Продукція > ONSEMI > MJD44E3T4G
MJD44E3T4G

MJD44E3T4G onsemi

mjd44e3-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 80V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+19.10 грн
5000+16.96 грн
7500+16.22 грн
12500+14.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD44E3T4G onsemi

Description: ONSEMI - MJD44E3T4G - Darlington-Transistor, NPN, 80 V, 1.75 W, 10 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.75W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V, Dauerkollektorstrom: 10A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 10A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MJD44E3T4G за ціною від 19.45 грн до 74.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MJD44E3T4G MJD44E3T4G ON Semiconductor mjd44e3-d.pdf Trans Darlington NPN 80V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+25.98 грн
100+24.67 грн
250+22.48 грн
500+21.24 грн
1000+20.89 грн
3000+20.55 грн
6000+20.21 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44E3T4G MJD44E3T4G ON Semiconductor mjd44e3-d.pdf Trans Darlington NPN 80V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
544+25.98 грн
552+25.58 грн
561+25.18 грн
570+23.90 грн
1000+21.76 грн
3000+20.55 грн
6000+20.21 грн
Мінімальне замовлення: 544 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44E3T4G MJD44E3T4G onsemi mjd44e3-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 80V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 15981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.30 грн
10+45.04 грн
100+29.54 грн
500+21.46 грн
1000+19.45 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44E3T4G MJD44E3T4G onsemi mjd44e3-d.pdf Darlington Transistors 10A 80V 20W NPN
на замовлення 17116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44E3T4G MJD44E3T4G ONSEMI ONSM-S-A0013307541-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJD44E3T4G - Darlington-Transistor, NPN, 80 V, 1.75 W, 10 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.75W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 10A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44E3T4G MJD44E3T4G ONSEMI ONSM-S-A0013307541-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJD44E3T4G - Darlington-Transistor, NPN, 80 V, 1.75 W, 10 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.75W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 10A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44E3T4G********
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44E3T4G ON Semiconductor mjd44e3-d.pdf
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44E3T4G mjd44e3-d.pdf
MJD44E3T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 80V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
29+25.98 грн
100+24.67 грн
250+22.48 грн
500+21.24 грн
1000+20.89 грн
3000+20.55 грн
6000+20.21 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44E3T4G mjd44e3-d.pdf
MJD44E3T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 80V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
544+25.98 грн
552+25.58 грн
561+25.18 грн
570+23.90 грн
1000+21.76 грн
3000+20.55 грн
6000+20.21 грн
Мінімальне замовлення: 544 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44E3T4G mjd44e3-d.pdf
MJD44E3T4G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 80V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 15981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+74.30 грн
10+45.04 грн
100+29.54 грн
500+21.46 грн
1000+19.45 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44E3T4G mjd44e3-d.pdf
MJD44E3T4G
Виробник: onsemi
Darlington Transistors 10A 80V 20W NPN
на замовлення 17116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44E3T4G ONSM-S-A0013307541-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJD44E3T4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD44E3T4G - Darlington-Transistor, NPN, 80 V, 1.75 W, 10 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.75W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 10A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44E3T4G ONSM-S-A0013307541-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJD44E3T4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD44E3T4G - Darlington-Transistor, NPN, 80 V, 1.75 W, 10 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.75W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 10A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44E3T4G********
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44E3T4G mjd44e3-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.