Інші пропозиції MJD44E3T4G (onsemi) за ціною від 14.42 грн до 85.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MJD44E3T4G | Виробник : onsemi |
 Description: TRANS NPN DARL 80V 10A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 5V Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD44E3T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 80V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 7219 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD44E3T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 80V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 7219 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD44E3T4G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD44E3T4G - Darlington-Transistor, NPN, 80 V, 1.75 W, 10 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.75W euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V Dauerkollektorstrom: 10A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 10A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 682 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD44E3T4G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN DARL 80V 10A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 5V Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W |
на замовлення 15981 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD44E3T4G | Виробник : onsemi |
Darlington Transistors 10A 80V 20W NPN |
на замовлення 17116 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD44E3T4G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD44E3T4G - Darlington-Transistor, NPN, 80 V, 1.75 W, 10 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.75W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 10A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 682 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| MJD44E3T4G******** |
на замовлення 65000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
| MJD44E3T4G | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
MJD44E3T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 80V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |