Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції MJD253T4G за ціною від 10.81 грн до 56.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MJD253T4G | onsemi |
 Description: TRANS PNP 100V 4A DPAKPower - Max: 1.4 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Supplier Device Package: DPAK Frequency - Transition: 40MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MJD253T4G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W PNP |
на замовлення 13303 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MJD253T4G | onsemi |
Description: TRANS PNP 100V 4A DPAK Power - Max: 1.4 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Frequency - Transition: 40MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Supplier Device Package: DPAK |
на замовлення 10911 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| MJD253T4G************* |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| MJD253T4G |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 4A DPAK
Power - Max: 1.4 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 40MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: TRANS PNP 100V 4A DPAK
Power - Max: 1.4 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 40MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 13.79 грн |
| 5000+ | 12.18 грн |
| 7500+ | 11.61 грн |
| MJD253T4G |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W PNP
Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W PNP
на замовлення 13303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 54.56 грн |
| 10+ | 32.79 грн |
| 100+ | 20.25 грн |
| 500+ | 15.50 грн |
| 1000+ | 13.98 грн |
| 2500+ | 12.26 грн |
| 5000+ | 10.81 грн |
| MJD253T4G |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 4A DPAK
Power - Max: 1.4 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Frequency - Transition: 40MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Supplier Device Package: DPAK
Description: TRANS PNP 100V 4A DPAK
Power - Max: 1.4 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Frequency - Transition: 40MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Supplier Device Package: DPAK
на замовлення 10911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 56.57 грн |
| 10+ | 33.73 грн |
| 100+ | 21.85 грн |
| 500+ | 15.69 грн |
| 1000+ | 14.15 грн |
| MJD253T4G************* |
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)