MJE5852G ON Semiconductor
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 91+ | 143.55 грн |
| 100+ | 138.18 грн |
| 250+ | 135.49 грн |
| 400+ | 105.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJE5852G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJE5852G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 400 V, 8 A, 80 W, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 80W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Dauerkollektorstrom: 8A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MJxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MJE5852G за ціною від 104.08 грн до 349.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MJE5852G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
MJE5852G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 10726 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
MJE5852G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 84 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
MJE5852G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
MJE5852G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 400V 8A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 8A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 80 W |
на замовлення 680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
MJE5852G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 8A 400V 80W PNP |
на замовлення 2578 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
MJE5852G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJE5852G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 400 V, 8 A, 80 W, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 80W Bauform - Transistor: TO-220AB Dauerkollektorstrom: 8A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MJxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 594 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
MJE5852G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 288 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
MJE5852G Код товару: 115058
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Біполярні PNP |
товару немає в наявності
|
||||||||||||
|
|
MJE5852G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |