Продукція > ONSEMI > MJD44E3T4G

MJD44E3T4G onsemi


mjd44e3-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 80V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+19.19 грн
5000+17.03 грн
7500+16.30 грн
12500+14.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD44E3T4G onsemi

Description: TRANS NPN DARL 80V 10A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Darlington, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 10A, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 5V, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 1.75 W.

Інші пропозиції MJD44E3T4G за ціною від 15.08 грн до 82.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
MJD44E3T4G MJD44E3T4G onsemi mjd44e3-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 80V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 15981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.63 грн
10+45.24 грн
100+29.68 грн
500+21.56 грн
1000+19.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44E3T4G MJD44E3T4G onsemi mjd44e3-d.pdf Darlington Transistors 10A 80V 20W NPN
на замовлення 17116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+82.28 грн
10+41.19 грн
100+25.14 грн
500+20.81 грн
1000+18.99 грн
2500+16.97 грн
5000+15.08 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44E3T4G********
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44E3T4G ON Semiconductor mjd44e3-d.pdf
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44E3T4G mjd44e3-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 80V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 15981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+74.63 грн
10+45.24 грн
100+29.68 грн
500+21.56 грн
1000+19.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44E3T4G mjd44e3-d.pdf
Виробник: onsemi
Darlington Transistors 10A 80V 20W NPN
на замовлення 17116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+82.28 грн
10+41.19 грн
100+25.14 грн
500+20.81 грн
1000+18.99 грн
2500+16.97 грн
5000+15.08 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44E3T4G********
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44E3T4G mjd44e3-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.