MJD44H11AJ

MJD44H11AJ Nexperia USA Inc.


MJD44H11A.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+16.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD44H11AJ Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - MJD44H11AJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 8A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MJD, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 160MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції MJD44H11AJ за ціною від 13.55 грн до 73.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJD44H11AJ MJD44H11AJ Виробник : NEXPERIA 3228233.pdf Description: NEXPERIA - MJD44H11AJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+30.39 грн
500+21.68 грн
1000+17.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11AJ MJD44H11AJ Виробник : Nexperia USA Inc. MJD44H11A.pdf Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+64.57 грн
10+38.90 грн
100+25.27 грн
500+18.21 грн
1000+16.43 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11AJ MJD44H11AJ Виробник : NEXPERIA 3228233.pdf Description: NEXPERIA - MJD44H11AJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+69.63 грн
50+45.67 грн
100+30.39 грн
500+21.68 грн
1000+17.73 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11AJ MJD44H11AJ Виробник : Nexperia MJD44H11A.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT428 80V 8A NPN HI PWR BJT
на замовлення 17963 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.13 грн
10+44.97 грн
100+25.41 грн
500+19.59 грн
1000+17.60 грн
2500+15.54 грн
5000+13.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11AJ
Код товару: 189016
Додати до обраних Обраний товар

MJD44H11A.pdf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11AJ MJD44H11AJ Виробник : NEXPERIA mjd44h11a.pdf 80 V, 8 A NPN high power bipolar transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11AJ MJD44H11AJ Виробник : Nexperia mjd44h11a.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD44H11AJ MJD44H11AJ Виробник : Nexperia mjd44h11a.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.