Продукція > DIODES INCORPORATED > MJD45H11-13
MJD45H11-13

MJD45H11-13 Diodes Incorporated

MJD45H11.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 80V 8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+23.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD45H11-13 Diodes Incorporated

Description: TRANS NPN 80V 8A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V, Frequency - Transition: 3MHz, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Current - Collector (Ic) (Max): 8 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 1.5 W.

Інші пропозиції MJD45H11-13 за ціною від 18.73 грн до 97.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MJD45H11-13 MJD45H11-13 Diodes Incorporated MJD45H11.pdf Description: TRANS NPN 80V 8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.25 грн
10+54.63 грн
25+45.85 грн
50+37.92 грн
100+33.60 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11-13 Diodes Incorporated MJD45H11.pdf Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
на замовлення 2117 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
4+97.43 грн
10+44.39 грн
100+34.16 грн
2500+20.84 грн
5000+18.73 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11-13 MJD45H11.pdf
MJD45H11-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 80V 8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+91.25 грн
10+54.63 грн
25+45.85 грн
50+37.92 грн
100+33.60 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11-13 MJD45H11.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
на замовлення 2117 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+97.43 грн
10+44.39 грн
100+34.16 грн
2500+20.84 грн
5000+18.73 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.