MJE5731


mje5730-d.pdf Виробник:

на замовлення 1556 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJE5731

Description: TRANS PNP 350V 1A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 1mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V, Frequency - Transition: 10MHz, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V, Power - Max: 40 W.

Інші пропозиції MJE5731

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MJE5731 MJE5731 Виробник : onsemi mje5730-d.pdf Description: TRANS PNP 350V 1A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 40 W
товар відсутній
MJE5731 MJE5731 Виробник : onsemi MJE5730_D-1811353.pdf Bipolar Transistors - BJT 1A 350V 40W PNP
товар відсутній