Продукція > MJD > MJD44H11AJ

MJD44H11AJ

MJD44H11A.pdf
Код товару: 189016
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:


товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції MJD44H11AJ за ціною від 22.76 грн до 143.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MJD44H11AJ MJD44H11AJ NEXPERIA 3228233.pdf Description: NEXPERIA - MJD44H11AJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+57.39 грн
500+36.76 грн
1000+28.57 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11AJ MJD44H11AJ Nexperia USA Inc. MJD44H11A.pdf Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.14 грн
10+53.97 грн
100+35.02 грн
500+25.22 грн
1000+22.76 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11AJ MJD44H11AJ NEXPERIA 3228233.pdf Description: NEXPERIA - MJD44H11AJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+143.06 грн
10+92.66 грн
100+57.39 грн
500+36.76 грн
1000+28.57 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11AJ MJD44H11AJ Nexperia MJD44H11A.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT428 80V 8A NPN HI PWR BJT
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11AJ 3228233.pdf
MJD44H11AJ
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - MJD44H11AJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+57.39 грн
500+36.76 грн
1000+28.57 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11AJ MJD44H11A.pdf
MJD44H11AJ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+90.14 грн
10+53.97 грн
100+35.02 грн
500+25.22 грн
1000+22.76 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11AJ 3228233.pdf
MJD44H11AJ
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - MJD44H11AJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+143.06 грн
10+92.66 грн
100+57.39 грн
500+36.76 грн
1000+28.57 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11AJ MJD44H11A.pdf
MJD44H11AJ
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT SOT428 80V 8A NPN HI PWR BJT
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.