MJD3055T4G ON Semiconductor
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 22.33 грн |
| 5000+ | 22.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD3055T4G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJD3055T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 10A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.75W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 2MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції MJD3055T4G за ціною від 17.83 грн до 90.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MJD3055T4G | Виробник : onsemi |
 Description: TRANS NPN 60V 10A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V Frequency - Transition: 2MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.75 W |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD3055T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD3055T4G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD3055T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 10A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.75W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 2MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD3055T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD3055T4G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD3055T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 10A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.75W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 2MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD3055T4G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W NPN |
на замовлення 3436 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD3055T4G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 10A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V Frequency - Transition: 2MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.75 W |
на замовлення 18131 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| MJD3055T4G | Виробник : Aptina Imaging |
Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| MJD3055T4G | Виробник : Aptina Imaging |
Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| MJD3055T4G************* |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
| MJD3055T4G | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
MJD3055T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
MJD3055T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |