1000+14.19 грн
2500+12.44 грн
5000+10.97 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253T4G MJD253T4G Виробник : ONSEMI 2353897.pdf Description: ONSEMI - MJD253T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 4 A, 12.5 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+55.44 грн
50+34.65 грн
100+25.68 грн
500+18.78 грн
1000+15.44 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253T4G MJD253T4G Виробник : onsemi mjd243-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 10911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.39 грн
10+34.22 грн
100+22.17 грн
500+15.92 грн
1000+14.35 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253T4G*************
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253T4G MJD253T4G Виробник : ON Semiconductor mjd243d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253T4G Виробник : On Semiconductor MJD243-D.pdf PNP, Uкэ=100V, Iк=4A (8 имп.), h21=15...180, 12.5Вт, 40МГц, DPAK-3/369C (SMD) (компл. MJD243T4) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD253T4G Виробник : Diodes Incorporated mjd243-d.pdf Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.