Продукція > Транзистори > Біполярні NPN > MJD3055T4(G) (транзистор біполярный NPN)

MJD3055T4(G) (транзистор біполярный NPN)

Код товару: 24067
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні NPN

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції MJD3055T4(G) (транзистор біполярный NPN) за ціною від 18.59 грн до 88.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
MJD3055T4G MJD3055T4G onsemi mjd2955-d.pdf description Description: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.91 грн
5000+18.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4G MJD3055T4G ON Semiconductor mjd2955d.pdf description Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
508+27.85 грн
Мінімальне замовлення: 508 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4G MJD3055T4G ONSEMI 1748822.pdf description Description: ONSEMI - MJD3055T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.75W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+35.11 грн
500+25.27 грн
1000+21.14 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4G MJD3055T4G ONSEMI 1748822.pdf description Description: ONSEMI - MJD3055T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.75W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+84.70 грн
50+53.28 грн
100+35.11 грн
500+25.27 грн
1000+21.14 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4G MJD3055T4G onsemi mjd2955-d.pdf description Description: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 30624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.64 грн
10+51.77 грн
100+34.06 грн
500+24.82 грн
1000+22.52 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4G MJD3055T4G onsemi mjd2955-d.pdf description Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W NPN
на замовлення 8202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+88.81 грн
10+52.60 грн
100+31.44 грн
500+24.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4G*************
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4G ON Semiconductor mjd2955-d.pdf description
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4G description mjd2955-d.pdf
MJD3055T4G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+20.91 грн
5000+18.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4G description mjd2955d.pdf
MJD3055T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
508+27.85 грн
Мінімальне замовлення: 508 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4G description 1748822.pdf
MJD3055T4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD3055T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.75W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+35.11 грн
500+25.27 грн
1000+21.14 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4G description 1748822.pdf
MJD3055T4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD3055T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.75W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+84.70 грн
50+53.28 грн
100+35.11 грн
500+25.27 грн
1000+21.14 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4G description mjd2955-d.pdf
MJD3055T4G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 30624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+85.64 грн
10+51.77 грн
100+34.06 грн
500+24.82 грн
1000+22.52 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4G description mjd2955-d.pdf
MJD3055T4G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W NPN
на замовлення 8202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+88.81 грн
10+52.60 грн
100+31.44 грн
500+24.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4G*************
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4G description mjd2955-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.