
MJD44E3T4G ON Semiconductor
на замовлення 7878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
32+ | 19.01 грн |
100+ | 18.31 грн |
250+ | 16.93 грн |
500+ | 16.24 грн |
1000+ | 16.22 грн |
3000+ | 16.20 грн |
6000+ | 16.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD44E3T4G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJD44E3T4G - Darlington-Transistor, NPN, 80 V, 1.75 W, 10 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 10A, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.75W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 10A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MJD44E3T4G за ціною від 16.03 грн до 84.15 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MJD44E3T4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJD44E3T4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 7878 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJD44E3T4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJD44E3T4G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 5V Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W |
на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJD44E3T4G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 10A usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.75W euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 10A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJD44E3T4G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 23589 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJD44E3T4G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.75W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 10A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJD44E3T4G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 5V Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W |
на замовлення 24202 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
MJD44E3T4G******** |
на замовлення 65000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
MJD44E3T4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
![]() |
MJD44E3T4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
MJD44E3T4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |