IRFPG50PBF VISHAY
Виробник: VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3.9A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.19µC
на замовлення 922 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 218.00 грн |
| 10+ | 153.21 грн |
| 25+ | 138.92 грн |
| 50+ | 131.77 грн |
| 100+ | 125.42 грн |
| 250+ | 122.25 грн |
| 500+ | 119.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFPG50PBF VISHAY
Description: VISHAY - IRFPG50PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 6 A, 2 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 180W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFPG50PBF за ціною від 143.84 грн до 655.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFPG50PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3.9A; 190W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 3.9A Power dissipation: 190W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.19µC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 922 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFPG50PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 1KV 6.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 658 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFPG50PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 1KV 6.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 658 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFPG50PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 1KV 6.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 658 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFPG50PBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFPG50PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 6 A, 2 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 180W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 304 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFPG50PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO247 1KV 6.1A N-CH MOSFET |
на замовлення 1982 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFPG50PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 1000V 6.1A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 3.6A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V |
на замовлення 261 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRFPG50PBF |
IRFPG50PBF Транзисторы HEXFET |
на замовлення 101 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
| IRFPG50PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
N-канальний ПТ; Udss, В = 1 000; Id = 6,1 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 2800 @ 25; Qg, нКл = 190 @ 10 В; Rds = 2 Ом @ 3,6 A, 10 В; Ugs(th) = 10 В; Р, Вт = 190; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = вивідний; TO-247-3 |
на замовлення 1 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
IRFPG50PBF Код товару: 23069
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : IR |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-247 Uds,V: 1000 V Idd,A: 6,1 A Rds(on), Ohm: 2 Ohm Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
 |
IRFPG50PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 1KV 6.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRFPG50PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 1KV 6.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRFPG50PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 1KV 6.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
товару немає в наявності |