Продукція > Транзистори > Біполярні NPN > MJD44E3T4G (onsemi)

MJD44E3T4G (onsemi)

Код товару: 194764
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні NPN

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції MJD44E3T4G (onsemi) за ціною від 14.45 грн до 74.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MJD44E3T4G MJD44E3T4G onsemi mjd44e3-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 80V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.10 грн
5000+16.96 грн
7500+16.22 грн
12500+14.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44E3T4G MJD44E3T4G ON Semiconductor mjd44e3-d.pdf Trans Darlington NPN 80V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+25.98 грн
100+24.67 грн
250+22.48 грн
500+21.24 грн
1000+20.89 грн
3000+20.55 грн
6000+20.21 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44E3T4G MJD44E3T4G ON Semiconductor mjd44e3-d.pdf Trans Darlington NPN 80V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
544+25.98 грн
552+25.58 грн
561+25.18 грн
570+23.90 грн
1000+21.76 грн
3000+20.55 грн
6000+20.21 грн
Мінімальне замовлення: 544 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44E3T4G MJD44E3T4G onsemi mjd44e3-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 80V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 15981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.30 грн
10+45.04 грн
100+29.54 грн
500+21.46 грн
1000+19.45 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44E3T4G MJD44E3T4G onsemi mjd44e3-d.pdf Darlington Transistors 10A 80V 20W NPN
на замовлення 17116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44E3T4G MJD44E3T4G ONSEMI ONSM-S-A0013307541-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJD44E3T4G - Darlington-Transistor, NPN, 80 V, 1.75 W, 10 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.75W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 10A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44E3T4G MJD44E3T4G ONSEMI ONSM-S-A0013307541-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJD44E3T4G - Darlington-Transistor, NPN, 80 V, 1.75 W, 10 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.75W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 10A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44E3T4G********
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44E3T4G ON Semiconductor mjd44e3-d.pdf
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44E3T4G mjd44e3-d.pdf
MJD44E3T4G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 80V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+19.10 грн
5000+16.96 грн
7500+16.22 грн
12500+14.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44E3T4G mjd44e3-d.pdf
MJD44E3T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 80V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
29+25.98 грн
100+24.67 грн
250+22.48 грн
500+21.24 грн
1000+20.89 грн
3000+20.55 грн
6000+20.21 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44E3T4G mjd44e3-d.pdf
MJD44E3T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 80V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
544+25.98 грн
552+25.58 грн
561+25.18 грн
570+23.90 грн
1000+21.76 грн
3000+20.55 грн
6000+20.21 грн
Мінімальне замовлення: 544 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44E3T4G mjd44e3-d.pdf
MJD44E3T4G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 80V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 15981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+74.30 грн
10+45.04 грн
100+29.54 грн
500+21.46 грн
1000+19.45 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44E3T4G mjd44e3-d.pdf
MJD44E3T4G
Виробник: onsemi
Darlington Transistors 10A 80V 20W NPN
на замовлення 17116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44E3T4G ONSM-S-A0013307541-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJD44E3T4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD44E3T4G - Darlington-Transistor, NPN, 80 V, 1.75 W, 10 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.75W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 10A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44E3T4G ONSM-S-A0013307541-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJD44E3T4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD44E3T4G - Darlington-Transistor, NPN, 80 V, 1.75 W, 10 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.75W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 10A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44E3T4G********
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44E3T4G mjd44e3-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.