Продукція > VISHAY > IRFPG50PBF
IRFPG50PBF

IRFPG50PBF VISHAY


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B77CB00EB0469&compId=IRFPG50PBF.pdf?ci_sign=091ad9243abe582f39d0806d3e6936d5490ee6e8 Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3.9A; 190W; TO247AC
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 0.19µC
On-state resistance:
Drain current: 3.9A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 190W
Drain-source voltage: 1kV
Case: TO247AC
на замовлення 1140 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+251.20 грн
7+136.46 грн
19+129.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFPG50PBF VISHAY

Description: VISHAY - IRFPG50PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 6 A, 2 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 180W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFPG50PBF за ціною від 155.19 грн до 338.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFPG50PBF IRFPG50PBF Виробник : Vishay Siliconix 91254.pdf Description: MOSFET N-CH 1000V 6.1A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+289.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG50PBF IRFPG50PBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0014407243-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFPG50PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 6 A, 2 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+292.21 грн
10+243.51 грн
100+237.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG50PBF IRFPG50PBF Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B77CB00EB0469&compId=IRFPG50PBF.pdf?ci_sign=091ad9243abe582f39d0806d3e6936d5490ee6e8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3.9A; 190W; TO247AC
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 0.19µC
On-state resistance:
Drain current: 3.9A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 190W
Drain-source voltage: 1kV
Case: TO247AC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+301.44 грн
7+170.05 грн
19+155.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG50PBF IRFPG50PBF Виробник : Vishay Semiconductors 91254.pdf MOSFETs TO247 1KV 6.1A N-CH MOSFET
на замовлення 2051 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+314.56 грн
10+276.78 грн
100+238.40 грн
500+222.40 грн
1000+205.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG50PBF IRFPG50PBF Виробник : Vishay 91254.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 6.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 1268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
38+325.99 грн
100+312.59 грн
500+290.20 грн
1000+210.35 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG50PBF IRFPG50PBF Виробник : Vishay 91254.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 6.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 1268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+338.91 грн
100+318.38 грн
500+291.75 грн
1000+222.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG50PBF 91254.pdf IRFPG50PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 101 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG50PBF Виробник : Vishay Siliconix 91254.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 1 000; Id = 6,1 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 2800 @ 25; Qg, нКл = 190 @ 10 В; Rds = 2 Ом @ 3,6 A, 10 В; Ugs(th) = 10 В; Р, Вт = 190; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = вивідний; TO-247-3
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG50PBF IRFPG50PBF
Код товару: 23069
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : IR 91254.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 1000 V
Idd,A: 6,1 A
Rds(on), Ohm: 2 Ohm
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG50PBF IRFPG50PBF Виробник : Vishay 91254.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 6.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG50PBF IRFPG50PBF Виробник : Vishay 91254.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 6.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPG50PBF IRFPG50PBF Виробник : Vishay 91254.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 6.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.