Інші пропозиції MJD3055T4(G) (транзистор біполярный NPN) за ціною від 22.97 грн до 92.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MJD3055T4G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
MJD3055T4G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD3055T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.75W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 10A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 2MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
MJD3055T4G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W NPN |
на замовлення 1549 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
MJD3055T4G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 10A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V Frequency - Transition: 2MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.75 W |
на замовлення 814 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
MJD3055T4G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD3055T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.75W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 10A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 2MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| MJD3055T4G************* |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| MJD3055T4G | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
|
|
MJD3055T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
MJD3055T4G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 10A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V Frequency - Transition: 2MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.75 W |
товару немає в наявності |