Продукція > MJD > MJD45H11-13

MJD45H11-13

MJD45H11.pdf
Виробник:

на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD45H11-13

Description: TRANS NPN 80V 8A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V, Frequency - Transition: 3MHz, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Current - Collector (Ic) (Max): 8 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 1.5 W.

Інші пропозиції MJD45H11-13

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MJD45H11-13 Diodes Incorporated MJD45H11.pdf Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
на замовлення 2126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11-13 MJD45H11.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
на замовлення 2126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.