MJD44E3T4G onsemi
Виробник: onsemiDescription: TRANS NPN DARL 80V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 20.09 грн |
| 5000+ | 17.83 грн |
| 7500+ | 17.06 грн |
| 12500+ | 15.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD44E3T4G onsemi
Description: ONSEMI - MJD44E3T4G - Darlington-Transistor, NPN, 80 V, 1.75 W, 10 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.75W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V, Dauerkollektorstrom: 10A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 10A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MJD44E3T4G за ціною від 15.89 грн до 90.40 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MJD44E3T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 80V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 7219 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MJD44E3T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 80V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 7219 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MJD44E3T4G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD44E3T4G - Darlington-Transistor, NPN, 80 V, 1.75 W, 10 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.75W euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V Dauerkollektorstrom: 10A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 10A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 682 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MJD44E3T4G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN DARL 80V 10A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 5V Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W |
на замовлення 15981 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD44E3T4G | Виробник : onsemi |
Darlington Transistors 10A 80V 20W NPN |
на замовлення 19498 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MJD44E3T4G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD44E3T4G - Darlington-Transistor, NPN, 80 V, 1.75 W, 10 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.75W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 10A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 682 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| MJD44E3T4G******** |
на замовлення 65000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
| MJD44E3T4G | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
MJD44E3T4G (onsemi) Код товару: 194764
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Біполярні NPN |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
|
|
MJD44E3T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 80V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
MJD44E3T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 80V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| MJD44E3T4G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD Darlington transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 80V; 10A; 1.75W; DPAK Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 10A Power dissipation: 1.75W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of transistor: Darlington |
товару немає в наявності |

