Продукція > ONSEMI > MJD3055T4G
MJD3055T4G

MJD3055T4G onsemi

mjd2955-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+24.15 грн
5000+21.47 грн
7500+20.56 грн
12500+18.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD3055T4G onsemi

Description: ONSEMI - MJD3055T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.75W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 10A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 2MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MJD3055T4G за ціною від 20.16 грн до 93.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJD3055T4G MJD3055T4G Виробник : ON Semiconductor mjd2955-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+25.89 грн
5000+25.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4G MJD3055T4G Виробник : ON Semiconductor mjd2955-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+28.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4G MJD3055T4G Виробник : ON Semiconductor mjd2955-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
245+50.06 грн
255+48.06 грн
500+46.32 грн
1000+43.21 грн
Мінімальне замовлення: 245
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4G MJD3055T4G Виробник : onsemi MJD2955_D-2315918.pdf Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 20W NPN
на замовлення 3436 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.43 грн
10+50.77 грн
100+30.49 грн
500+24.30 грн
1000+22.26 грн
2500+20.83 грн
5000+20.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4G MJD3055T4G Виробник : ONSEMI 1748822.pdf Description: ONSEMI - MJD3055T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+74.24 грн
50+55.62 грн
100+37.92 грн
500+28.85 грн
1000+23.15 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4G MJD3055T4G Виробник : onsemi mjd2955-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 18131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.06 грн
10+56.44 грн
100+37.11 грн
500+27.04 грн
1000+24.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4G Виробник : Aptina Imaging mjd2955-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+23.16 грн
5000+21.57 грн
7500+20.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4G Виробник : Aptina Imaging mjd2955-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
508+24.09 грн
Мінімальне замовлення: 508
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4G*************
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4G Виробник : ON Semiconductor mjd2955-d.pdf
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4G MJD3055T4G Виробник : ON Semiconductor mjd2955-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD3055T4G MJD3055T4G Виробник : ON Semiconductor 1148mjd2955-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.