на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5282+ | 2.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBF170 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBF170 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 500mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MMBF170 за ціною від 1.86 грн до 22.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MMBF170 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBF170 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 138000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMBF170 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMBF170 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMBF170 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBF170 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMBF170 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMBF170 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V |
на замовлення 59470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMBF170 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMBF170 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBF170 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 8656 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMBF170 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 7794 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMBF170 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMBF170 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs N-Ch Enhance |
на замовлення 43523 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMBF170 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 7794 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMBF170 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V |
на замовлення 59470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMBF170 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBF170 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 12621 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMBF170 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| MMBF170 | Виробник : import |
N-MOSFET 0.5A 60V 60W 225mW 5Ω MMBF170, MMBF170LT1G, MMBF170-7-F, MMBF170LT3G (10Kpcs/T&R) MMBF170 China TMMBF170lt1 cкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 938 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
| MMBF170 | Виробник : ONSEMI |
MMBF170 SMD N channel transistors |
на замовлення 1421 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
|
|
MMBF170 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |




