на замовлення 2130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 45+ | 285.51 грн |
| 52+ | 248.40 грн |
| 100+ | 244.18 грн |
| 500+ | 228.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFPG50PBF Vishay
Description: VISHAY - IRFPG50PBF - MOSFET, N-KANAL, 1000V, 6.1A, TO-247AC, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 180W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFPG50PBF за ціною від 151.08 грн до 688.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFPG50PBF | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 1KV 6.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 2133 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFPG50PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO247 1KV 6.1A N-CH MOSFET |
на замовлення 1832 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFPG50PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 1000V 6.1A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 3.6A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V |
на замовлення 261 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IRFPG50PBF | Виробник : VISHAY |
IRFPG50PBF THT N channel transistors |
на замовлення 775 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IRFPG50PBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFPG50PBF - MOSFET, N-KANAL, 1000V, 6.1A, TO-247AC tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 180W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 197 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IRFPG50PBF |
IRFPG50PBF Транзисторы HEXFET |
на замовлення 101 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||
| IRFPG50PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
N-канальний ПТ; Udss, В = 1 000; Id = 6,1 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 2800 @ 25; Qg, нКл = 190 @ 10 В; Rds = 2 Ом @ 3,6 A, 10 В; Ugs(th) = 10 В; Р, Вт = 190; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = вивідний; TO-247-3 |
на замовлення 1 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||||||||||||||
 |
IRFPG50PBF Код товару: 23069
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : IR |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-247 Uds,V: 1000 V Idd,A: 6,1 A Rds(on), Ohm: 2 Ohm Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||
 |
IRFPG50PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 1KV 6.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IRFPG50PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 1KV 6.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IRFPG50PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 1KV 6.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
товару немає в наявності |