Продукція > MJD > MJD31CTF

MJD31CTF


MJD31C.pdf
Виробник:

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD31CTF

Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR), Power - Max: 1.56 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: DPAK, Frequency - Transition: 3MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V, Current - Collector Cutoff (Max): 50µA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount.

Інші пропозиції MJD31CTF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
MJD31CTF ON Semiconductor / Fairchild MJD31C-1306726.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD31CTF MJD31C-1306726.pdf
Виробник: ON Semiconductor / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.